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公开(公告)号：CN112946396A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110166149.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种低温辐照综合试验装置及试验方法，涉及一种采用低温辐照同步进行的半导体器件测试技术，为了解决现有仪器设备不能实现对半导体器件低温与电子辐照同时测试的问题。本发明的恒温真空仓横向水平放置，高频高压电子加速器位于光学窗口的正上方，并用于产生、加速电子，电子竖直向下运动，屏蔽箱的一侧与恒温真空仓的尾部相连通；风冷压缩机用于降低恒温真空仓内的温度，温度控制仪用于调节恒温真空仓内的温度；无油分子泵用于将恒温真空仓抽成真空；PCB板以覆盖的方式固定在该连接口处；待测器件放置于恒温真空仓的头部内，并通过螺丝钉进行固定，待测器件的引脚通过杜邦线与PCB板的引线相连。有益效果为实现了低温和电子辐照的同步测量。
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公开(公告)号：CN108345746B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810136611.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F119/04
Abstract: MOS工艺器件电离损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及MOS工艺器件性能退化的等效评价方法，为了满足针对不同类型辐照源的MOS工艺器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面带电粒子辐照源，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到修正电离吸收剂量，并确定性能退化与修正电离吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DT，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到该轨道下的修正电离吸收剂量，根据函数关系曲线找到该轨道下的修正电离吸收剂量所对应的性能退化情况，完成对在轨MOS工艺器件的性能退化的评价。本发明适用于等效评价MOS工艺器件的性能退化情况。
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公开(公告)号：CN108364887B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810135806.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种抑制电子元器件中氧化物俘获正电荷形成的方法，涉及一种抑制电子元器件氧化物俘获正电荷形成的方法。是要解决现有双极工艺电子元器件存在辐射产生氧化物俘获电荷现象，改变载流子的表面复合速率，进而影响少子寿命的问题。方法：一、确定试样的芯片厚度a；二、计算入射粒子在试样芯片中的入射深度d；三、计算电离吸收剂量Id和位移吸收剂量Dd；四、使log[(Id+Dd)/Dd]>5；五、调整入射粒子的辐照通量或剂量率；六、进行一次辐照试样；七、进行二次辐照，即完成。该方法通过改变辐照通量或剂量率的方法来实现抑制电子器件内氧化物俘获正电荷的过程，本发明用于抑制电子元器件中氧化物俘获正电荷。
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公开(公告)号：CN110459650A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910776387.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/265
Abstract: 基于深层离子注入方式的倒置三结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有空间带电粒子会在太阳电池内部产生位移辐射损伤，在太阳电池内部产生空位、间隙原子等缺陷，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒置三结太阳电池的InGaAs有源区模拟注入离子，改变注入离子量，模拟注入离子的I-V特性，获取模拟注入离子后的I-V特性与未注入离子的I-V特性的变化量小于10％时的注入离子量，计算注入离子机的电压和离子束电流，设置注入离子时间，对倒置三结太阳电池进行离子注入，通过离子注入的方式引入缺陷陷阱，对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用。用于提高倒置三结太阳电池抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN106404651B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610911382.2
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N17/00
Abstract: 脂肪族聚合物绝缘材料的空间辐照效应等效性评价方法，涉及粒子辐射环境用脂肪族聚合物绝缘材料不同辐照源位移辐照效应的等效性评价方法。解决了现有的宇航用脂肪族聚合物空间辐照效应评价方法，评价误差大的问题。计算各辐射源在待测材料样品中的LET值、电离吸收剂量及射程；根据各辐射源在待测材料样品中的射程，确定待测材料样品的厚度，使每种辐射源对应一块待测材料样品进行辐照试验，使各辐射源的辐照粒子完全穿透所对应的待测材料样品的厚度；辐照后，制定各辐射源在辐照条件下微观结构分析获得的各物理量与电离吸收剂量关系曲线，及性能测试获得的各物理量与电离吸收剂量的关系曲线。本方法用于对脂肪族聚合物绝缘材料进行评价。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106353622B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610911425.7
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 基于氩气环境改变温度条件下电子元器件高能电子辐照效应的原位测试方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决电子元器件地面辐照过程中，由于环境气氛和温度的影响，导致电性能原位测试不准确和评价效率低的问题。本发明采用氩气环境，这样可以有效地排除以往辐照试验过程中空气中氧气的影响和真空辐照中负压的影响，提高了电子元器件原位测试的准确性。在辐照过程中进行变温辐照，温度区间选取双极晶体管工作的环境温度条件，这样的原位测试方法低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明适用于双极型电子元器件空间辐照效应研究和试验。
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公开(公告)号：CN108362988A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810134750.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明是为了解决现有技术中缺少对于双晶体管的低剂量率抑制手段的缺点而提出的，包括：将晶体管放入密闭容器中，并抽真空或填充保护性气体；所述晶体管为双极晶体管；使用电炉对晶体管进行加热，并进行保温；保温结束后，将晶体管降温至室温。本发明适用于航天器舱内电子系统中的元器件的抗辐射处理。
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公开(公告)号：CN108345747A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136616.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，它涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的目的是为了制备一种结构，基于该结构应用不同类型的带电粒子，从而实现电离和位移缺陷间接交互作用的研究。方法：制备MIS结构，导体-绝缘体-半导体中导体、绝缘体和半导体的厚度分别为a1，a2和a3，计算入射粒子的入射深度、电离吸收剂量(Id)和位移吸收剂量(Dd)，3
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公开(公告)号：CN108345746A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136611.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: MOS工艺器件电离损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及MOS工艺器件性能退化的等效评价方法，为了满足针对不同类型辐照源的MOS工艺器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面带电粒子辐照源，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到修正电离吸收剂量，并确定性能退化与修正电离吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DT，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到该轨道下的修正电离吸收剂量，根据函数关系曲线找到该轨道下的修正电离吸收剂量所对应的性能退化情况，完成对在轨MOS工艺器件的性能退化的评价。本发明适用于等效评价MOS工艺器件的性能退化情况。
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公开(公告)号：CN108334706A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810135800.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 双极器件位移损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及在轨双极器件的性能退化评价技术，为了满足针对不同类型辐照源的双极器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面异种粒子辐照源，确定位移损伤引起的性能退化与位移吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DI和位移吸收剂量DD，当双极器件以位移损伤为主时，根据函数关系曲线找到该位移吸收剂量DD所对应的性能退化情况，完成在轨双极器件的性能退化评价。本发明适用于等效评价在轨双极器件的性能退化情况。
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