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1.

发明公开
一种相变材料的干法刻蚀方法无效

公开(公告)号：CN111244272A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010058967.0

申请日：2020-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 许永康 , 宋三年 , 宋志棠

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及，本发明公开了提供一衬底，在该衬底上形成Ta-Sb-Te材料薄膜层，得到Ta-Sb-Te材料片；在该Ta-Sb-Te材料片的该Ta-Sb-Te材料薄膜层上形成阻挡层；图形化该阻挡层，得到刻蚀准备片；将该刻蚀准备片放入存在CF4气体和Ar气体的刻蚀腔中，通过施加电压，将CF4气体和Ar气体激发成等离子体对该刻蚀准备片上暴露出来的Ta-Sb-Te材料进行去除；去除该阻挡层，得到Ta-Sb-Te材料刻蚀片。本发明提供的相变材料的干法刻蚀方法具有刻蚀形貌好和刻蚀损伤少的特点。

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