公开(公告)号：CN203589069U

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201320597060.7

申请日：2013-09-26

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  蔡建九 ,  张永 ,  林志园 ,  尧刚

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/62 ,  H01L33/60 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开一种近红外发光二极管的外延结构，在衬底层上依次生长第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；第二型电流扩展层由第一组成部分及第二组成部分组成，在第一组成部分和第二组成部分之间形成具有漫反射效果的接触界面。本实用新型采用该外延生长工艺形成具有漫反射作用的电流扩展层的外延结构，明显地提高了外量子效率，使得近红外发光二极管能达到更大功率。

公开(公告)号：CN202797055U

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201220374252.7

申请日：2012-07-31

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 蔡建九 ,  杨凯 ,  林志伟 ,  陈凯轩 ,  林志园

IPC: H01L33/22

Abstract: 本实用新型公开一种采用N型衬底的发光二极管，包括N型GaAs衬底，在N型GaAs衬底上依次生长有N型GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型下限制层、有源层、P型上限制层、P型电流扩展层、P型粗化层以及欧姆接触层；所述有源层可由Undoped-（AlxGa1-x）yIn1-yP构成；所述P型电流扩展层可由p-AlxGa1-xAs构成且其厚度为1～15um；所述P型粗化层可由p-（AlxGa1-x）yIn1-yP构成且其厚度为0.3～5um；所述欧姆接触层由P++GaAs构成；本实用新型可大幅提高发光二极管的外量子效率，发光效率高，使用寿命长。

公开(公告)号：CN204011467U

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201420021293.7

申请日：2014-01-14

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  蔡建九 ,  张永 ,  林志园 ,  尧刚 ,  姜伟

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开近红外发光二极管，在GaAs或AlGaAs衬底的顶部自下而上依次形成顶部第一型电流扩展层、顶部第一型限制层、顶部有源层、顶部第二型限制层及顶部第二型电流扩展层；在衬底的底部自下而上依次形成第一型隧穿结、第二型隧穿结、底部第二型电流扩展层、底部第二型限制层、底部有源层、底部第一型限制层及底部第一型电流扩展层；所述第二型隧穿结采用多层膜的外延结构，第二型隧穿结的掺杂源为Mg，且掺杂浓度为2.0×1019以上。本实用新型使得近红外发光二极管的发光功率得到较大的提升，且其制造工艺较为简单。

公开(公告)号：CN202651187U

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201220224646.4

申请日：2012-05-18

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 陈凯轩 ,  林志伟 ,  蔡建九 ,  林志园

IPC: H01L33/14

Abstract: 本实用新型公开一种具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，包括一衬底，在衬底的下面连接有第一电极，在衬底的上面依次连接有第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层及第二电极，沿第二型电流扩展层的生长方向间隔连接X个Delta掺杂层，其中1≤X≤50；优选所述的Delta掺杂层的厚度≤1nm；本实用新型可以提高电流扩展层的横向电导率，有效降低发光二极管的正向工作电压，提高发光二极管的光电转换效率。