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公开(公告)号：CN104538523B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510012923.3
申请日：2015-01-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明公开了一种改善电流扩展的半导体器件，其包括衬底以及形成于所述衬底上的电流扩展层和外延层，所述电流扩展层的材质为导电材料，且所述导电材料与形成所述外延层的半导体材料不相同，其电导率比外延层材料高，因而电流扩展的距离也要高。本发明的器件可以做到较大尺寸和功率，并不需要采用额外的用于电流扩展的电极延长或多个电极并联，从而改善电流扩展，提高了器件的均匀性、功率和效率。
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公开(公告)号：CN106129208A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610545536.0
申请日：2016-07-07
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种紫外发光二极管芯片，包括主要由衬底、n‑AlGaN层、多量子阱层、p‑AlGaN层、p‑GaN层组成的外延层，p电极和n电极，其特征在于：所述p‑AlGaN上的p‑GaN层被部分刻蚀形成具有多个小岛或者开孔的浅台面；p‑GaN浅台面上设有金属点，并与石墨烯形成局部欧姆接触。相对于现在的技术，本发明所述的技术方案通过石墨烯作为扩散层，提高了电子的迁移，提高了电流分布的均匀性；通过金属点接触，降低接触电阻，提高发光效率；通过刻蚀GaN层，减少紫外波段的吸收，提高整体紫外出光率。
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公开(公告)号：CN120076526A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510549479.2
申请日：2025-04-28
Abstract: 本申请提供一种显示面板及其制备方法，提供第一发光阵列芯片和驱动阵列芯片；将第一发光阵列芯片和驱动阵列芯片进行键合处理，得到第一键合结构；在第一键合结构中，第一布线层和驱动布线层相接触，且二者为倒装连接；将第一键合结构与第二发光阵列芯片进行键合处理，得到第二键合结构；在第二键合结构中第二发光阵列芯片的一侧形成红色像素单元阵列，得到显示面板。通过将驱动阵列芯片设置在第一发光阵列芯片和第二发光阵列芯片之间，并且通过层间连接技术实现驱动单元对发光单元的驱动，能够降低电连接的工艺难度，不再采用巨量转移技术，能够降低制造成本，提高显示面板良率，且实现了全彩显示，显示面板的显示效果更佳。
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公开(公告)号：CN119470598B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510058540.3
申请日：2025-01-14
IPC: G01N27/414 , B01L3/00
Abstract: 本申请提供一种半导体场效应晶体管液体传感器及其制造方法，包括：基板、半导体场效应晶体管和微流道结构。微流道结构包括基片、参比电极和盖片。基片包括沟槽，沟槽用于放置参比电解液，参比电极至少覆盖沟槽的侧壁。盖片设置于基片远离基板的一侧表面，盖片覆盖沟槽，盖片用于进行参比电解液和待测溶液之间的离子交换，从而实现液体传感器进行检测的功能。由此可见，本申请通过利用包括沟槽的基片，覆盖沟槽侧壁的参比电极以及密封参比电解液的盖片形成集成度较高的微流道结构，微流道结构和半导体场效应晶体管集成在同一个基板上，进一步提高集成度，从而最终实现半导体场效应晶体管液体传感器的微型化，从而满足多种场景的检测需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119325318B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411794697.4
申请日：2024-12-09
IPC: H10H29/30 , H10H29/855 , H10H29/01 , G09F9/33
Abstract: 本申请公开了一种显示面板及其制作方法，涉及显示领域，该显示面板包括：沿垂直于显示面板所在平面方向排布的第一阵列芯片、第二阵列芯片和第三阵列芯片；第一阵列芯片包括多个第一发光单元；第三阵列芯片位于第一阵列芯片的出光侧，第三阵列芯片包括多个第二发光单元，第三阵列芯片远离第一阵列芯片的一侧为显示面板的出光侧；第二阵列芯片位于第一阵列芯片和第三阵列芯片之间，用于为第一发光单元和第二发光单元提供显示驱动信号；第一发光单元所在层和第二发光单元所在层之间设置有光线处理层，光线处理层用于基于部分第一发光单元出射的光线形成第三颜色的光线出射。该显示面板可以实现更高的集成度、更高的性能、更高的可靠性及更低的功耗。
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公开(公告)号：CN116978850A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310959615.6
申请日：2023-07-31
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种磁组装微器件转移组装结构及转移组装方法。磁组装微器件转移组装结构包括：具有微纳尺度的临时转移微器件，包括微器件和磁性连接层，磁性连接层可分离地固定在微器件上；磁平台，包括沿第一方向依次设置的磁性发生层和图案化软磁材料层，磁性发生层至少用于提供可调节的磁场，磁性发生层与位于磁场内的磁性连接层能够磁性吸引，图案化软磁材料层至少用于引导磁场中的磁力线，而使具有微纳尺度的临时转移微器件能够被磁性吸引固定在磁平台上，或者，使具有微纳尺度的临时转移微器件能够从磁平台上脱离。本发明通过磁吸方式选择性吸附或退吸带微器件能够完成RGB三色模块的选择性转移以及后续良率检测和修复工作。
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公开(公告)号：CN112786767A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110034154.2
申请日：2021-01-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/62 , H01L33/36 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种流体组装的微米级器件模组及其制造方法。所述流体组装的微米级器件模组包括支撑基板和微米级器件，所述微米级器件包括微米级功能芯片和中介基板，所述微米级功能芯片包括外延结构、第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别背对设置在所述外延结构的两侧，且所述第一电极与所述中介基板电连接；当通过流体组装方式使所述微米级器件与支撑基板结合时，所述微米级器件的第二电极直接与所述电路布线层电连接，第一电极经所述中介基板与所述电路布线层电连接。本发明缩小了微米级芯片尺寸、大幅度降低了大规模微米级器件模组的成本，且可通过预选测试挑选微米级功能芯片和微米级器件，大幅度提升大规模微米级器件模组的良率。
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公开(公告)号：CN109841710B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201910293737.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于透明显示的GaN Micro‑LED阵列器件，将硅基GaN Micro‑LED阵列器件的硅衬底层刻蚀掉，然后在硅衬底层的位置粘合上玻璃基板。并公开其制备方法。本发明的可用于透明显示的GaN Micro‑LED阵列器件，首先在硅衬底上制备Micro‑LED阵列器件，然后利用粘结键合和刻蚀技术将器件转移到玻璃基板上。本发明通过绝缘层使得Micro‑LED阵列器件的漏电流更小，不易被氧化；使用硅衬底降低制备成本，更有利于走剥离衬底的路线；通过粘结键合、湿法腐蚀、等离子体刻蚀等方法，将GaN Micro‑LED阵列器件从硅衬底转移到了玻璃基板上，实现了背面出光，可以用于透明显示。
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公开(公告)号：CN108615797B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201810400045.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。并公开了其制备方法。本发明的纳米圆台阵列相对纳米圆柱阵列而言，由于此时纳米结构的侧面不再垂直于底面，更有利于光的出射，设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜，能通过表面等离激元(SPP)的方式更进一步增强光的出射。相较于传统的常规结构和单一的垂直纳米结构，本发明能更好的增强紫外LED的发光效率，同时将几种不同的工艺结合起来，控制圆台斜面倾角，简化制备过程。
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