-
公开(公告)号：CN102520756B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201110448348.3
申请日：2011-12-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G05F3/16
Abstract: 一种偏置电流产生电路，包括：电压-电流转换电路，将基准电压Vref转换成电流I1，产生第一偏置电压Vb1；稳定偏置电流产生电路，用来获得高稳定性的偏置电流，产生第二偏置电压Vb2；稳定偏置电流输出电路，利用NMOS管电流镜的原理产生稳定的偏置电流输出。本发明电路直接采用系统中存在的基准电压Vref（相对于电源电压Vdd），利用Vref的高精度和低温漂的特点，获得同样高精度和低温漂的偏置电流，解决了一些电路设计中对偏置电流精度和温度系数高要求的问题。
-
公开(公告)号：CN103117309A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310057943.3
申请日：2013-02-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/74 , H01L21/332
CPC classification number: H01L29/0886 , H01L21/823418 , H01L27/0922 , H01L29/0657 , H01L29/0847 , H01L29/0878 , H01L29/41766 , H01L29/66659 , H01L29/66681 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H01L29/8613
Abstract: 本发明提出了一种横向功率器件结构及其制备方法，所述结构不仅可以有效缩小器件尺寸，提高器件的集成度，同时也可优化漂移区浓度，提高击穿电压。而且由于器件尺寸的缩小以及漂移区浓度优化值的提高，其导通电阻也能显著减小，从而整体提高了器件的击穿电压与导通电阻的比值。此外，该结构的漂移区可由浅沟槽隔离技术直接制作而成，将源区、沟道或漏区制作于浅沟槽隔离工艺形成的沟槽中，工艺简单，且其工艺与标准CMOS工艺完全兼容，也降低了器件的制造成本。
-
公开(公告)号：CN109995363B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201910147973.0
申请日：2019-02-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明公开了一种自偏置结构的环形压控振荡器，包括自偏置单元和振荡器核心单元。自偏置单元包括输入偏置电路、运算放大器和半复制延迟电路，振荡器核心单元包括多级结构相同的差分延迟电路级联构成的反馈振荡环路，半复制延迟电路的结构与差分延迟电路的半边电路结构相同。输入偏置电路为运算放大器提供基准电压VREF，建立与电源电压无关的恒定偏置电压，通过调整差分延迟电路的尾电流改变输出频率，使得输出共模电平等于基准电压，解决了环形振荡器的工作频率随电源电压波动大和振荡器核心输出共模电平变化的问题，从而改善压控振荡器对电源噪声的抑制能力和稳定输出摆幅。
-
公开(公告)号：CN113364458B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110636244.9
申请日：2021-06-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03L7/18
Abstract: 本发明提供一种高频率分辨率的数控振荡器电路，包括分段式电流舵DAC和流控环形振荡器；分段式电流舵DAC包括粗调谐电路、中调谐电路、精调谐电路、运算放大器、第一晶体管、第二晶体管以及低通滤波器；流控环形振荡器包括分别与分段式电流舵DAC的信号输出端连接的第一延迟单元、第二延迟单元和第三延迟单元；通过分段式电流舵DAC的控制，流控环形振荡器的延迟可以通过借助于数字代码调整充电和放电节点处的电流来改变，最终达到数字调谐的目的。通过分段式DAC控制流控环形振荡器，降低了粗调谐和中调谐电路的输出电流的噪声，同时实现了高电流分辨率，在保留流控环形振荡器调谐范围大、面积小等优势的同时，确保调谐范围的单调性并优化相位噪声。
-
公开(公告)号：CN113110694B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110479964.9
申请日：2021-04-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种具有电流浪涌抑制的低压差线性稳压器电路，包括低压差线性稳压电路、浪涌电流抑制电路I1，以及晶体管M7；低压差线性稳压电路的电源端对接外部电源，低压差线性稳压电路的采样电流输出端对接浪涌电流抑制电路I1的采样电流输入端；低压差线性稳压电路的电压输出端与浪涌电流抑制电路I1的电压输入端相连，连接点构成低压差线性稳压器电路的输出端Vout；低压差线性稳压电路的自适应电流端对接晶体管M7的漏极，晶体管M7的栅极对接浪涌电流抑制电路I1的浪涌抑制信号输出端，晶体管M7的源极接地。本发明提供的电路结构简单、功耗低、面积小易集成，在系统上电后能够快速有效的抑制浪涌电流。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113364458A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110636244.9
申请日：2021-06-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03L7/18
Abstract: 本发明提供一种高频率分辨率的数控振荡器电路，包括分段式电流舵DAC和流控环形振荡器；分段式电流舵DAC包括粗调谐电路、中调谐电路、精调谐电路、运算放大器、第一晶体管、第二晶体管以及低通滤波器；流控环形振荡器包括分别与分段式电流舵DAC的信号输出端连接的第一延迟单元、第二延迟单元和第三延迟单元；通过分段式电流舵DAC的控制，流控环形振荡器的延迟可以通过借助于数字代码调整充电和放电节点处的电流来改变，最终达到数字调谐的目的。通过分段式DAC控制流控环形振荡器，降低了粗调谐和中调谐电路的输出电流的噪声，同时实现了高电流分辨率，在保留流控环形振荡器调谐范围大、面积小等优势的同时，确保调谐范围的单调性并优化相位噪声。
-
公开(公告)号：CN113110694A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110479964.9
申请日：2021-04-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种具有电流浪涌抑制的低压差线性稳压器电路，包括低压差线性稳压电路、浪涌电流抑制电路I1，以及晶体管M7；低压差线性稳压电路的电源端对接外部电源，低压差线性稳压电路的采样电流输出端对接浪涌电流抑制电路I1的采样电流输入端；低压差线性稳压电路的电压输出端与浪涌电流抑制电路I1的电压输入端相连，连接点构成低压差线性稳压器电路的输出端Vout；低压差线性稳压电路的自适应电流端对接晶体管M7的漏极，晶体管M7的栅极对接浪涌电流抑制电路I1的浪涌抑制信号输出端，晶体管M7的源极接地。本发明提供的电路结构简单、功耗低、面积小易集成，在系统上电后能够快速有效的抑制浪涌电流。
-
公开(公告)号：CN106130483B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610446825.5
申请日：2016-06-20
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种压控振荡器调谐电路中的可变电容电路，该可变电容电路由积累型AMOS晶体管与PMOS晶体管并联构成，连接于压控振荡器电压输出端VB和调谐电压控制端VC之间，PMOS晶体管的源极和漏极接地，PMOS晶体管的衬底连接调谐电压控制端VC，PMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，使PMOS晶体管工作于积累区和耗尽区；AMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，AMOS晶体管的源极、漏极以及衬底共同与调谐电压控制端VC连接；可变电容值由PMOS晶体管的栅极‑衬底电容与积累型AMOS晶体管的栅极‑衬底电容合成，通过调谐电压控制可变电容的大小，以改变振荡频率。
-
公开(公告)号：CN103237180B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310116031.9
申请日：2013-04-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种高动态范围红外焦平面读出电路，包括像素单元电路、比较计数电路、电荷重新分配控制电路及数字模拟转化电路，像素单元电路的输出分别连接比较计数电路和电荷重新分配控制电路，比较计数电路的一个输出连接像素单元电路，比较计数电路的另一个输出分别连接数字模拟转化电路和电荷重新分配控制电路，数字模拟转化电路的输出连接电荷重新分配控制电路。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.029 seconds)
