公开(公告)号：CN111540759B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202010384878.5

申请日：2020-05-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  王凯 ,  柴智 ,  胡心怡 ,  顾郅扬 ,  吴天泽

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/423 ,  H03K3/011

Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅光敏探测器的积分泄放电路。其中，复合介质栅光敏探测器包括MOS‑C部分和MOSFET部分，积分泄放电路包括依次相连的积分电路、脉冲产生电路和泄放电路，积分电路的输入端连接MOSFET部分的N型源极区；积分电路对输入信号电荷做线性或非线性积分，当积分电路中存储的电荷超过某固定阈值后，通过脉冲产生电路生成同步或异步的脉冲信号，并利用泄放电路将所述积分电路中的电荷泄放至某固定值。本发明仅利用一个比较器和若干CMOS器件就实现了积分泄放的功能，相较于传统的利用多个运算放大器实现的大面积、高功耗的积分泄放电路，其能效更高，更利于小型化系统的使用。

公开(公告)号：CN116017184A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310321390.1

申请日：2023-03-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  李龙飞 ,  王一鸣 ,  宋年华 ,  李张南

IPC: H04N25/75

Abstract: 本发明公开了一种基于反相器链跨阻放大器的复合介质栅双晶体管像素读出电路，属于集成电路领域。本发明的电路包括复合介质栅双晶体管光敏探测器像素、开关S1、斜坡发生器、反相器链跨阻放大器、驱动级和计数器，其中，复合介质栅双晶体管光敏探测器像素控制端连接斜坡发生器，第一端接地，第二端与反相器链跨阻放大器输入端连接；反相器链跨阻放大器的输出端与驱动级的输入端连接；驱动级的输出端作为计数器的使能信号。本发明的电路，规避了放大器直流工作电平不处于线性放大区间的问题，且不易受到输入端高频噪声的干扰，以实现对复合介质栅双晶体管光敏探测器实现高速、高精度的读出。

公开(公告)号：CN111445013B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202010347546.X

申请日：2020-04-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 岳涛 ,  时云凿 ,  王蔓蓁 ,  邱禹欧 ,  潘红兵 ,  闫锋

IPC: G06N3/0464 ,  G06N3/048 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明一种针对卷积神经网络的非零探测器及其方法。该非零探测器包括顶层控制单元，用于将输入的激励与权重数据存入本地缓存模块，并控制激励与权重探零模块和位与及寻址模块的操作；本地缓存模块，用于存放卷积神经网络的激励与权重数据；激励与权重探零模块，用于根据本地缓存模块的激励与权重数据进行非零筛选，并将得到的比特图返回本地缓存模块；位与及寻址模块，用于将激励比特图向量和权重比特图向量按位与，得到对应位置上的权重和激励值都非零的地址，并输出给本地缓存模块。本发明的非零探测器在不额外占用太多存储与运算资源的情况下，有效地提高了卷积神经网络的计算效率，缩小了卷积神经网络计算量。

公开(公告)号：CN115931304A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211341105.4

申请日：2022-10-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  蒋骏杰 ,  杨婷 ,  吴天泽 ,  王一鸣 ,  杨思千 ,  蔡梦瑶

IPC: G01M11/02

Abstract: 本发明提出了一种模拟成像芯片光输入的测试装置及其方法。该装置包括光路重建模块、传感器重建模块以及RTL重建模块；光路重建模块，用于获得每个像素的光子到达时刻序列；传感器重建模块，用于根据每个像素的光子到达时刻序列，获取模拟感光器件响应的光子时刻序列；RTL重建模块，用于根据模拟感光器件响应的光子时刻序列，重构出每个像素的数字PWM脉冲信号，作为后级数字电路的仿真测试输入。本发明的提出能够使得感光器件作为数字域的一个模块，对光输入进行真实准确的模拟，得到对应响应的数字信号，验证后级电路的功能准确性以及输出图像质量，并且优化芯片设计。

公开(公告)号：CN115908769A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211306205.3

申请日：2022-10-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  杨婷 ,  王凯 ,  王一鸣 ,  吴天泽 ,  吴永杰 ,  蒋骏杰

IPC: G06V10/147 ,  G06V10/28 ,  G06V10/82 ,  G06V10/74

Abstract: 本发明公开了一种非线性的图像采集量化方法。该量化方法的步骤为：(1)对于成像器件收集到的比特位大小为i的原始光强信息，其对应的量化空间为0～2i‑1，采用二进制将量化空间分为i个区间：0～1、1～3、3～7、……、2i‑1‑1～2i‑1，依次记为S0、S1、S2、S3、……、Si‑1；(2)进行非线性量化：改变至少一个上述区间的量化台阶高度，得到对应的非线性量化斜坡；(3)将原始光强信息代入非线性量化斜坡映射到对应量化后的值，该值即为量化后的像素灰度值，从而可获得非线性量化编码后的灰度图像。本发明的方法可以在保证图像质量的前提下有效降低量化位数和采集时间，可以使用更少的比特位数来获得感兴趣信号区域的给定信噪比。

公开(公告)号：CN109389557B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN201811224978.0

申请日：2018-10-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 曹汛 ,  蔡悦 ,  闫锋 ,  华夏 ,  夏永泉

IPC: G06T3/40

Abstract: 本发明公开了一种基于图像先验的细胞图像超分辨方法及其装置，属于计算机视觉和深度学习领域。该方法主要包括以下步骤：拍摄显微镜下的细胞图像；手动标记出三个区域，生成掩膜；生成特征图；提取掩膜；利用图像解码网络生成高分辨率图像；以细胞图像和掩膜作为训练集，训练卷积神经网络；固定网络参数，将训练得到的卷积神经网络，对低分辨率细胞图像进行超分辨。其装置包括：显微图像获取模块、图像预处理模块、图像特征编码模块、图像掩膜提取模块、图像解码模块、神经网络训练模块和细胞超分辨模块。本发明的细胞图像超分辨方法，充分利用了细胞图像先验知识，大大提高了细胞超分辨的性能，对基于显微图像的病理学诊断有至关重要的意义。

公开(公告)号：CN115166697A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210671769.0

申请日：2022-06-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 孔祥顺 ,  何虹村 ,  毛成 ,  赵桂升 ,  陈浩 ,  孙昕 ,  闫虎 ,  闫锋

IPC: G01S7/4863

Abstract: 本发明公开了一种适用于SPAD面阵阵列的事件驱动型读出架构。其包括SPAD探测器阵列、地址数据产生电路、事件标识电路和数据读出电路；SPAD探测器阵列用于探测光子并产生时间数据；地址数据产生电路用于对一帧中每个像素的时间数据进行寻址产生地址选择信号，并记录当前地址信息产生地址数据；事件标识电路产生事件标识位，用于判断当前像素在一个探测周期内是否探测到光子，并为数据读出电路提供是否读取当前时间数据的判断依据；数据读出电路依据事件标识位判断结果，对当前时间数据进行舍弃或读出，且读出过程中将地址数据与时间数据组合输出。本发明的架构具备数据筛选和处理功能，能较大程度减少无效数据输出，提升有效数据传输带宽。

公开(公告)号：CN115166007A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210894479.2

申请日：2022-07-27

Applicant: 南京大学 ,  中国人民解放军陆军军医大学第一附属医院

Inventor： 张丽敏 ,  李卓航 ,  熊朗 ,  沈天花 ,  王君 ,  余时沧 ,  闫锋

IPC: G01N27/416 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明公开了一种细胞电位非接触检测装置。该装置包括非接触层、PCB基底电极、信号转接口、细胞培养皿、多通道信号处理电路系统板和上位机。在现有胞外电位传感器的基础上增加非接触层，通过合理选择非接触层的材质及厚度，可以实现细胞外电位的非接触式检测。本装置改善了细胞与电极间的耦合情况，增加了对电极尺寸、材质选择的灵活性，简化了电极制作，且容易替换，检测方便。

公开(公告)号：CN113130693B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201911407331.6

申请日：2019-12-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  罗明成 ,  闫锋 ,  石东海

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种金属化多晶硅红外微测辐射热计及其制备方法。该微测辐射热计包括硅衬底、吸收体和反射层，其中，吸收体位于硅衬底上方，吸收体是由二氧化硅/金属化多晶硅/二氧化硅/氮化硅构成的堆叠结构；吸收体的上方设有反射层，反射层与吸收体之间具有空腔。本发明增强吸收的金属化多晶硅红外微测辐射热计可以由标准的集成电路工艺技术制备获得，能够实现功能的高度集成化，功耗低，且具有成本优势。

公开(公告)号：CN114843295A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210316355.6

申请日：2022-03-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  王凯 ,  沈凡翔 ,  王子豪 ,  吴永杰 ,  吴天泽 ,  王一鸣

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/108 ,  G11C11/408 ,  G11C11/409 ,  G11C11/42 ,  H04N5/225 ,  H04N5/372 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅结构的光电一体器件、阵列及其方法。该器件包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅光敏探测器和复合介质栅晶体管，其中，复合介质栅光敏探测器用于收集、存储和读出感光的光电子，其在衬底上方依次设有第一底层绝缘介质层、第一浮栅、第一顶层绝缘介质层和第一控制栅，在衬底内设有第一漏极，不设源极；复合介质栅晶体管用于向所述复合介质栅光敏探测器输入或输出电子，其在衬底上方依次设有第二底层绝缘介质层、第二浮栅、第二顶层绝缘介质层和第二控制栅，在衬底内设有源极和第二漏极。本发明的光电一体器件利用光电子进行工作，可以作为图像传感器使用，同时能解决初始信号分布不均匀的问题。