-
公开(公告)号:CN105502142B
公开(公告)日:2017-07-14
申请号:CN201510410156.1
申请日:2015-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 , 哈尔滨工业大学
IPC: B66C1/10
Abstract: 本发明公开了一种精密定位与柔性对接系统,包括吊臂,吊臂通过滑轮系统设有钢绳;与钢绳下端连接的夹具臂;可转动地安装在夹具臂一端的夹具头;撑杆和撑台构成的随动支撑结构,撑杆下端铰接在夹具臂上;悬摆内圈和悬摆外圈,钢绳穿过悬摆内圈,悬摆外圈固定在撑台一端;悬摆调平机构,该悬摆调平机构一端铰接在悬摆内圈上端,另一端与吊臂固定。本发明通过撑杆和撑台组成的随动支撑结构与吊钩共同作用,确保夹具头和夹具臂始终处于双吊点柔性悬挂状态,使大口径光机模块安装过程具有柔顺性,并通过调平结构使大口径光机模块在安装过程中始终保持静力平衡状态,通过空间姿态调整,实现大口径光机模块的空间精密定位,并与安装位之间进行柔性对接。
-
公开(公告)号:CN101327955A
公开(公告)日:2008-12-24
申请号:CN200810064785.3
申请日:2008-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法,它涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。它解决了现有技术制备的掺杂Fe的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、MgO和HfO2制成。方法:一、称取所需成分;二、烧结;三、采用提拉法生长晶体;四、极化处理,即得Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素Mg、Hf和Fe,在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上,明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力,缩短了响应时间。
-
公开(公告)号:CN1664175A
公开(公告)日:2005-09-07
申请号:CN200410044154.7
申请日:2004-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 晶体的可视小角度倾斜区熔生长装置及其生长方法,涉及一种晶体材料的生长装置及其生长方法。现有的生长装置及生长方法存在着结晶体成分沿生长方向不一致的弊端。本发明的生长装置在第二层石英管1-2内第一加热线圈4-1的外部设有第二加热线圈4-2,所述第三层石英管1-3同时与传动装置5连接。本发明的生长方法为,第一加热线圈4-1加热后构成基础温区,第二加热线圈4-2加热后构成高温区,原料与籽晶的接触处处于高温区至熔化后,传动装置5带动石英管及其内部的加热线圈向生长船内的“原料”一端移动,原料依次通过高温区熔化后定向凝固,得到晶体。用本发明装置及方法生长的晶体可以定向生长且晶体组成沿长生方向均匀一致,利于推广应用。
-
公开(公告)号:CN107377550B
公开(公告)日:2020-09-11
申请号:CN201710641122.2
申请日:2017-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种火箭贮箱结构的自动化清洗设备,属于机械工程领域的细长罐体结构的洁净与清洗。该自动化清洗设备包括清洗头,自转机构,进给机构,水平伸缩机构,回转机构,竖直伸缩机构,底架;其中:底架上方固定有竖直伸缩机构;竖直伸缩机构的伸缩端固定有回转机构;回转机构顶端固定有水平伸缩机构,用于驱动水平伸缩机构在水平平面内做360°转动;水平伸缩机构的伸缩端与进给机构连接;进给机构的伸缩端与自转机构连接,用于驱动自转机构沿竖直方向往复运动;自转机构的底端与清洗头相连,用于驱动清洗头进行转动。本发明清洗设备可以实现对内壁进行全高度、全方位的清洗。本发明尤其适用于对火箭贮箱内多余物的高效率高质量的清洗。
-
公开(公告)号:CN108471041A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201810300994.7
申请日:2018-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于工程激光器谐振腔镜片精密调节及固定的辅助装置及方法,所述辅助装置包括用于安装谐振腔镜片的结构件、套筒、调整架、接杆、万向杆架和磁力座,其中:所述套筒的一端与结构件螺纹连接,另一端固定在调整架上;所述调整架固定在万向杆架上;所述万向杆架套装在接杆上;所述接杆的下端固定在磁力座上。本发明利用紫外胶将镜片固化粘在结构件上,再利用辅助装置实现谐振腔镜片角度的精密调节,使激光器输出达到最佳化,最后再次利用紫外胶将辅助结构件与待调试激光器谐振腔架固化粘在一起,撤掉辅助装置,镜片调节固定完毕。本发明解决了激光器谐振腔镜片精密调节困难的问题,实现了谐振腔镜片的精密调节和高稳定性。
-
公开(公告)号:CN101328613B
公开(公告)日:2011-03-23
申请号:CN200810064778.3
申请日:2008-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料的制备方法,它涉及一种铌酸锂晶体上转换材料的制备方法。它解决了现有技术制备的Er掺杂铌酸锂晶体上转换材料存在发光强度不高的问题。本发明光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料由Li2CO3、Nb2O5、ZnO和Er2O3制成。方法:一、称取所需成分;二、烧结;三、采用提拉法生长晶体;四、极化处理,即得光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料。本发明在Er掺杂铌酸锂晶体中掺杂元素Zn,使其上转换机制由双光子过程改变为光子雪崩机制,明显提高了铌酸锂晶体上转换材料的发光强度。
-
公开(公告)号:CN101328614A
公开(公告)日:2008-12-24
申请号:CN200810064784.9
申请日:2008-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料及其制备方法,它涉及一种钨酸铅晶体上转换材料及其制备方法。它解决了现有技术制备的Er掺杂钨酸铅晶体上转换材料的发光强度低的问题。本发明Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料由WO3、PbO、Er2O3和Yb2O3制成。方法:1.称取所需成分;2.烧结;3.采用提拉法生长晶体,即得Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料。本发明在Er掺杂钨酸铅晶体上转换材料中掺杂元素镱(Yb),在保留Er掺杂钨酸铅晶体原有优良性能的基础上,提高了Er掺杂钨酸铅晶体的绿光波段发光强度近三倍。
-
-
-
-
-
-