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公开(公告)号：CN115261777B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202210863490.2
申请日：2022-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C8/38
Abstract: 一种优化管内壁离子渗氮的装置及方法，本发明涉及一种优化管内壁离子渗氮的装置及方法。本发明目的是为了解决管筒件内壁渗氮工艺等离子体进入管筒件内部距离较短、等离子体密度低、渗氮效率低的问题，本发明装置包括金属阴极弧源、挡板、辅助阳极、管筒件、阳极杆、Ar进气管、N2‑H2混合气进气管、第一绝缘屏蔽罩、第二绝缘屏蔽罩、真空室、金属阴极弧直流电源、脉冲偏压电源和辅助阳极直流电源；金属阴极弧源连接直流电源，作为电子发射源；辅助阳极连接直流电源，吸引电子穿过管筒件向辅助阳极一侧运动，使等离子体覆盖整个管筒件内部，并提高管筒件内部等离子体密度。本发明应用于管筒件内壁离子渗氮领域。
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公开(公告)号：CN116855885B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310817493.7
申请日：2023-07-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 证了基材的力学性能。电场辅助脉冲增强柱状阴极弧在细长管筒件内壁快速均匀沉积金属薄膜的装置及方法，本发明为了解决常规方法难以满足细长管筒件内壁快速、均匀沉积大厚度薄膜的问题。本发明沉积金属薄膜的装置中磁钢座套设在柱状阴极靶材内部，磁钢座上设置有多列磁铁，电场辅助圆筒、细长管筒件和柱状阴极弧源同轴设置。柱状阴极靶材与脉冲阴极弧电源的负输出端连接，其正输出端与电场辅助圆筒连接，细长管筒件与中频偏压电源的负输出端连接。本发明通过电场辅助圆筒与柱状阴极靶材之间的优先放电，解耦了
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公开(公告)号：CN116021011B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310027511.1
申请日：2023-01-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F1/16 , C23C24/04 , C23C16/513 , C23C16/44 , B22F9/04
Abstract: 一种石墨烯包覆铜粉颗粒增强冷喷涂铜基复合涂层的制备方法，涉及一种铜基复合涂层的制备方法。本发明公开了一种石墨烯包覆铜粉颗粒增强冷喷涂铜基复合涂层的制备方法，通过PECVD技术，在铜粉颗粒表面原位生长出石墨烯，获得石墨烯包覆的铜粉颗粒，使用优化的低能球磨工艺，获得了石墨烯包覆铜粉颗粒均匀分布的铜复合粉末，避免了石墨烯团聚引起的组织缺陷，并基于冷喷涂技术的低温工艺和极快的沉积速率，可以提高涂层与基体的结合强度和涂层内部的组织均匀性，有利于获得优异热、电、机械性能和耐磨损性能的石墨烯包覆铜粉颗粒增强铜基复合涂层。
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公开(公告)号：CN114875367B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210485242.9
申请日：2022-05-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制的沉积厚的四面体非晶碳膜(ta‑C)的方法，本发明是为了解决ta‑C碳膜制备过程中较高的固有应力，限制了碳膜厚度的问题。沉积厚的ta‑C的方法：一、真空室内石墨阴极靶材与脉冲阴极弧电源连接，工件基体与工件脉冲偏压电源相连接；二、抽真空通入氩气，通过脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制放电模式沉积ta‑C碳膜，其中工件偏压脉冲中先施加多段正向短脉冲，之后的多段负向工件偏压脉冲与脉冲阴极弧多段正向脉冲保持同频率和脉宽工作。本发明通过多段正向偏压脉冲排斥Ar+离子，规避Ar+离子对膜层的轰击夯实作用，降低薄膜应力。通过多段脉冲的设计有效地控制了薄膜沉积过程中的膜层温度。
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公开(公告)号：CN115786847A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211599296.4
申请日：2022-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种直流复合双极性脉冲进行细长管筒内磁控溅射的方法，它属于磁控溅射镀膜领域。它解决了现有管筒件内放电难，稳定性差，膜层质量差的问题。本发明中待镀管和柱状靶分别接电源正极和负极，在二者之间进行二极放电。放电电源采用直流复合双极性脉冲电源，放电模式可在直流、脉冲、双极性脉冲以及直流复合双极性脉冲的放电模式中进行切换，通过直流部分增强放电稳定性和沉积速率；通过负脉冲放电增强离化，为后续正脉冲的牵引做准备；通过正脉冲牵引等离子体中离子加速向待镀管运动，对膜层进行轰击夯实，改善膜层质量，最终实现细长管筒内壁快速、高质量的磁控溅射膜层制备。本发明适用于细长管筒内壁磁控溅射镀膜领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115261777A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210863490.2
申请日：2022-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C8/38
Abstract: 一种优化管内壁离子渗氮的装置及方法，本发明涉及一种优化管内壁离子渗氮的装置及方法。本发明目的是为了解决管筒件内壁渗氮工艺等离子体进入管筒件内部距离较短、等离子体密度低、渗氮效率低的问题，本发明装置包括金属阴极弧源、挡板、辅助阳极、管筒件、阳极杆、Ar进气管、N2‑H2混合气进气管、第一绝缘屏蔽罩、第二绝缘屏蔽罩、真空室、金属阴极弧直流电源、脉冲偏压电源和辅助阳极直流电源；金属阴极弧源连接直流电源，作为电子发射源；辅助阳极连接直流电源，吸引电子穿过管筒件向辅助阳极一侧运动，使等离子体覆盖整个管筒件内部，并提高管筒件内部等离子体密度。本发明应用于管筒件内壁离子渗氮领域。
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公开(公告)号：CN110129742A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910548524.7
申请日：2019-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超硬强韧TiSiCN硬质涂层的制备方法，它涉及一种超硬强韧TiSiCN硬质涂层的制备方法。本发明的目的是为了解决现有多弧工艺中加入TMS后，弧靶很容易中毒，导致放电不稳定、偏流降低，膜层质量不好的问题，本发明以氮气和由含碳、硅元素的有机硅为反应气体，经过基体的清洗干燥、离子增强辉光刻蚀、沉积过渡层、将TiSiCN涂层沉积于基体表面。本发明涂层具有高硬度以及优异的断裂韧性，克服了涂层硬度高但韧性不足的问题，膜的硬度高达47.1GPa，压痕韧性5.22MPa·m1/2。本发明应用于硬质涂层技术领域。
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公开(公告)号：CN102409371A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110387712.X
申请日：2011-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D1/02
Abstract: 利用阳极极化曲线检测合金微弧氧化起弧特性的方法，本发明涉及合金微弧氧化的方法。本发明是要解决现有的利用微弧氧化实验过程去验证电解液中添加剂的种类及用量对微弧氧化起弧特性影响的方法而造成的工作量大、浪费电能和溶液原料的技术问题。本发明的方法：测定合金在待验证电解液中的以电压U为横坐标、以电流I为纵坐标的阳极极化曲线，以是否存在钝化区来确定是否可以进行微弧氧化，以钝化区间宽窄，确定合金在电解液中微弧氧化起弧放电的电压高低，当钝化区间宽度相近时，以钝化膜层失稳前极化电流的大小确定合金在该电解液中微弧氧化起弧放电电压高低；本发明的方法为低压、低电流密度过程，节约能源。可用于预测合金微弧氧化起弧特性。
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公开(公告)号：CN101951146A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010289165.7
申请日：2010-09-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 陡下降沿低功耗的等离子浸没离子注入用高压脉冲调制器及调制方法，属于脉冲功率技术领域。它解决了现采用的等离子浸没离子注入用高压脉冲调制器输出脉冲的下降沿长的问题。它采用真空电子管作为主开关调制高压脉冲，用充电IGBT串联开关控制高压脉冲电容器的充电过程，消除了充电限流电阻上的功耗；当高压脉冲关断时，下拉IGBT串联开关开通，负载电容和寄生电容中残留的电荷能够迅速流经放电限流器件和下拉IGBT串联开关释放掉，使得输出高压脉冲的下降沿大大减小。本发明用于等离子体浸没离子注入工艺中对高压脉冲的精确控制。
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公开(公告)号：CN119776821A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510063310.6
申请日：2025-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C24/04
Abstract: 一种7xxx系超高强铝合金冷喷涂硬质修复涂层的方法，涉及一种冷喷涂修复涂层的方法。本发明为了提升高强铝合金结构件冷喷涂修复涂层的性能，提出一种7xxx系超高强铝合金冷喷涂硬质修复涂层的方法，利用等离子快速加热的优势，辅助冷喷涂涂层沉积，在颗粒沉积前、沉积时和沉积后对基体和涂层进行在线热处理，利用等离子弧光的作用软化沉积颗粒、基体与涂层表面，使得颗粒沉积更易达到临界热、力条件，提高冶金结合比例，从而提升涂层结合力和致密度，在线热处理有助于调控基体和涂层组织，从而提升涂层性能。
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