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公开(公告)号：CN115915896A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310063279.7
申请日：2023-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/853 , H10N10/817 , H10N10/82 , H10N10/01 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有MgAgSb使用的阻挡层为Ag，而在富Ag环境中MgAgSb中容易生成Ag3Sb，导致MgAgSb/Mg3Bi2器件无法实现长期稳定性的问题。方法：一、制备MgCuSb纳米粉末；二、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99纳米粉末；三、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99‑Mg3.2Bi1.5Sb0.5热电发电器件。本发明用于基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备。
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公开(公告)号：CN113773083A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111069346.3
申请日：2021-09-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , H01L35/16
Abstract: 一种兼具高强度和高热电性能的碲化铋基材料及其制备方法，本发明涉及一种碲化铋基材料及其制备方法。本发明要解决现有碲化铋基材料特殊的层状结构使其力学性能差，切削加工困难的问题。兼具高强度和高热电性能的碲化铋基材料的化学通式为Bi0.4Sb1.6Te3‑x；方法：一、称取；二、制备铸锭；三、研磨；四、烧结。本发明用于兼具高强度和高热电性能的碲化铋基材料及其制备。
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公开(公告)号：CN109585639A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811473803.3
申请日：2018-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高输出功率密度和能量转换效率的SnTe热电材料的制备方法，它涉及SnTe热电材料的制备方法。本发明要解决现有热电材料输出功率密度和能量转换效率不能同时提高的问题。制备方法：一、按照化学通式为(SnTe)2.94(In2Te3)0.02-(Cu2Te)3x的化学计量比称取Sn粉、Te粉、In粉和Cu粉；二、将混合物置于高温马弗炉中，在高温度下保温，然后降温并保温，最后随炉冷，得到铸锭；三、将铸锭研磨并置于石墨模具中，在一定温度及压力下烧结，得到In-Cu共掺杂SnTe热电材料。本发明适用于高输出功率密度和能量转换效率的SnTe热电材料的制备。
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公开(公告)号：CN104388904A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410752127.9
申请日：2014-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法，本发明涉及薄膜的制备方法。本发明要解决现有Ti-Ta合金薄膜单靶溅射工序复杂、效率低的问题。方法：取Ta靶及对Ti靶进行扇形镂空处理，将Ta靶置于镂空处理后的Ti靶底部，得到复合靶材，将复合靶材装入单室磁控溅射仪的靶位上，将衬底固定在样品托上，然后抽真空，通入氩气，利用直流磁控溅射，以复合靶材作为阴极进行沉积，即得到Ti-Ta高温记忆合金薄膜。本发明用于一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN103243241A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310192225.7
申请日：2013-05-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高塑性Ni-Mn-In合金的制备方法，本发明涉及合金的制备方法。本发明要解决Ni-Mn-In合金体系存在脆性大的问题。方法：一、称取；二、熔炼；三、制得高塑性Ni-Mn-In合金。本发明添加Co元素显著提高了Ni-Mn-In合金的压缩断裂强度和断裂应变。本发明用于制备高塑性Ni-Mn-In合金。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102925829A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210478727.1
申请日：2012-11-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22F1/057
Abstract: Al-Cu-Mg-Si系铝合金薄壁环状构件的热处理方法，它涉及一种热处理方法。本发明解决了现有的热处理方法处理后导致大型薄壁环状构件的高强度和大延伸率难以同时获得的技术问题。本方法如下：一、固溶处理；二、水淬；三、环轧冷变形；四、时效处理；五、将经过步骤四处理的环轧冷变形构件水淬，然后冷却至室温，即完成Al-Cu-Mg-Si系铝合金薄壁环状构件的热处理。本发明大冷变形方法在合金中引入大量位错，促进了合金中S’沉淀相的析出，使Al-Cu-Mg-Si系铝合金大型薄壁环状构件同时具有较高的强度和延伸率，大大提高了工程结构的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN101413094A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810209626.8
申请日：2008-12-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22F1/16
Abstract: 一种TiNi合金多功能一体化的复合热处理方法，它涉及一种TiNi合金多功能一体化的热处理方法。本发明解决了现有热处理方法处理的TiNi合金性能单一的问题。本发明的方法按以下步骤进行：一、深冷处理；二、中温退火；三、约束时效处理；即实现了TiNi合金的多功能一体化。本发明的复合热处理方法处理后的TiNi合金，同时具有良好的形状记忆效应、良好的超弹性性能以及优异的阻尼行为，本发明的复合热处理方法使得TiNi合金具有良好的多功能一体化性能。
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公开(公告)号：CN101298657A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810064609.X
申请日：2008-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种在TiNi合金表面制备类金刚石膜的方法，它涉及一种在合金表面制备类金刚石膜的方法。本发明解决了现有TiNi合金表面的防腐膜存在容易脱落及难以在TiNi合金基体表面制备类金刚石膜的问题。本发明在TiNi合金表面制备类金刚石膜的方法按如下步骤进行：一、将TiNi合金基体表面均进行机械抛光，再以超声波振荡清洗，晾干后立即放入真空室；二、用碳阴极电弧在石墨靶表面移动，控制脉冲电压和工作气压；即在TiNi合金表面形成DLC膜。本发明在TiNi合金表面制备的类金刚石膜与基体的结合力高。
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公开(公告)号：CN101254941A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810064236.6
申请日：2008-04-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G11/02
Abstract: 一种无机分子簇单源前体合成CdS纳米线的方法，它涉及一种无机分子簇单源前体合成CdS纳米线的方法。它解决了现有CdS纳米线制备方法需要大型设备、制备温度高、后续处理工艺繁琐、纳米线容易被污染或损伤性能、尺寸和形貌难于控制或者工艺条件苛刻，难于操作，难以工业化大规模实施的问题。制备方法：一、将十六烷基胺真空脱气；二、降低温度、在氮气氛条件下将(Me4N)4[S4Cd10(SPh)16]加入，然后升温、并保温反应；三、降低混合物温度；四、分离、沉淀、干燥。本发明直接用无机分子簇单源前体合成CdS纳米线方法无需大型设备，操作安全、简便、易行、且成本低，便于控制CdS纳米线的尺寸、形貌和性能，易于工业化大规模生产，可重复性好，可一次性进行大剂量CdS纳米线的制备。
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公开(公告)号：CN101235459A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810064044.5
申请日：2008-02-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多晶Ni－Mn－Ga－RE合金及其制备方法，它涉及一种Ni－Mn－Ga铁磁形状记忆合金及其制备方法。本发明解决了现有Ni－Mn－Ga合金的强度低、脆性大、可加工性能差的问题。本发明产品的结构通式为Ni50Mn29Ga21－XREX，其中0＜X≤5，RE表示稀土元素，RE为镝、钆或钇；它的制备方法如下：将电解镍、电解锰、镓和RE按分子式的化学计量比放入熔炼室中，在1500℃～1700℃、纯度为99.999％氩气保护气氛下熔炼10～15分钟，翻转合金块重复上述操作四至六次；然后经机械抛光去除表面杂质，再用丙酮清洗三至四次后封入真空度为10－1Pa～10－2Pa的石英管中，在750～850℃条件下保温20～24小时进行均匀化处理，尔后在水中淬火。与Ni－Mn－Ga合金相比，本发明产品的强度高、脆性小、便于加工。本发明方法的工艺简单，便于操作。
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