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公开(公告)号：CN109545964B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201811535870.3
申请日：2018-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于氧化物离子注入的选通材料、选通器单元及其制备方法，所述选通材料的化学通式为MxOyAsz，其中，M是包括但不限于Hf、Ti、Ta或Zr中的任意一种元素，x、y、z均指元素的原子百分比，且满足x+y+z＝100,同时20
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公开(公告)号：CN111244272A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010058967.0
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及，本发明公开了提供一衬底，在该衬底上形成Ta-Sb-Te材料薄膜层，得到Ta-Sb-Te材料片；在该Ta-Sb-Te材料片的该Ta-Sb-Te材料薄膜层上形成阻挡层；图形化该阻挡层，得到刻蚀准备片；将该刻蚀准备片放入存在CF4气体和Ar气体的刻蚀腔中，通过施加电压，将CF4气体和Ar气体激发成等离子体对该刻蚀准备片上暴露出来的Ta-Sb-Te材料进行去除；去除该阻挡层，得到Ta-Sb-Te材料刻蚀片。本发明提供的相变材料的干法刻蚀方法具有刻蚀形貌好和刻蚀损伤少的特点。
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公开(公告)号：CN106711325A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510792042.8
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法，所述相变薄膜材料的通式为NixTiySbzTe100-x-y-z，其中0＜x≤40，15≤y≤85，15≤z≤85，30≤x+y+z
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公开(公告)号：CN105913119A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610210819.X
申请日：2016-04-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06N3/063
CPC classification number: G06N3/063
Abstract: 本发明提供一种行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法，所述类脑芯片中，连线模拟神经元网格中的突触，其中横向连线代表神经元的树突，纵向连线代表神经元的轴突；信号处理核心代表神经元细胞体的功能，其位于行列连线的对角线交叉位置，根据输入信号决定是否进入神经元的兴奋状态，并将兴奋的程度转化为输出电压输出到纵向连线；信号传输核心代表神经元的学习记忆功能，其位于所有编号不同的横向连线和纵向连线交叉点处，从纵向连线获取输入电压信号，经过特定算法计算后，将结果输出到横向连线上。所述使用方法包括学习模式和工作模式。本发明的行列互联的异构多核心类脑芯片能够记忆概念和概念之间的关系，并根据记忆内容，完成预测功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047816A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510391019.8
申请日：2015-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的组分通式为CrxGe2Sb2Te5，其中，x为Cr元素的原子比，且满足0.5
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公开(公告)号：CN102779941B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210300829.4
申请日：2012-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种低功耗的相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括上下两个电极，该上下两个电极中至少一个为由两种不同导电材料以纳米级厚度交替层状生长而成的多层结构。本发明还提供了制作低功耗相变存储器的方法，本发明所制作的相变存储器有效地将焦耳热抑制在相变材料区域，提高了加热效率，降低了器件功耗。
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