公开(公告)号：CN101723894B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200910232198.5

申请日：2009-12-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱海亮 ,  杨莹 ,  石磊 ,  祝祯伟

IPC: C07D215/40 ,  C07D401/12 ,  A61K31/4706 ,  A61K31/4709 ,  A61P35/00

Abstract: 一类喹啉酰胺类衍生物，其特征是它有如下通式：式中：当X＝C，R1＝OH时，R2＝CH3、Cl、Br、F或I，R3＝R4＝R5＝H；或者R3＝Br、F或I，R2＝R4＝R5＝H；或者R4＝Br、F或I，R2＝R3＝R5＝H；或者R5＝Cl、Br、F或I，则R2＝R3＝R4＝H；当X＝N时，R4＝CH3，R1＝Cl、Br、F或I，R2＝R3＝H，无R5；或者R1＝Cl、Br、F或I，R4＝OH或H，R3＝H，无R5。研究发现本发明的喹啉酰胺类衍生物，与VEGFR有很强的特异性结合能力，通过与VEGFR的结合阻断肿瘤细胞中的血管内皮增长因子与VEGFR的结合，从而从根本上抑制癌细胞的血管生成和信号转导，抑制癌细胞的增殖。因此本发明的喹啉酰胺类衍生物可以应用于制备抗肿瘤药物。本发明公开了它们的制法。

公开(公告)号：CN101723894A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910232198.5

申请日：2009-12-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱海亮 ,  杨莹 ,  石磊 ,  祝祯伟

IPC: C07D215/40 ,  C07D401/12 ,  A61K31/4706 ,  A61K31/4709 ,  A61P35/00

Abstract: 一类喹啉酰胺类衍生物，其特征是它有如下通式：式中：当X＝C，R1＝OH时，R2＝CH3、Cl、Br、F或I，R3＝R4＝R5＝H；或者R3＝Br、F或I，R2＝R4＝R5＝H；或者R4＝Br、F或I，R2＝R3＝R5＝H；或者R5＝Cl、Br、F或I，则R2＝R3＝R4＝H；当X＝N时，R4＝CH3，R1＝Cl、Br、F或I，R2＝R3＝H，无R5；或者R1＝C1、Br、F或I，R4＝OH或H，R3＝H，无R5。研究发现本发明的喹啉酰胺类衍生物，与VEGFR有很强的特异性结合能力，通过与VEGFR的结合阻断肿瘤细胞中的血管内皮增长因子与VEGFR的结合，从而从根本上抑制癌细胞的血管生成和信号转导，抑制癌细胞的增殖。因此本发明的喹啉酰胺类衍生物可以应用于制备抗肿瘤药物。本发明公开了它们的制法。

公开(公告)号：CN101660128A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910035389.2

申请日：2009-09-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 石磊 ,  周越 ,  刘治国 ,  殷江

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06

Abstract: 一种栅电介质材料立方相HfO 2 薄膜及其制备方法，通过掺杂Y 2 O 3 获得稳定的立方相的HfO 2 薄膜，Y 2 O 3 的掺杂量的摩尔百分比为0到28之间，所述HfO 2 在常温下为立方相，介电常数27.2。栅电介质材料立方相HfO 2 薄膜利用脉冲激光沉积技术，使用由Y 2 O 3 稳定的立方相HfO 2 陶瓷靶材，在高真空低氧分压下制备。本发明利用脉冲激光沉积的方法，采用金属氧化物Y 2 O 3 和HfO 2 为原材料，以两种材料的二元相图为依据，通过高温固相反应在常温下获得了常温下稳定的立方相HfO 2 ，显著提高了其在常温下的介电常数，并制备得到EOT值小于1.5nmYSH薄膜，这对于HfO 2 这种最具潜力的栅介质材料在将来的应用中提供了新的活力。

公开(公告)号：CN101519345A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910029498.3

申请日：2009-04-10

Applicant: 徐州市心血管病研究所 ,  南京大学

Inventor： 宫海滨 ,  石磊 ,  王洁 ,  刘颖 ,  苏景力 ,  朱海亮

IPC: C07C43/23 ,  C07C41/01 ,  A61K31/085 ,  A61P9/08

Abstract: 一个白藜芦醇衍生物(反式－3，5－二羟基－4’－溴丁氧基二苯乙烯)，它有如右结构式。本发明的白藜芦醇衍生物(反式－3，5－二羟基－4’－溴丁氧基二苯乙烯)有舒张血管的作用。因此，本发明的白藜芦醇衍生物可用于制备舒张血管的药物。本发明公开了其制法。