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公开(公告)号：CN115128423B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210762660.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种重离子辐照影响β‑Ga2O3MOSFET器件电化学性能的方法，包括：将外延层中掺杂施主Si元素的β‑Ga2O3在室温条件下进行不同注量的重离子辐照；检测重离子辐照前后β‑Ga2O3外延晶片的单斜结构、弯曲振动、拉伸模式光学性质和化学结合状态；对步骤S2中得到的实验数据进行总结，得出重离子辐照β‑Ga2O3外延晶片后产生的点缺陷；将步骤S3中产生的点缺陷引入β‑Ga2O3MOSFET模型中，输出模拟电学性能曲线。本发明通过将β‑Ga2O3外延晶片的辐照研究与β‑Ga2O3MOSFET器件的模拟研究进行结合，对β‑Ga2O3MOSFET器件抗辐射机理研究产生了显著的效果。
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公开(公告)号：CN115064229B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210762584.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，涉及计算机模拟材料计算相关技术领域，包括如下步骤：步骤S1：将SiC原胞的晶格常数调整为实验值后，利用vasp软件对SiC原胞进行结构优化和弛豫，得到稳定态的SiC原胞；步骤S2：选取K点进行能带计算，基于杂化密度泛函测试不同混合参数下SiC原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值相匹配的混合参数；杂化密度泛函包括HSE泛函和PBE泛函；步骤S3：将SiC原胞扩大成超胞，在超胞中构建缺陷模型，对缺陷模型进行结构优化后，利用混合参数对优化后的缺陷模型进行自洽计算；步骤S4：获取计算数据，建立SiC缺陷性质数据库。本发明实现了对碳化硅单晶缺陷性质的精确计算。
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公开(公告)号：CN111864070B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010735693.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种二维材料异质结及其性能分析方法，以及所述异质结在半导体和光电能量转化方面的用途。所述二维材料异质结包括：包括Janus二维材料的第一二维材料；以及包括硅烯的第二二维材料；第一二维材料和第二二维材料纵向堆叠。本发明提供的异质结不仅可以利用不同材料自身的卓越性能，而且可以克服单一二维材料的缺陷，通过Janus二维材料与硅烯的相互作用，打开硅烯的带隙，使得二维材料的能量谱分布相对于构成其的两种组分的各自单独的性质发生明显改变。异质结的性能分析方法基于含时密度泛函理论和随机相位近似进行电子能量损失谱谱分析，步骤简单、易于操作，为基于打开带隙为目的的异质结设计提供快速的分析途径和有力支持。
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公开(公告)号：CN111863625B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010735167.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/423 , H01L21/425 , H01L21/428 , H01L21/477
Abstract: 本发明提供了一种单一材料PN异质结及其设计方法，涉及PN异质结材料设计技术领域，包括：将一种二维过渡金属硫化物中的部分原子替换成替代原子，二维过渡金属硫化物具有单一N型半导体性质或单一P型半导体性质；通过原子替换形成缺陷型二维过渡金属硫化物，所述缺陷型二维过渡金属硫化物的半导体性质发生转变，适于与未进行原子替换的二维过渡金属硫化物形成PN异质结。本发明通过替代原子的引入使得本征半导体二维材料出现晶格缺陷，引入了缺陷能级，将同一种材料通过原子替换形成具备P型半导体性质与N型半导体性质两种同晶格材料，并从能带分布中判断体系的多数载流子，为实现单一材料PN异质结提供了理论依据。
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公开(公告)号：CN115148312A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210778441.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供一种二维Janus材料的建模方法，包括：从材料数据库中导入MX2单胞，使用Y原子替换其中一侧的X原子，得到MXY单胞；将MXY单胞从六角单胞转化为矩形单胞，得到MXY矩形单胞；将MXY矩形单胞进行扩胞，并将其中一个超胞进行反转，然后将反转后的超胞沿着锯齿边和手扶椅边连接，分别形成含有锯齿边界的面内异质结和含有手扶椅边界的面内异质结；对其进行结构弛豫，即完成了二维Janus材料的建模。本发明通过该方法能够构建得到MXY反转异质结构，该反转异质结构与材料本身的面外非对称结构的特征相符，能够真实体现出二维Janus材料在悬空状态下的结构，能够为研究二维Janus材料提供合理的结构模型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111864070A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735693.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种二维材料异质结及其性能分析方法，以及所述异质结在半导体和光电能量转化方面的用途。所述二维材料异质结包括：包括Janus二维材料的第一二维材料；以及包括硅烯的第二二维材料；第一二维材料和第二二维材料纵向堆叠。本发明提供的异质结不仅可以利用不同材料自身的卓越性能，而且可以克服单一二维材料的缺陷，通过Janus二维材料与硅烯的相互作用，打开硅烯的带隙，使得二维材料的能量谱分布相对于构成其的两种组分的各自单独的性质发生明显改变。异质结的性能分析方法基于含时密度泛函理论和随机相位近似进行电子能量损失谱谱分析，步骤简单、易于操作，为基于打开带隙为目的的异质结设计提供快速的分析途径和有力支持。
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公开(公告)号：CN111863608A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735726.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L23/552 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子烧毁的大功率晶体管及其制备方法。所述大功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；对所述外延层进行氧化处理和光刻处理，形成注入窗口；通过所述注入窗口对所述外延层进行多次重金属离子注入，且后一次注入所述重金属离子形成的离子注入区位于前一次注入所述重金属离子形成的离子注入区的上方。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升晶体管的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证晶体管本身的高性能指标。另外，本发明与常规的晶体管的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN106137218B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201610614860.3
申请日：2016-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: A61B5/1455
Abstract: 本发明公开了一种非侵入红外复合吸收精测血糖变化的方法，所述方法首先根据葡萄糖分子振动和COMSOL模拟仿真结果确定复合探测源的选择波长；然后利用生物组织的选择性透过和血糖的特征吸收建立透射光强与糖浓度之间的数学关系，并利用人体测试部位的热辐射定标温度，为模型提供实时有效的动态参数，减小因待测个体和部位的差异而造成的误差；最后利用葡萄糖的手性旋光现象以垂直偏振的方式消除光强直流项，提高灵敏度，实现了动态修正的低浓度血糖的非侵入红外探测。
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公开(公告)号：CN115146517B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210778788.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F17/18 , G06F119/16
Abstract: 本发明提供了一种不同粒子位移等效性计算方法，属于空间环境分析技术领域。方法包括：S1、构建几何模型，选取辐射位移损伤敏感区，设置模拟参数，之后进行模拟辐射实验；S2、调用Track函数和Step函数，计算得到所有步粒子的非电离能量沉积和入射方向坐标；S3、判断输出步粒子的非电离能量沉积是否为零，如不为零，则输出该步粒子的非电离能量沉积和入射方向坐标数据；S4、将选定深度区间内的输出步粒子的数据进行累加，计算得到沿入射方向的NIEL深度分布曲线，对NIEL深度分布曲线进行归一化处理。本发明基于Geant4软件进行模拟试验，根据判断条件筛选出输出步粒子的非电离能量沉积和入射方向坐标数据，之后累加计算得到NIEL，可快速得到随深度变化的NIEL分布。
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公开(公告)号：CN115146413B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202210830004.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/14 , G06F113/14 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种二维褶皱材料纳米管性能分析方法，包括以下步骤：将不同宽度的二维褶皱材料分别沿两个周期方向卷曲，构建得到不同管径大小的扶手椅型二维褶皱纳米管和锯齿型二维褶皱纳米管，然后对其进行原子弛豫，获得稳定的结构；分别计算纳米管的能带和态密度；计算不同应力条件下纳米管的能带结构，分析其电学行为；计算纳米管的杨氏模量。本发明通过模拟计算方法使二维褶皱材料沿两个不同周期方向卷曲，构建得到扶手椅型二维褶皱纳米管和锯齿型二维褶皱纳米管，并通过第一性原理计算方法对构建得到的纳米管电学性质以及应变对其电学行为的调控进行了系统研究，能够了解不同二维褶皱纳米管的性能，为新材料的设计提供了思路。
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