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公开(公告)号：CN114598479B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210318344.1
申请日：2022-03-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04L9/32
Abstract: 本发明是一种基于零知识证明的人脸识别隐私保护身份认证方法，包括步骤1：可信第三方中记录用户的身份证号、人脸信息，根据可信第三方中记载的正确的用户信息，验证用户提交的实时拍照人脸信息；步骤2：人脸匹配通过后，查找到用户匹配的唯一标识，生成私钥，再生成对应公钥，并由可信第三方对用户信息进行加密，生成用户的证书；步骤3：将证书和私钥发给用户，并将证书和随机数发给服务提供方；步骤4：服务提供方利用公钥解密证书，并通过私钥和唯一标识验证用户是否可信。本发明以提升人脸识别的数据隐私的安全性，解决了人脸和部分信息绑定隐私的泄露问题，基于零知识证明，在暴露尽可能少的信息的情况下实现通过人脸识别实现身份认证。
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公开(公告)号：CN114598479A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210318344.1
申请日：2022-03-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04L9/32
Abstract: 本发明是一种基于零知识证明的人脸识别隐私保护身份认证方法，包括步骤1：可信第三方中记录用户的身份证号、人脸信息，根据可信第三方中记载的正确的用户信息，验证用户提交的实时拍照人脸信息；步骤2：人脸匹配通过后，查找到用户匹配的唯一标识，生成私钥，再生成对应公钥，并由可信第三方对用户信息进行加密，生成用户的证书；步骤3：将证书和私钥发给用户，并将证书和随机数发给服务提供方；步骤4：服务提供方利用公钥解密证书，并通过私钥和唯一标识验证用户是否可信。本发明以提升人脸识别的数据隐私的安全性，解决了人脸和部分信息绑定隐私的泄露问题，基于零知识证明，在暴露尽可能少的信息的情况下实现通过人脸识别实现身份认证。
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公开(公告)号：CN106130483A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610446825.5
申请日：2016-06-20
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种压控振荡器调谐电路中的可变电容电路，该可变电容电路由积累型AMOS晶体管与PMOS晶体管并联构成，连接于压控振荡器电压输出端VB和调谐电压控制端VC之间，PMOS晶体管的源极和漏极接地，PMOS晶体管的衬底连接调谐电压控制端VC，PMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，使PMOS晶体管工作于积累区和耗尽区；AMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，AMOS晶体管的源极、漏极以及衬底共同与调谐电压控制端VC连接；可变电容值由PMOS晶体管的栅极‑衬底电容与积累型AMOS晶体管的栅极‑衬底电容合成，通过调谐电压控制可变电容的大小，以改变振荡频率。
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公开(公告)号：CN106130483B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610446825.5
申请日：2016-06-20
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种压控振荡器调谐电路中的可变电容电路，该可变电容电路由积累型AMOS晶体管与PMOS晶体管并联构成，连接于压控振荡器电压输出端VB和调谐电压控制端VC之间，PMOS晶体管的源极和漏极接地，PMOS晶体管的衬底连接调谐电压控制端VC，PMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，使PMOS晶体管工作于积累区和耗尽区；AMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，AMOS晶体管的源极、漏极以及衬底共同与调谐电压控制端VC连接；可变电容值由PMOS晶体管的栅极‑衬底电容与积累型AMOS晶体管的栅极‑衬底电容合成，通过调谐电压控制可变电容的大小，以改变振荡频率。
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