公开(公告)号：CN103426827B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201310179088.3

申请日：2013-05-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  B·赫克玛特绍塔巴里 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1218 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1266 ,  H01L2221/68368

Abstract: 本发明涉及半导体有源矩阵结构及其制造方法。使用可用于挠性基板的技术来制造高分辨率有源矩阵背板。在绝缘体上半导体基板上形成包括有源半导体器件的背板层。从基板剥脱该背板层。在背板层之上形成包括诸如LCD、OLED的无源器件、光敏材料或压电材料的前板层，以形成有源矩阵结构。有源矩阵结构可被制造，以允许底部发射并提供机械挠性。

公开(公告)号：CN104218126A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410231720.9

申请日：2014-05-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈自强 ,  B·赫克玛特绍塔巴里 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及异质结发光二极管。一种用于形成发光器件的方法包括在单晶衬底上形成Ⅲ-Ⅴ单晶发射层以及在所述发射层上形成第一掺杂层。在所述第一掺杂层上沉积第一接触。通过机械方法从所述发射层去除所述单晶衬底。在所述发射层的去除所述衬底的一侧上形成第二掺杂层。所述第二掺杂层具有与所述第一掺杂层相反的掺杂剂导电性。在所述第二掺杂层上沉积第二接触。

公开(公告)号：CN103515461A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310258334.4

申请日：2013-06-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·赫克玛特绍塔巴里 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及纹理化的多结太阳能电池及制造方法。一种多结光伏器件包括具有金字塔形状的锗层，所述金字塔形状具有暴露的（111）刻面以形成纹理化表面。在该纹理化表面上或之上形成第一p-n结。在第一p-n结之上并遵循该纹理化表面形成另一p-n结。

公开(公告)号：CN103311292A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310077499.1

申请日：2013-03-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  B·赫克玛特绍塔巴里 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及氮化镓超结器件。氮化镓高电子迁移率晶体管结构允许高击穿电压并可用于大功率和/或高频切换。肖特基二极管便于高电压应用并提供快速切换。由氮化镓中的p/n结形成的超结便于高电子迁移率晶体管结构、肖特基二极管以及由晶体管结构的漏极至栅极连接形成的栅控二极管的操作。抑制了高电子迁移率晶体管结构的栅极与漏极之间的击穿、穿过衬底的击穿、或者这两种击穿。

公开(公告)号：CN103227192A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310032841.6

申请日：2013-01-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·赫克玛特绍塔巴里 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/201 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/7781

Abstract: 本发明涉及半导体衬底、形成半导体衬底和集成电路的方法。提供了一种在沟道和绝缘体之间采用宽带隙材料的改善的半导体衬底。一种半导体衬底包括由Ⅲ-Ⅴ族材料构成的沟道层；绝缘体层；以及在沟道层和绝缘体层之间的宽带隙材料，其中在沟道层和宽带隙材料之间的导带偏移（ΔEc）在0.05eV和0.8eV之间。沟道层可以由例如In1-xGaxAs或In1-xGaxSb构成，其中x从0到1变化。宽带隙材料可以由例如In1-yAlyAs、In1-yAlyP、Al1-yGayAs或In1-yGayP构成，其中y从0变化到1。