公开(公告)号：CN108362988A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810134750.6

申请日：2018-02-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  杨剑群 ,  刘超铭 ,  赵金宇

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明是为了解决现有技术中缺少对于双晶体管的低剂量率抑制手段的缺点而提出的，包括：将晶体管放入密闭容器中，并抽真空或填充保护性气体；所述晶体管为双极晶体管；使用电炉对晶体管进行加热，并进行保温；保温结束后，将晶体管降温至室温。本发明适用于航天器舱内电子系统中的元器件的抗辐射处理。

公开(公告)号：CN108362988B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201810134750.6

申请日：2018-02-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  杨剑群 ,  刘超铭 ,  赵金宇

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明是为了解决现有技术中缺少对于双晶体管的低剂量率抑制手段的缺点而提出的，包括：将晶体管放入密闭容器中，并抽真空或填充保护性气体；所述晶体管为双极晶体管；使用电炉对晶体管进行加热，并进行保温；保温结束后，将晶体管降温至室温。本发明适用于航天器舱内电子系统中的元器件的抗辐射处理。

公开(公告)号：CN108346575A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810136610.2

申请日：2018-02-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨剑群 ,  李兴冀 ,  赵金宇 ,  董尚利

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及电离辐射缺陷的形成及演化机制，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明是为了解决现有的技术中对于降低低剂量率辐射损伤增强效应缺乏有效手段的缺点而提出的，包括：将晶体管放入密闭容器中，并抽真空或填充保护性气体；所述晶体管为双极晶体管；使用电炉对晶体管进行加热，并进行保温；保温结束后，将晶体管降温至室温。本发明适用于航天器舱内电子系统中的元器件的抗辐射处理。