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公开(公告)号：CN110129742A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910548524.7
申请日：2019-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超硬强韧TiSiCN硬质涂层的制备方法，它涉及一种超硬强韧TiSiCN硬质涂层的制备方法。本发明的目的是为了解决现有多弧工艺中加入TMS后，弧靶很容易中毒，导致放电不稳定、偏流降低，膜层质量不好的问题，本发明以氮气和由含碳、硅元素的有机硅为反应气体，经过基体的清洗干燥、离子增强辉光刻蚀、沉积过渡层、将TiSiCN涂层沉积于基体表面。本发明涂层具有高硬度以及优异的断裂韧性，克服了涂层硬度高但韧性不足的问题，膜的硬度高达47.1GPa，压痕韧性5.22MPa·m1/2。本发明应用于硬质涂层技术领域。
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公开(公告)号：CN110205597A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910628957.3
申请日：2019-07-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法，属于材料制造技术领域，本发明为解决现有双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法中正向脉冲对负向脉冲所产生的离子的推动加速作用效率低的问题。本发明维持真空室的真空度为0.1～5.5Pa，开启多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源，对待镀样品进行薄膜沉积5～240min，多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源将双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源的单负向脉冲拆分为两段，分别为负向1脉冲和负向2脉冲，在负向1脉冲后施加正向1脉冲，在负向2脉冲后施加正向2脉冲，在负向1脉冲和正向1脉冲之间施加负向1高脉冲，在负向2脉冲和正向2脉冲之间施加负向2高脉冲。本发明用于磁控溅射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114855136A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210499768.2
申请日：2022-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用可变磁控靶磁场调控薄膜结构和成分的镀膜系统及镀膜方法，属于磁控溅射薄膜沉积技术领域，本发明为解决现有技术针对不同成分和结构的复合薄膜制备工艺存在膜层成分和结构调控过程较为复杂的问题。它包括：将待镀件置于真空腔内，变化的靶头内部磁场使得待镀件获得不同结构和成分的薄膜；改变靶头内部磁场包括两种方式：方式一、靶头永磁铁相对靶材进行移动；方式二、将靶头永磁铁替换为电磁铁，或将靶头永磁铁替换为混合使用永磁铁与电磁铁，改变电磁铁的磁场强度；不同结构和成分的薄膜包括：成分或结构周期性变化的多层膜、梯度变化的梯度膜和特定成分变化的薄膜。本发明用于制备复合薄膜。
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公开(公告)号：CN110129742B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201910548524.7
申请日：2019-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超硬强韧TiSiCN硬质涂层的制备方法，它涉及一种超硬强韧TiSiCN硬质涂层的制备方法。本发明的目的是为了解决现有多弧工艺中加入TMS后，弧靶很容易中毒，导致放电不稳定、偏流降低，膜层质量不好的问题，本发明以氮气和由含碳、硅元素的有机硅为反应气体，经过基体的清洗干燥、离子增强辉光刻蚀、沉积过渡层、将TiSiCN涂层沉积于基体表面。本发明涂层具有高硬度以及优异的断裂韧性，克服了涂层硬度高但韧性不足的问题，膜的硬度高达47.1GPa，压痕韧性5.22MPa·m1/2。本发明应用于硬质涂层技术领域。
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公开(公告)号：CN113388807A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110655311.1
申请日：2021-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种优化管内壁镀膜的镀膜装置及基于该装置的镀膜方法，属于管件内壁薄膜沉积技术领域，本发明为解决现有管筒件内壁镀膜工艺等离子体进入管筒件内部距离较短、等离子体密度低的问题。平面等离子体阴极靶头和辅助阳极装置分别置于管筒件的管头和管尾侧，并均与管筒件的端口正对，励磁线圈安装在平面等离子体阴极靶头后方；平面等离子体阴极靶头、励磁线圈、辅助阳极装置和管筒件的等轴；励磁线圈连接有线圈电源，通过励磁线圈产生的磁场对等离子体进行聚焦，推动等离子体进入管筒件内部；辅助阳极装置连接有电源，吸引电子向辅助阳极装置侧运动，使等离子体进入管筒件内部深处。本发明用于对管筒件内壁进行镀膜。
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公开(公告)号：CN113373417A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110656600.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 阴阳极双靶头优化管内壁镀膜的镀膜装置及其镀膜方法，属于管件内壁薄膜沉积技术领域，本发明为解决现有管筒件内壁镀膜工艺等离子体进入管筒件内部距离较短、等离子体密度低的问题。它包括：两个平面等离子体靶头分别置于管筒件的管头和管尾侧，并均与管筒件的端口正对；两个平面等离子体靶头、两个励磁线圈和管筒件等轴；两个平面等离子体靶头连接在同一个靶电源上或分别连接两个靶电源；连接在同一个靶电源上时，交替作为阴阳极，通过交替正负脉冲使一个靶头对另一个靶头放电；连接两个靶电源上时，交替作为辅助阳极，通过波形相位关系使一个靶头对真空室放电，另一个靶头作为辅助阳极。本发明用于对管筒件内壁进行镀膜。
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公开(公告)号：CN110205597B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910628957.3
申请日：2019-07-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法，属于材料制造技术领域，本发明为解决现有双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法中正向脉冲对负向脉冲所产生的离子的推动加速作用效率低的问题。本发明维持真空室的真空度为0.1～5.5Pa，开启多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源，对待镀样品进行薄膜沉积5～240min，多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源将双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源的单负向脉冲拆分为两段，分别为负向1脉冲和负向2脉冲，在负向1脉冲后施加正向1脉冲，在负向2脉冲后施加正向2脉冲，在负向1脉冲和正向1脉冲之间施加负向1高脉冲，在负向2脉冲和正向2脉冲之间施加负向2高脉冲。本发明用于磁控溅射。
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