-
公开(公告)号：CN115128423B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210762660.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种重离子辐照影响β‑Ga2O3MOSFET器件电化学性能的方法，包括：将外延层中掺杂施主Si元素的β‑Ga2O3在室温条件下进行不同注量的重离子辐照；检测重离子辐照前后β‑Ga2O3外延晶片的单斜结构、弯曲振动、拉伸模式光学性质和化学结合状态；对步骤S2中得到的实验数据进行总结，得出重离子辐照β‑Ga2O3外延晶片后产生的点缺陷；将步骤S3中产生的点缺陷引入β‑Ga2O3MOSFET模型中，输出模拟电学性能曲线。本发明通过将β‑Ga2O3外延晶片的辐照研究与β‑Ga2O3MOSFET器件的模拟研究进行结合，对β‑Ga2O3MOSFET器件抗辐射机理研究产生了显著的效果。
-
公开(公告)号：CN115064229B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210762584.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，涉及计算机模拟材料计算相关技术领域，包括如下步骤：步骤S1：将SiC原胞的晶格常数调整为实验值后，利用vasp软件对SiC原胞进行结构优化和弛豫，得到稳定态的SiC原胞；步骤S2：选取K点进行能带计算，基于杂化密度泛函测试不同混合参数下SiC原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值相匹配的混合参数；杂化密度泛函包括HSE泛函和PBE泛函；步骤S3：将SiC原胞扩大成超胞，在超胞中构建缺陷模型，对缺陷模型进行结构优化后，利用混合参数对优化后的缺陷模型进行自洽计算；步骤S4：获取计算数据，建立SiC缺陷性质数据库。本发明实现了对碳化硅单晶缺陷性质的精确计算。
-
公开(公告)号：CN111863625B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010735167.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/423 , H01L21/425 , H01L21/428 , H01L21/477
Abstract: 本发明提供了一种单一材料PN异质结及其设计方法，涉及PN异质结材料设计技术领域，包括：将一种二维过渡金属硫化物中的部分原子替换成替代原子，二维过渡金属硫化物具有单一N型半导体性质或单一P型半导体性质；通过原子替换形成缺陷型二维过渡金属硫化物，所述缺陷型二维过渡金属硫化物的半导体性质发生转变，适于与未进行原子替换的二维过渡金属硫化物形成PN异质结。本发明通过替代原子的引入使得本征半导体二维材料出现晶格缺陷，引入了缺陷能级，将同一种材料通过原子替换形成具备P型半导体性质与N型半导体性质两种同晶格材料，并从能带分布中判断体系的多数载流子，为实现单一材料PN异质结提供了理论依据。
-
公开(公告)号：CN115203921A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210768435.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种地球辐射带多轨道环境协同量化表征仿真方法及装置，涉及空间飞行器仿真技术领域。本发明所述的地球辐射带多轨道环境协同量化表征仿真方法，包括：初始化参数，其中，所述参数包括任务开始时间、任务结束时间、仿真步长、导航卫星星座的轨道参数以及辐射带模型控制参数；从所述任务开始时间到所述任务结束时间为止，依次累加所述仿真步长得到各个仿真时刻，在各个所述仿真时刻下依次遍历每颗导航卫星，更新所述导航卫星的在轨运动状态数据；根据各个所述仿真时刻下的所述导航卫星的空间位置数据和所述辐射带模型控制参数确定对应的辐射环境量化表征数据。本发明能够对导航卫星所处的空间辐射环境进行量化表征。
-
公开(公告)号：CN115169210A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210769955.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06N3/00 , G06F111/08
Abstract: 本发明提供一种灵敏体积内单粒子翻转效应的模拟计算方法，包括：在Geant4环境中，通过几何描述标示语言建立半导体器件的结构模型；通过蒙特卡罗方法对辐射粒子入射所述半导体器件的物理过程进行仿真，得出所述半导体器件中的淀积电荷量以及敏感区域电荷收集量数据；通过步骤S2得到的数据计算出所述半导体器件的单粒子翻转效应；根据计算结果对所述半导体器件的抗辐射性能进行评估与优化。本发明提供的灵敏体积内单粒子翻转效应的模拟计算方法步骤简单、易于操作，且计算效率较高，对粒子入射器件过程中的辐射屏蔽分析具有重要意义。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115165299A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210769910.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种空间原子氧环境表征方法、装置、计算机设备及存储介质，属于航空航天技术领域。所述方法包括获取卫星当前时刻的空间位置坐标、运行速度、运行姿态、时间参数，然后根据运行位置、速度及姿态，结合原子氧环境模型和水平风环境模型，获取航天器任务期间实时在轨位置的原子氧数量密度数据、风速数据、航天器自身的复杂结构数据，根据这些数据实现了对空间原子氧环境的实时表征，解决了考虑航天器结构形状的原子氧效应问题。
-
公开(公告)号：CN115148312A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210778441.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供一种二维Janus材料的建模方法，包括：从材料数据库中导入MX2单胞，使用Y原子替换其中一侧的X原子，得到MXY单胞；将MXY单胞从六角单胞转化为矩形单胞，得到MXY矩形单胞；将MXY矩形单胞进行扩胞，并将其中一个超胞进行反转，然后将反转后的超胞沿着锯齿边和手扶椅边连接，分别形成含有锯齿边界的面内异质结和含有手扶椅边界的面内异质结；对其进行结构弛豫，即完成了二维Janus材料的建模。本发明通过该方法能够构建得到MXY反转异质结构，该反转异质结构与材料本身的面外非对称结构的特征相符，能够真实体现出二维Janus材料在悬空状态下的结构，能够为研究二维Janus材料提供合理的结构模型。
-
公开(公告)号：CN115165299B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210769910.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种空间原子氧环境表征方法、装置、计算机设备及存储介质，属于航空航天技术领域。所述方法包括获取卫星当前时刻的空间位置坐标、运行速度、运行姿态、时间参数，然后根据运行位置、速度及姿态，结合原子氧环境模型和水平风环境模型，获取航天器任务期间实时在轨位置的原子氧数量密度数据、风速数据、航天器自身的复杂结构数据，根据这些数据实现了对空间原子氧环境的实时表征，解决了考虑航天器结构形状的原子氧效应问题。
-
公开(公告)号：CN115146413B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202210830004.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/14 , G06F113/14 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种二维褶皱材料纳米管性能分析方法，包括以下步骤：将不同宽度的二维褶皱材料分别沿两个周期方向卷曲，构建得到不同管径大小的扶手椅型二维褶皱纳米管和锯齿型二维褶皱纳米管，然后对其进行原子弛豫，获得稳定的结构；分别计算纳米管的能带和态密度；计算不同应力条件下纳米管的能带结构，分析其电学行为；计算纳米管的杨氏模量。本发明通过模拟计算方法使二维褶皱材料沿两个不同周期方向卷曲，构建得到扶手椅型二维褶皱纳米管和锯齿型二维褶皱纳米管，并通过第一性原理计算方法对构建得到的纳米管电学性质以及应变对其电学行为的调控进行了系统研究，能够了解不同二维褶皱纳米管的性能，为新材料的设计提供了思路。
-
公开(公告)号：CN115906450A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211405314.0
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明一种双极晶体管氧化层中电离/位移协同效应的仿真方法，涉及电子器件的仿真模拟技术领域，包括如下步骤：构建双极晶体管的氧化层模型，双极晶体管的氧化层模型与高能光子相互作用发生电离辐射效应后，得到电离辐射效应缺陷模型；将带电粒子与双极晶体管的氧化层模型相互作用发生位移辐射效应，得到位移辐射效应缺陷模型，通过SRIM软件计算出位移辐射效应缺陷模型的第二缺陷参数；将第一缺陷参数与第二缺陷参数相关联后输入电离辐射效应缺陷模型后，得到电离/位移协同效应缺陷模型，获取电离/位移协同效应缺陷模型的第三缺陷参数。本发明避免了地面试验过程中，辐照源难以精准控制能量等问题，提高了仿真的精准度，减小了误差。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.024 seconds)
