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公开(公告)号：CN118951194A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411278179.7
申请日：2024-09-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/00 , B23K1/20 , B23K35/02 , B23K35/40 , B23K3/04 , B23K3/08 , B23K103/18 , B23K103/00
Abstract: 一种用于氮化硅陶瓷/镍基高温合金的部分瞬时液相连接方法，涉及一种氮化硅陶瓷/镍基高温合金的连接方法。本发明是要解决现有的氮化硅陶瓷/镍基高温合金接头强度低的技术问题。本发明旨在获得界面良好的氮化硅陶瓷‑高温镍基合金接头，采用复合钎料部分瞬时液相连接，获得耐高温的接头，接头无明显的微裂纹，进一步减低焊缝的热膨胀，力学性能良好。本发明通过对碳纤维粉末表面进行覆铜处理，避免复合钎料中的活性元素Ti直接与碳纤维粉末反应，阻碍了活性元素Ti与陶瓷的反应，进而得到含有较高碳纤维体积分数的连接接头，最高的体积分数可达25％；获得的接头无明显微裂纹，在800℃的测试高温下剪切强度可以达到88MPa。
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公开(公告)号：CN116532740B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202310697605.X
申请日：2023-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/00 , B23K103/00 , B23K103/14
Abstract: 一种用金属与玻璃钎料分步钎焊氟化镁陶瓷与钛合金的方法，涉及一种钎焊氟化镁陶瓷与钛合金的方法。本发明是要解决氟化镁陶瓷由于F‑Mg键能大，采用活性钎料难以润湿，导致接头的室温剪切强度低的技术问题。本发明采用金属钎焊与玻璃钎焊分步连接技术，选用Ni基高温合金作为中间过渡层，在母材氟化镁陶瓷与Ni基高温合金中间层之间选用玻璃钎料，在Ni基高温合金中间层与钛合金之间选择金属钎料，上述两个界面所使用的钎料的熔化温度差超过100℃，因此本发明采用两步焊接工艺。本发明为氟化镁陶瓷在光学窗口的应用提供了技术支持。
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公开(公告)号：CN114888388A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210697897.2
申请日：2022-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K35/24 , B23K103/18
Abstract: 一种钎焊钛合金与镍基高温合金的方法，涉及一种钎焊异种合金的方法。本发明是要解决现有的TA15钛合金与K4648镍基高温合金的钎焊连接方法所得到的焊接接头室温力学性能差的技术问题。本发明以TiZrCuNi钎料为基，再通过球磨混粉的方法在其中添加增韧纳米Nb颗粒。由Ti‑Nb的二元相图可知，Ti和Nb完全固溶，因此加入的增韧纳米Nb颗粒和钎料具有很好的相容性。采用本发明的TiZrCuNi/Nb复合钎料对TA15钛合金与K4648镍基高温合金均实现了成功连接，当在890℃的钎焊温度条件下保温10min，钎料成分为TiZrCuNi/10wt.％Nbnp时，室温剪切强度达到111.2MPa。
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公开(公告)号：CN114315157A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111662248.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化钙/氧化铝基焊料连接碳化硅陶瓷的方法，涉及一种连接碳化硅陶瓷的方法。本发明是要解决目前核反应堆中燃料包壳材料SiC陶瓷连接技术接头组织和性能稳定性差的技术问题。本发明设计了CaO/Al2O3(CA)基微晶玻璃焊料，在应用于核辐照环境下SiC连接技术中，成分简单，性能稳定的CaO/Al2O3基玻璃焊料具有应用前景。在CaO/Al2O3玻璃焊料的基础上加入适当的耐辐照性能优越的SiC粉末，以降低该焊料的热膨胀系数，使之与SiC陶瓷的热膨胀系数相匹配，可以形成更为优秀的耐辐照接头。
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公开(公告)号：CN113654455A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202111069353.3
申请日：2021-09-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 一种测试材料应变的方法，涉及材料磁致应变测试技术领域。本发明是为了解决PPMS现有的磁致应变测量方法存在测试方向受限、应变值误差较大、样品质量要求高的问题。本发明在待测样品上设置应变片；调整待测样品所在磁场，并利用PPMS测量应变片在测试磁场范围内的电阻值，将测试磁场范围内的每个电阻值分别与初始电阻作差，获得电阻变化值，根据电阻变化值计算待测样品的磁致应变量；调整待测样品所在空间的温度，并利用PPMS测量应变片在测试温度范围内的电阻值，将测试温度范围内的每个电阻值分别与初始电阻作差，获得电阻变化值，根据电阻变化值计算待测样品的温致应变量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113000960A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110286972.1
申请日：2021-03-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种陶瓷天线罩与金属连接环的连接方法，涉及一种陶瓷与金属的连接方法。本发明是要解决目前多孔氮化硅陶瓷/Invar合金天线罩接头残余应力较高的技术问题。本发明通过天线罩的结构设计解决了目前多孔氮化硅陶瓷/Invar合金天线罩接头残余应力较高的问题，使环形天线罩连接后无明显微裂纹。本发明的中间连接层的设计，其由上层钎料、软性中间层和下层钎料组成。其中上层钎料为AgCuTi钎料箔；软性中间层为Cu泡沫、Cu瓦楞或泡沫镍；下层钎料为AgCu钎料箔。本发明应用于焊接领域。
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公开(公告)号：CN108640522B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201810602753.8
申请日：2018-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微晶玻璃焊料及利用该焊料焊接多孔氮化硅和致密氮化硅的方法，涉及一种焊料及利用该焊料焊接致密Si3N4陶瓷和多孔Si3N4陶瓷的方法。是要解决现有的普通微晶玻璃焊料与多孔氮化硅陶瓷和致密氮化硅陶瓷的热膨胀系数不匹配的问题。该微晶玻璃焊料由CaO、Al2O3、SiO2和Li2O制成。方法：一、微晶玻璃焊料的制备；二、焊接致密Si3N4陶瓷和多孔Si3N4陶瓷。以析出钙长石为主晶相的CaO‑Al2O3‑SiO2体系，向其中加入Li2O降低其熔化温度，并通过析出低热膨胀系数的锂辉石来降低其热膨胀系数，达到与母材的热膨胀系数相匹配。应用于致密Si3N4陶瓷和多孔Si3N4陶瓷的连接。
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公开(公告)号：CN107433401A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710908531.4
申请日：2017-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种使用Al基钎料钎焊Ti2AlC陶瓷的方法，它涉及一种用Al基钎料钎焊Ti2AlC陶瓷的方法。本发明是为了解决现有电接触构件寿命较短的技术问题。本方法：一、制备钎料；二、装配成Ti2AlC陶瓷/钎料/Ti2AlC陶瓷结构件，然后装入真空钎焊炉中，抽真空至6.0×10-3Pa，先以10℃/min的升温速度升至300℃，保温30min，再以10℃/min的升温速度升温至660℃～900℃，然后在0.2～1.0MPa的压力下保温5～30min，再以10℃/min的降温速度降至300℃，随炉冷却，即完成使用Al基钎料钎焊Ti2AlC陶瓷。采用本发明的方法可以获得力学性能优异的接头,接头剪切强度为70～120MPa,电导率为3.73～4.18×106S/m，达到Ti2AlC陶瓷电导率的94％以上。
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公开(公告)号：CN102731135A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210221971.X
申请日：2012-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 一种以β-sialon陶瓷-玻璃为中间层的氮化硅陶瓷接头及其制备方法，它涉及一种氮化硅陶瓷接头及其制备方法。本发明要解决氮化硅陶瓷连接过程中由于陶瓷母材与焊料物理化学相容性差导致接头残余应力大的问题。本发明氮化硅陶瓷接头的中间层由β-sialon陶瓷相和玻璃相组成。方法：一、将Si3N4、AlN、SiO2、Al2O3和金属元素M的氧化物经湿混、烘干得混合粉末；二、将混合粉末压实夹在两块待接氮化硅陶瓷表面或用少量无水乙醇混合制成均匀糊状后涂覆在两块对接的氮化硅陶瓷表面，置于石墨夹具，在热压炉中加热并施加压力，即得。本发明的氮化硅陶瓷接头工艺简单、成本低、效率高、重复性好。应用于化工、冶金等领域。
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公开(公告)号：CN120002115A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510262329.3
申请日：2025-03-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用Si‑Zr+xCf高温钎料钎焊SiCf/SiC复合材料的方法，涉及一种钎焊SiCf/SiC复合材料的方法。本发明是要解决目前SiCf/SiC复合材料的高温钎焊强度不高的技术问题。本发明在Si‑10Zr共晶钎料的基础上设计了一种高温低成本的Si‑Zr+xCf高温钎料，并采用该钎料实现SiCf/SiC复合材料的高温可靠连接；本发明的Si‑Zr+xCf高温钎料与SiCf/SiC复合材料具有良好润湿性的优异特征，得到的接头结合强度可靠，接头的室温抗剪切强度达到57MPa，1200℃的高温抗剪强度达到60MPa，接头可靠性强。
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