公开(公告)号：CN110729387B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201911015317.1

申请日：2019-10-24

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 周弘毅 ,  李俊贤 ,  吕奇孟 ,  李健 ,  王锐

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: 本申请实施例提供一种发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方法，该发光二极管芯片包括：芯片主体；设于芯片主体上的电极层；设于电极层上的钝化保护层；以及熔合保护层，熔合保护层位于电极层与钝化保护层之间，用于将钝化保护层与电极层进行隔离。以此能够改善现有技术中的发光二极管容易发生金属迁移的问题。

公开(公告)号：CN114551676A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210269983.3

申请日：2022-03-18

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 王锐 ,  周弘毅 ,  颜姗姗

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，所述第二电极层叠于所述发光台面的部分表面，且在所述发光台面中，所述第二电极及与其距离最短的棱角所形成的区域为强电流密度区；通过在除所述强电流密度区以外的发光台面表面构建透明导电层。从而，有效降低强电流密度区的电场，抑制该区域外延叠层的电化学水解，在长期应用中，大大降低逆电极脱落以及芯片短路，提高芯片在逆偏压状态下的稳定性，增强其可靠性。

公开(公告)号：CN112951964A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110200475.5

申请日：2021-02-23

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 王锐 ,  邬新根 ,  周弘毅 ,  刘英策 ,  李健

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/40

Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：位于所述衬底上的P型金属电极和N型金属电极；所述P型金属电极包括第一电极层、第一金层、第一铝层以及第一合金层；所述N型金属电极包括第二电极层、第二金层、第二铝层以及第二合金层；其中，所述第一合金层和所述第二合金层均为金‑铝合金层。已知金属铝和金‑铝合金均具有很好的抗腐蚀能力，因此位于第一金层上的第一合金层和第一铝层以及位于第二金层上的第二合金层和第二铝层能够避免第一金层和第二金层在盐雾环境中发生电化学腐蚀，进而避免由于所述第一金层和所述第二金层发生电化学腐蚀而破坏所述第一金层和所述第二金层上的布线，导致LED芯片失效。

公开(公告)号：CN218351493U

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202220719631.9

申请日：2022-03-30

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 邬新根 ,  刘英策 ,  刘伟 ,  王锐 ,  林锋杰 ,  崔恒平 ,  蔡玉梅 ,  蔡海防

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，其隔离层覆盖所述外延叠层并裸露所述凹槽的部分表面，且沿所述台面表面的隔离层具有至少一通孔；通过所述通孔实现对发光面积的控制；同时，所述通孔是对所述隔离层进行刻蚀工艺而形成，且隔离层为绝缘材料，则刻蚀过程容易控制，藉以更好地实现对发光面积的有效控制；再者，本实用新型提供的LED芯片，使电流扩展金属正下方的电流扩展层与所述第二型半导体层不直接接触，从而，避免了电流聚集在扩展电极正下方的情况，进而提高LED芯片的抗ESD能力。