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公开(公告)号：CN102946297B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210446605.4
申请日：2012-11-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04L1/00
CPC classification number: H04L1/0061 , H03M13/09 , H03M13/616
Abstract: 本发明公开了一种用于数据传输差错控制的嵌套CRC码生成方法，包括：对待计算数据进行分段，根据数据类型为各数据段分配所需CRC码计算通道，各计算通道进行CRC码计算，对计算得到的各CRC子码进行排序。根据实际需要，排序后的CRC子码可直接送入最终的CRC码计算通道，也可作为新的待计算数据，多次重复上述CRC子码计算再送入最终的CRC码计算通道生成嵌套CRC码。本发明还公开了一种嵌套CRC码生成装置，包括数据分段模块、计算通道选择模块、多通道CRC码计算模块、数据排序模块、寄存器、计数器、数据分配器、单通道CRC码计算模块。本发明的装置计算速度快，灵活性好，并且采用本发明的方法，因此所需存储容量小、纠错能力强，适用的范围广。
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公开(公告)号：CN102447061B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201110410678.3
申请日：2011-12-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/141 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了一种高速低功耗相变存储器的制备方法，该方法采用具有相变速度快和热导率低的超晶格薄膜材料作为相变材料，利用电感耦合等离子干法刻蚀该材料，形成形貌优良、侧壁陡直、一致性好的相变存储器单元。步骤为：①清洗衬底；②依次沉积金属薄膜和绝缘层薄膜；③沉积超晶格薄膜相变材料；④涂胶、光刻形成光刻胶作为刻蚀掩膜；⑤用电感耦合等离子刻蚀设备刻蚀超晶格薄膜材料；⑥去除光刻胶掩膜；⑦依次沉积绝缘层薄膜和金属薄膜。本工艺充分利用电感耦合等离子干法刻蚀对超晶格相变薄膜材料刻蚀的各向异性、一致性等特点，使制备的相变存储器具有高速低功耗的性能，并能很好地应用到高密度集成和大规模产业化生产中。
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公开(公告)号：CN103885840A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410138005.0
申请日：2014-04-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于AXI4总线的FCoE协议加速引擎IP核，包括发送模块和接收模块，其中发送模块包括发送帧封装单元、发送描述符与寄存器管理单元、发送帧FIFO单元、发送队列选择单元、发送buffer单元和发送AXI4总线单元；接收模块包括接收FCoE帧解封装单元、接收描述符与寄存器管理单元、接收帧FIFO单元、接收队列选择单元、接收buffer单元和接收AXI4总线单元。该IP核建立在AXI4总线基础之上，专门针对以太网光纤通道领域以硬件处理FCoE帧加速协议处理的需要，由FCoE网络适配器CPU进行控制，采用全双工工作模式，实时高效，数据吞吐量大，传输速率高。
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公开(公告)号：CN103832963A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410017400.3
申请日：2014-01-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微气泡发生器及其制备方法。微气泡发生器包括衬底、两个双层石墨烯电极和碳纳米管；两个双层石墨烯电极位于衬底上，电极间距为1～8μm，碳纳米管连接两个双层石墨烯电极，用作加热组件。制备方法包括如下步骤：在生长有双层石墨烯的金属箔表面旋涂PMMA；去除金属箔，将PMMA保护的双层石墨烯转移至衬底上，热处理使双层石墨烯与衬底紧密结合；除去PMMA；氧等离子体反应刻蚀双层石墨烯，得到两个双层石墨烯电极以及连接两个电极的双层石墨烯纳米带；在真空条件下进行退火处理，使双层石墨烯纳米带边缘闭合形成碳纳米管，完成微气泡发生器的制备。本发明降低了微气泡发生器的功耗，有效延长了微气泡发生器的寿命，且器件结构简单，设计灵活。
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公开(公告)号：CN100515776C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710053288.9
申请日：2007-09-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于碳纳米管微气泡发生器的喷印阀及其制备方法。喷印阀由制作有碳纳米管微气泡发生器的玻璃衬底或硅衬底和经微加工的硅基底键合而成。碳纳米管、二个金电极以及二氧化硅层构成碳纳米管微气泡发生器；碳纳米管架设于金电极之间；碳纳米管与金电极的接触部位覆盖二氧化硅层；硅基底上开有通孔作为进液管，在硅基底的表面开有与进液管相连的凹槽；衬底与硅基底键合，使碳纳米管微气泡发生器与凹槽的位置相对，形成喷嘴。其制备方法是在衬底上制作碳纳米管微气泡发生器，在硅基底上制作进液管和凹槽，再将二者键合即可。本发明克服了传统微气泡发生器功耗大的缺点，并具有良好的高密度集成的潜力，在先进制造领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101130300A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710053288.9
申请日：2007-09-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于碳纳米管微气泡发生器的喷印阀及其制备方法。喷印阀由制作有碳纳米管微气泡发生器的玻璃衬底或硅衬底和经微加工的硅基底键合而成。碳纳米管、二个金电极以及二氧化硅层构成碳纳米管微气泡发生器；碳纳米管架设于金电极之间；碳纳米管与金电极的接触部位覆盖二氧化硅层；硅基底上开有通孔作为进液管，在硅基底的表面开有与进液管相连的凹槽；衬底与硅基底键合，使碳纳米管微气泡发生器与凹槽的位置相对，形成喷嘴。其制备方法是在衬底上制作碳纳米管微气泡发生器，在硅基底上制作进液管和凹槽，再将二者键合即可。本发明克服了传统微气泡发生器功耗大的缺点，并具有良好的高密度集成的潜力，在先进制造领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1967848A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610125087.0
申请日：2006-11-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/115 , H01L27/04 , H01L21/8247 , H01L21/822 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法，本发明铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成；二氧化钛粘结层的厚度为10～30nm；下电极金属层的厚度为100nm～200nm；下缓冲层的厚度为5～20nm；铁电薄膜层的厚度为200nm～500nm；上缓冲层的厚度为100nm～200nm；上电极金属层的厚度为80nm～150nm。本发明铁电存储器用铁电薄膜电容疲劳速率小，漏电流较小。本发明铁电存储器用铁电薄膜电容采用磁控溅射的方法逐层溅射制备，制备的薄膜结晶性能较好，可获得单一取向的薄膜。
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公开(公告)号：CN1232728C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03118917.2
申请日：2003-04-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: F04B43/04
Abstract: 本发明公开了一种无阀薄膜驱动型微泵，该微泵是一种单膜双腔结构，双腔中间由基底膜与功能膜构成的驱动膜完全隔离，每个泵腔通过各自的锥形扩散管与进水孔相连，通过各自的锥形收缩管与出水孔相连。本发明采用单膜双腔结构，利用信号控制两个腔体容积的变化，使两个腔体容积变化得到实时互补，输出流量稳定，且具有结构及制备工艺简单、响应快、驱动频率宽、可控性强、能耗低、寿命长等特点。此外，本发明可采用微细加工和微机械技术相兼容的材料和工艺制造，具有体积小、成本低、容易和其它微检测和微控制元件集成等特点，适应于大批量生产，具有可观的应用前景。
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公开(公告)号：CN120046669A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510088627.5
申请日：2025-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06N3/063 , G16C60/00 , G06N3/045 , G06N3/0442
Abstract: 本发明属于新型计算硬件领域，公开了一种混合拓扑结构的微纳材料物理储备池及相应的计算系统，其中，混合拓扑结构的微纳材料物理储备池包括连接板，以及分别位于该连接板正反面上的第一、第二微纳材料网络物理储备池；这2个微纳材料网络物理储备池独立的选自ESN、LSM；这两个网络的节点进行堆叠或者并联。本发明通过在同一块连接板的正、反两面分别构建第一和第二微纳材料网络物理储备池如此形成混合拓扑结构的物理储备池，能够提高系统的非线性映射能力和并行处理能力，降低训练的复杂度，能够解决现有的碳纳米管物理储备池计算性能低、规模受限的技术问题。
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公开(公告)号：CN112909092B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110068578.0
申请日：2021-01-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管‑石墨烯共价异质结隧穿场效应晶体管，属于隧穿场效应晶体管技术领域，包括：栅区，源区，漏区，沟道区；所述沟道区包括沿源区至漏区方向依次排布的沟道一段、沟道二段和沟道三段；所述沟道一段和沟道三段均为弯曲的zigzag型石墨烯纳米带，所述沟道二段为碳纳米管；所述源区与漏区均为armchair型石墨烯纳米带；所述源区、漏区以及沟道区组成石墨烯‑碳纳米管共价异质结。如此，在隧穿晶体管处于开态时，armchair型石墨烯(源区)中电子能够通过无带隙的zigzag型石墨烯直接输运到碳纳米管(沟道)；此时，碳纳米管沟道与armchair型石墨烯之间不存在隧穿势垒，电子从源区输运到沟道的几率大大增加，隧穿晶体管器件的开态饱和电流增加一个量级。
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