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公开(公告)号：CN101519773B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910030913.7
申请日：2009-04-20
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455
Abstract: CVD材料生长设备气路的U形管道连接方法，气路中两个卡套式管接头之间的金属管道均采用U形管道，即通过气路空间走向的管路的设计来实现所有连接处均以U形状管道进行连接；且这两个卡套式管接头的开口方向向相同的平行方向。CVD材料生长设备配气装置中气路及元件之间的连接，采用双卡套式管连接，连接管道外形呈U形状；U形的结构还包括各种在U形管上进行延伸角度的管路，U形管的两平行金属管的长度也可有长有短，便于连接应用，亦可在两平行管端部再接出平行的弯管，用以解决两个接头体位置固定后难以实现其间气路管道气密性连接的便捷装卸问题。
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公开(公告)号：CN100418240C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200510094880.4
申请日：2005-10-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 在β-Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β-Ga2O3衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在500-1050℃温度范围通入载气N3，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β-Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500-1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5-10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600-800℃温度和0.1-1小时退火时间进行退火激活。
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公开(公告)号：CN100344006C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510094747.9
申请日：2005-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在一定500-1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500-1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700-900℃和600-800℃生长层厚分别为15-20nm和5-15nm的5-10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。
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公开(公告)号：CN1307687C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200410041677.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34
Abstract: 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在330-400℃，只通入金属有机源三甲基铟5-15分钟，在衬底表面淀积一层In金属纳米点；然后利用金属纳米点作为催化剂和成核中心，在In金属纳米点的形成时，同时通入金属有机源三甲基铟和三甲基铟，合成生长InN纳米点材料。
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公开(公告)号：CN1913178A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610086105.9
申请日：2006-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: AlGaN基共振增强单色紫外探测器结构：在蓝宝石衬底上设有厚度在50－2000nm的低温和高温GaN材料，GaN材料上分别设有15－80nm和15－100nm的5－50个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜为底镜；在上述底镜上设有n－AlxGal－xN/i－GaN/p－AlxGal－xN结构的谐振腔：即设有20－80nm厚的高温n－AlxGal－xN，5－30nm厚的高温i－GaN吸收层，20－80nm厚的高温p－AlxGal－xN，Al组分x≥0.3作为探测器的谐振腔；最后是层厚分别为15－80nm和15－100nm的0－30个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜即顶镜完成RCE紫外探测器结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1300387C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200410065676.5
申请日：2004-11-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，先在蓝宝石衬底上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜制成掩膜区，利用离子束，光刻，电子束曝光方法在掩膜区蚀刻出图形窗口，蓝宝石图形表面蚀刻至粗糙或者被蚀刻深度80nm-2μm，然后将掩膜用腐蚀的方法去除，即可得到图形蓝宝石衬底，用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至蚀刻区被GaN铺满，继续生长可以得到低位错密度氮化镓薄膜。
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公开(公告)号：CN1900745A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610088286.9
申请日：2006-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/08 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L51/00 , H01S5/125 , H01S5/187
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构：从基底到上部的结构为，5－50nm厚的低温LT－GaN、50－2000nm厚的高温HT－GaN和或加入一层厚度为5－100nm的高温HT－AlN；最后为10－50周期的15－80nm高温AlN/15－100nm高温AlxGal－xN，其中Al组分x≥0.3。对反射波长小于360nm的紫外射线的DBR结构；该结构包括：5－50nm厚的低温LT－GaN/50－2000nm厚的高温HT－GaN/和或包括加入一层厚度为5－100nm的高温HT－AlN/最后为10－50周期的15－80nm高温AlN/15－100nm高温AlxGal－xN结构。
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公开(公告)号：CN1265192C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN03158340.7
申请日：2003-09-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种测量金属导体中多点温度变化的处理方法，它在热电偶的测温点及其可能与被测金属导体接触的表面均匀涂敷一层绝缘材料，使之与被测金属导体的接触面实现电气绝缘，并通过可控电子开关进行测量回路切换，方便地实现与计算机等智能测量系统衔接。与现有技术相比，采用本发明后，测量结果准确可靠，重复性好。本发明在测量金属导体中多点温度变化时具有独特的优势和广阔的前景。
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公开(公告)号：CN1763268A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510094184.3
申请日：2005-09-01
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/205
Abstract: 一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的GaN材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，时间为10－60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10－60分钟；然后在500－1050℃温度范围通入载气H2和或N2，NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1－50sccm；NH3气500－7000sccm；N与Ga之摩尔比为500－3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的GaN材料，生长温度500－1050℃温度下，时间为10－60分钟。本发明GaN薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。
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公开(公告)号：CN1632186A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410065676.5
申请日：2004-11-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，先在蓝宝石衬底上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜制成掩膜区，利用离子束，光刻，电子束曝光方法在掩膜区蚀刻出图形窗口，蓝宝石图形表面蚀刻至粗糙或者被蚀刻深度80nm－2μm，然后将掩膜用腐蚀的方法去除，即可得到图形蓝宝石衬底，用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至蚀刻区被GaN铺满，继续生长可以得到低位错密度氮化镓薄膜。
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