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公开(公告)号：CN101838795A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010213894.4
申请日：2010-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 高功率复合脉冲磁控溅射离子注入与沉积方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决采用通过在工件上施加负高压脉冲的方法存在大颗粒；薄膜沉积效率低的问题。本发明方法包括：一、将工件置于真空室内的样品台上，工件接高压脉冲电源，磁控溅射靶源接磁控溅射电源，二、注入与沉积：待真空室内的真空度小于10-2Pa时，通入工作气体至0.01～10Pa，开启高压脉冲电源，并调节高压脉冲电源输出脉冲的电压值为0.5～100kV，脉冲频率为0～1000Hz，脉宽为0～500μs，开启磁控溅射电源，先通过直流起辉预离化，调节所需工艺参数，控制两个电源电压相位差为-1000～1000μs，进行离子注入与沉积。
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公开(公告)号：CN101649445A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910306400.4
申请日：2009-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 一种内电极移动式内表面等离子体离子注入方法，涉及一种等离子体材料表面改性方法。它解决了现有的内表面等离子体离子注入方法存在离子注入不均匀，以及待处理管筒的直径受限制的问题。它的方法是：一、采用等离子体源在真空室内产生等离子体，将待处理的管筒放置于所述真空室内，并对待处理的管筒施加高脉冲负偏压；二、将一根辅助阳极放置在待处理的管筒内，并将辅助阳极接地，所述辅助阳极与待处理的管筒之间产生电场，等离子体中的离子在电场作用下进入到待处理的管筒内部，并注入到待处理管筒的内表面上；三、使所述辅助阳极沿着待处理管筒的轴线运动，实现待处理管筒的整管内表面离子注入。本发明适用于处理内径较小的管筒内壁的离子注入。
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公开(公告)号：CN101365289A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810137235.X
申请日：2008-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的装置及方法，它涉及一种管筒内表面注入离子的方法及装置。本发明解决了在较细的管筒内产生等离子体困难的问题。装置是：空心阴极管(9)的一端设置在工件管筒(10)内，高压脉冲电源(7)的正极通过低通滤波器(6)连到空心阴极管(9)上，射频电源系统(3)通过匹配保护电路(4)连到空心阴极管(9)上；方法是：气体在射频脉冲的作用下在空心阴极管内产生等离子体，等离子体受到电场的作用，飞向工件管筒(10)内壁形成离子注入。本发明通过在工件管筒内放入空心阴极管，减小了被处理工件管筒的直径，并能容易建立等离子体，通过使空心阴极管处于脉冲正偏压，提高了工件管筒内表面离子注入效率。
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公开(公告)号：CN116219374B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202310182329.3
申请日：2023-03-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种提高管筒件内壁涂层表面光洁度和膜基结合强度的装置及方法，本发明为了解决管筒件内壁涂层表面光洁度差、膜基结合强度弱的问题。本发明提高管筒件内壁涂层表面光洁度和膜基结合强度的装置包括金属阴极弧源、磁场线圈、挡板、屏蔽罩、屏蔽挡板、阳极杆、辅助阳极、进气管、真空室、金属阴极弧直流电源、脉冲偏压电源和辅助阳极直流电源，管筒件置于真空室中。本发明采用弧增强辉光放电工艺，对管筒件内表面进行高密度等离子体刻蚀清洗及活化，也对涂层生长初期提供电子加热，可大幅度提高膜基结合强度。此外，正对金属阴极弧源的管口处加装屏蔽罩，可有效阻挡管口处外壁的成膜物质反溅射进入管内沉积，从而改善涂层表面的粗糙度及光洁度。
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公开(公告)号：CN118910606A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410973186.2
申请日：2024-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化铝陶瓷表面导电导热复合涂层的制备方法。属于材料表面工程技术领域。为了解决氧化铝陶瓷导电导热性能不佳的问题和氧化铝陶瓷表面制备金属涂层热膨胀系数不匹配的问题，本发明通过低能球磨和高压冷喷涂技术，使用氧化铝粉末和铝粉末在氧化铝陶瓷表面制备出具有优异导电导热性能的复合涂层。制备方法包括：将氧化铝粉末和铝粉末按一定比例混合后低能球磨得到混合粉末；采用高压冷喷涂技术将混合粉末喷涂在氧化铝陶瓷上形成过渡涂层；再在过渡涂层上喷涂纯铝粉末形成复合涂层。本发明制备方法具有效率高和简单易操作等优点，制得的复合涂层能赋予了氧化铝陶瓷表面良好的导电能力和导热能力，拓宽氧化铝陶瓷应用领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118326390A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410441183.4
申请日：2024-04-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种低缺陷SiCp增强铝基复合涂层的冷喷涂制备方法，本发明涉及材料表面工程技术领域，特别是一种低缺陷SiCp增强铝基复合涂层的冷喷涂制备方法。本发明是为了解决现有冷喷涂制备SiCp/Al复合涂层方法中复合涂层空隙，未结合边界及SiCp破裂回弹等现象，降低了涂层的力学性能及沉积效率等问题。方法：采用等离子喷涂和冷喷涂同步喷涂到铝合金基材。通过等离子喷涂的熔融液滴携带并传递热量软化涂层，减少SiC颗粒沉积时的破碎，弹飞，增加涂层沉积效率；熔融液滴散发热量促进复合涂层中颗粒界面元素扩散，消除未结合边界及边界形成的空隙缺陷。如此实现了低缺陷复合涂层的制备，增强了涂层中颗粒间结合。
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公开(公告)号：CN115627457B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202211006452.1
申请日：2022-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种铜表面DLC膜层制备方法，本发明涉及一种铜表面DLC膜层制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术中铜基体表面沉积DLC膜层结合力差、耐腐蚀性差的问题。本发明通过在铜基体表面引入适量的氧元素，采用高压脉冲的电离氧气，获得高能氧离子，轰击铜基体表面，达到氧注入铜基体和活化铜表面形成适量的氧化铜的效果。之后，进行氧与四甲基硅烷混合气体放电，沉积打底层，目的为了形成Cu‑O‑Si网链结构，提高了Cu与类金刚石膜层之间的结合力。本发明应用于DLC膜层制备领域。
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公开(公告)号：CN115627457A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211006452.1
申请日：2022-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种铜表面DLC膜层制备方法，本发明涉及一种铜表面DLC膜层制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术中铜基体表面沉积DLC膜层结合力差、耐腐蚀性差的问题。本发明通过在铜基体表面引入适量的氧元素，采用高压脉冲的电离氧气，获得高能氧离子，轰击铜基体表面，达到氧注入铜基体和活化铜表面形成适量的氧化铜的效果。之后，进行氧与四甲基硅烷混合气体放电，沉积打底层，目的为了形成Cu‑O‑Si网链结构，提高了Cu与类金刚石膜层之间的结合力。本发明应用于DLC膜层制备领域。
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公开(公告)号：CN114855136A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210499768.2
申请日：2022-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用可变磁控靶磁场调控薄膜结构和成分的镀膜系统及镀膜方法，属于磁控溅射薄膜沉积技术领域，本发明为解决现有技术针对不同成分和结构的复合薄膜制备工艺存在膜层成分和结构调控过程较为复杂的问题。它包括：将待镀件置于真空腔内，变化的靶头内部磁场使得待镀件获得不同结构和成分的薄膜；改变靶头内部磁场包括两种方式：方式一、靶头永磁铁相对靶材进行移动；方式二、将靶头永磁铁替换为电磁铁，或将靶头永磁铁替换为混合使用永磁铁与电磁铁，改变电磁铁的磁场强度；不同结构和成分的薄膜包括：成分或结构周期性变化的多层膜、梯度变化的梯度膜和特定成分变化的薄膜。本发明用于制备复合薄膜。
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公开(公告)号：CN110129742B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201910548524.7
申请日：2019-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超硬强韧TiSiCN硬质涂层的制备方法，它涉及一种超硬强韧TiSiCN硬质涂层的制备方法。本发明的目的是为了解决现有多弧工艺中加入TMS后，弧靶很容易中毒，导致放电不稳定、偏流降低，膜层质量不好的问题，本发明以氮气和由含碳、硅元素的有机硅为反应气体，经过基体的清洗干燥、离子增强辉光刻蚀、沉积过渡层、将TiSiCN涂层沉积于基体表面。本发明涂层具有高硬度以及优异的断裂韧性，克服了涂层硬度高但韧性不足的问题，膜的硬度高达47.1GPa，压痕韧性5.22MPa·m1/2。本发明应用于硬质涂层技术领域。
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