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公开(公告)号：CN104388904A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410752127.9
申请日：2014-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法，本发明涉及薄膜的制备方法。本发明要解决现有Ti-Ta合金薄膜单靶溅射工序复杂、效率低的问题。方法：取Ta靶及对Ti靶进行扇形镂空处理，将Ta靶置于镂空处理后的Ti靶底部，得到复合靶材，将复合靶材装入单室磁控溅射仪的靶位上，将衬底固定在样品托上，然后抽真空，通入氩气，利用直流磁控溅射，以复合靶材作为阴极进行沉积，即得到Ti-Ta高温记忆合金薄膜。本发明用于一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法。
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