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公开(公告)号：CN111735849B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202010591847.7
申请日：2020-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 一种电路板焊点质量的阀值筛选法和红外检测法，属于印刷电路板焊点质量无损检测技术领域，具体方案如下：一种电路板焊点质量的阀值筛选法，包括以下步骤：步骤一、标准焊点样本筛选；步骤二、不同缺陷程度的标准缺陷焊点制作；步骤三、不同缺陷程度的标准缺陷焊点的温升峰值标定；步骤四、设定阀值。一种电路板焊点质量的红外检测法，当待测焊点的温度峰值小于等于设定的阀值时判定为合格焊点，当其超过设定阀值时则判定为不合格焊点。本发明所述的电路板焊点质量的红外检测法利用设定好的阀值检测焊点内部是否有缺陷以及缺陷的程度，具有判别简单、高效的优点，易于实现检测过程的自动化和智能化。
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公开(公告)号：CN113584547B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110915225.X
申请日：2021-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微纳米金属颗粒表面镀层的制备方法，属于表面工程领域。所述方法如下：选择并配置电镀的镀液，选择待电镀的微纳米金属颗粒，对所选择的微纳米金属颗粒去除表面氧化膜，与弱酸性的镀液混合加入到电镀槽中，在电镀槽中加入磁转子搅拌电镀液，使微纳米金属颗粒均匀分散镀液中，并且搅拌在电镀过程中不停止，打开微泵电源，使电镀液在微管中稳定循环，打开电镀电源，进行电镀，经过一定时间后电镀完成，将电镀后的镀液离心干燥，得到有良好镀层的微纳米金属颗粒。本发明可以应用于倒装芯片键合与球栅阵列封装等电子封装领域的焊球，具有电阻低、传递信号能力强、抗电迁移能力和抗蠕变能力强等优点。
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公开(公告)号：CN112114169B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010866749.X
申请日：2020-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种用于微区电化学测试的双电解池装置及其使用方法，装置包括充氢机构、微区电化学测试机构和集气机构，充氢机构包括充氢池、观察镜、入液口、顶板、充氢孔、辅助电极、参比电极、下密封圈、上密封圈，在下密封圈与上密封圈之间安装有试样，在充氢池内装有充氢溶液，充氢溶液与试样下表面接触；微区电化学测试机构包括电化学工作站、检测池、检测孔、微型参比电极和铂电极探针；检测池固定在顶板上，检测池的充氢孔与检测池的检测孔正对布置；试样充氢时集气机构排出试样下表面的气泡。本发明采用双电解池结构，简化实验样品制备和安装流程，实现对试样进行充氢及原位微区电化学测试，拓展扫描电化学显微镜在氢渗透研究领域的应用。
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公开(公告)号：CN110446336A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910860066.0
申请日：2019-09-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金属纳米墨水的原位电还原反应连接方法及其在印刷电子器件中的应用，涉及印刷电子技术领域。一种金属纳米墨水的原位电还原反应连接方法，包括以下步骤：步骤一：将金属盐溶解在溶剂中得到溶液A，将金属纳米导电材料加入溶液A中得到溶液B，将表面活性剂加入溶液B中得到溶液C，将溶液C加热配制成金属纳米墨水；步骤二：在外加电场的作用下，使金属纳米墨水带有正电荷，将金属纳米墨水滴加在带有负电荷的待印刷的基底上，金属纳米墨水中的金属离子被还原成原子，沉积在金属纳米导电材料的表面实现金属纳米导电材料之间的连接；本发明可在大气环境下实现印刷图案的连接，对原有的印刷设备进行简单改装就能实现上述功能，工艺兼容性强。
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公开(公告)号：CN104741821B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510181770.5
申请日：2015-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/26 , B23K35/363 , B23K35/14
Abstract: 本发明公开了一种用于电子模块高温封装微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏及其制备方法，所述微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏按质量比由铜锡微纳米颗粒80~90、分散剂2~8、助焊剂2~8、触变剂2~8制成，采用直接液相多元顺序可控还原方法顺序还原出微纳米铜、微纳米锡，同时实现微纳米铜锡颗粒的高度均匀化混合，将制备得到的混装铜锡微纳米颗粒与分散剂、助焊剂、触变剂等混合，通过混装分散工艺制成焊膏。本发明采用直接液相多元顺序可控还原方法制备微纳米铜颗粒，在含有铜颗粒的反应液中直接二次制备微纳米锡颗粒的方法制备微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏，具有方法简单，生产效率高，工艺适用范围广，焊膏铜锡可控，与传统封装工艺匹配的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105081500A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510553532.2
申请日：2015-09-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B23K1/19 , B23K1/20 , B32B15/00 , B32B17/061 , B32B38/00 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/5886
Abstract: 本发明公开了一种采用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法，其步骤如下：步骤一：在基板表面制备种子层；步骤二：在种子层表面继续制备金属薄膜；步骤三：在金属薄膜表面制备Sn膜；步骤四：加热上述基板及双层薄膜，制备出金属间化合物薄膜；步骤五：将金属间化合物薄膜分别转移到芯片、基板焊盘表面；步骤六：在金属间化合物薄膜表面镀Sn薄膜；步骤七：将焊盘对接，施加压力，放入回流炉中，经历预热、保温、再流、冷却阶段。本发明大大缩短可用于高温封装互连的金属间化合物焊点的制备时间，并实现对后续生长金属间化合物的晶粒取向和数量的控制，达到金属间化合物焊点快速制备、微观组织可控的目的。
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公开(公告)号：CN103985651A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410198471.8
申请日：2014-05-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/603 , B81C3/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种低温快速连接活化金属表面与微纳米连接材料的方法，涉及一种纳米微连接的方法。本发明要解决现有微连接技术连接时间长、连接温度高以及界面有缺陷的问题。本发明方法：一、选择基板材料；二、制备金属微纳米结构；三、选择微纳米连接材料；四、进行键合。相比传统的熔融焊接明显提高连接效率，缩短连接时间，降低连接工艺温度，无需助焊剂，键合残余应力低，界面微孔洞等缺陷少，而且工艺流程简单、耗时短。本发明用于低温快速连接活化金属表面与微纳米连接材料。
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公开(公告)号：CN118961337A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411071695.2
申请日：2024-08-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N1/28 , G01N23/203
Abstract: 一种用于7系铝合金材料高标定率的EBSD试样制备方法，涉及一种铝合金材料高标定率的EBSD试样制备方法。本发明是要解决现有的7系铝合金EBSD试样在制备过程中没有普适的电解抛光工艺，且样品表面易出现腐蚀坑，严重影响衍射花样产生的技术问题。本发明在机械抛光的基础上进一步采用SiO2溶胶抛光，可以去除样品表面在机械磨光过程中产生的应力层，有利于在EBSD测试时产生强的菊池花样；SiO2溶胶可以对不同硬度的组织和析出相进行抛光，从而使样品表面更加平滑，缓解机械抛光过程中硬质第二相对铝基体的挤压变形作用，进一步提升EBSD的成像质量，便于7系铝合金在制备加工热处理过程中微观组织和织构的研究和分析。
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公开(公告)号：CN117564542A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311614432.7
申请日：2023-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种Ag‑Cu@Pd钎料预制片及其制备方法和应用，属于电子封装微互联技术领域，所述Ag‑Cu@Pd钎料预制片由微米Cu@Pd核壳颗粒和纳米Ag颗粒组成，不含其他组分，所述微米Cu@Pd核壳颗粒与纳米Ag颗粒的质量百分比为65％～80％:20％～35％。本发明将Ag‑Cu@Pd钎料制成预制片，Pd元素的加入可以显著提高Cu的高温抗氧化性，改善Ag的电迁移和离子迁移问题。此外，预制片避免了有机物溶剂挥发过程造成的孔隙率升高，增加合金量使得焊点强化。预制片易于制成特定形状和尺寸，方便拾取和快速放置，在低温低压条件下实现芯片与基板互连，可以在产业化大批量生产中发挥巨大优势。
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公开(公告)号：CN117381232A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311457249.0
申请日：2023-11-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微米Cu@Pd核壳与纳米Ag复合焊膏及其制备方法和应用，所述工艺包括如下步骤：步骤一：微米Cu@Pd核壳颗粒的制备；步骤二：纳米Ag颗粒的制备；步骤三：复合焊膏制备；步骤四：基板的处理；步骤五：焊膏的涂覆；步骤六：热压烧结。本发明采用Cu@Pd微米核壳颗粒代替银纳米焊膏和铜纳米焊膏，解决了银纳米焊膏的电迁移和离子迁移、铜纳米焊膏易氧化的问题，同时钯与铜、银分别可以形成无限固溶体，解决了混合焊膏压力烧结时银壳从铜核上剥离，从而产生大量氧化的问题。
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