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公开(公告)号：CN117913186A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311810408.0
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请提供一种附着纳米天线的铝镓氮基发光单元及制备方法，属于半导体光源技术领域。该附着纳米天线的铝镓氮基发光单元包括：多个纳米天线及铝镓氮层；各纳米天线以预设间距周期性附着在所述铝镓氮层的表面。本申请的方法，通过在铝镓氮层上添加纳米天线，通过纳米天线的振荡形成局域电场，实现与深紫外光共振，增加铝镓氮的自发辐射率、提高铝镓氮层的外量子效率。
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公开(公告)号：CN117849571A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410263817.1
申请日：2024-03-08
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请提供一种硅光电倍增管测试系统，涉及硅光电倍增管测试技术领域。该系统包括：待测硅光电倍增管；温度控制模块，包括TEC制冷片、温度传感器和温度控制单元，TEC制冷片与待测硅光电倍增管贴接，温度控制模块分别与TEC制冷片和温度传感器电性连接；放大取样模块，与待测硅光电倍增管电性连接，用于对待测硅光电倍增管输出的目标输出信号进行放大取样处理，得到放大取样信号；信号分析模块，与放大取样模块电性连接，用于在接收到放大取样信号后，对放大取样信号进行转换处理，得到检测信息，对检测信息进行可视化处理，并展示可视化处理后的可视化波形，本申请的系统，提高了硅光电倍增管测试系统的检测效果。
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公开(公告)号：CN114551629B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210441131.8
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种紫外‑可见光波段可分辨光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测技术领域，紫外‑可见光波段可分辨光电探测器包括：衬底、光吸收复合层和光收集复合层，光收集复合层与光吸收复合层依次层叠设置在衬底上，光收集复合层用于收集光吸收复合层产生的载流子，以形成光电流；光吸收复合层包括依次层叠设置正极性光吸收层与负极性光吸收层，正极性光吸收层用于吸收可见光，产生的光电流方向为正，负极性光吸收层用于吸收紫外光，产生的光电流方向为负。本申请的紫外‑可见光波段可分辨光电探测器能实现紫外光和可见光的波段可分辨，结构简单、使用方便，在保密光通信等方向具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN113284964B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110438858.6
申请日：2021-04-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例提供一种导模光电探测器。其中，导模光电探测器包括：光波导结构，包括芯层和包裹芯层的包层，芯层延第一方向延伸预设距离，芯层的第一端用于接收目标入射光；目标入射光进入光波导结构后以导模光的形式沿第一方向传播；P型欧姆接触区和N型欧姆接触区，为芯层两侧的掺杂部分，均沿第一方向延伸；以及，P型电极和N型电极，沿第一方向延伸，并且P型电极与P型欧姆接触区的侧面贴合，N型电极与N型欧姆接触区的侧面贴合，用于收集目标入射光与芯层相互作用所产生的光生载流子。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。
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公开(公告)号：CN109586146B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910023024.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种太赫兹波发生器。该发生器包括衬底、N‑型DBR反射镜、至少两个激光发射组件、钝化层、N‑型电极、P‑型电极、光栅层和非线性晶体；激光发射组件用于发射激光；N‑型DBR反射镜沉积于衬底的任一端面上；每一激光发射组件沉积于每一凸起结构上；钝化层覆盖沉积在激光发射组件和N‑型DBR反射镜表面上，且钝化层的第一部位处设有开口；非线性晶体相对开口、固定置于与开口相距预设距离的位置；N‑型电极贯穿钝化层与N‑型DBR反射镜电连接；P‑型电极环绕开口、贯穿钝化层与激光发射组件电连接；且各个激光发射组件之间的连接方式为串联连接或并联连接。应用本发明实施例提供的发生器具有高的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117913186B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202311810408.0
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请提供一种附着纳米天线的铝镓氮基发光单元及制备方法，属于半导体光源技术领域。该附着纳米天线的铝镓氮基发光单元包括：多个纳米天线及铝镓氮层；各纳米天线以预设间距周期性附着在所述铝镓氮层的表面。本申请的方法，通过在铝镓氮层上添加纳米天线，通过纳米天线的振荡形成局域电场，实现与深紫外光共振，增加铝镓氮的自发辐射率、提高铝镓氮层的外量子效率。
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公开(公告)号：CN118276618B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410694059.9
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G05D23/24
Abstract: 本申请提供一种温度控制装置以及温度控制系统。该装置包括：TEC制冷片，与目标芯片连接，用于对目标芯片进行制冷；温度控制电路模块，温度控制电路模块包括误差放大器模块、PID控制器模块、以及电流监控模块，其中，误差放大器模块用于对温度传感器的温度信息进行转换处理，得到电压信号，并根据电压信号、以及对目标芯片的温度要求，确定误差信号；PID控制器模块用于对接收到的误差信号进行转换处理，得到初始控制信号，并对初始控制信号进行降噪处理，得到目标控制信号；电流监控模块用于调节TEC制冷片中的电流的大小和方向。本申请通过对目标芯片的瞬态温度调控，从而稳定控制目标芯片的温度，降低了温度对目标芯片工作性能和稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN117471265A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311408089.0
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01R31/26 , G06F30/367 , G01J1/44
Abstract: 本申请提供一种雪崩光电二极管仿真电路。该电路包括：光子入射单元、阴极、阳极、电流单元、触发开关以及自持开关；所述光子入射单元的输出端与所述触发开关的正极控制端连接，用于输出脉冲电压以模拟光子输出，所述脉冲电压用于控制所述触发开关的通断；所述电流单元的输入端与阴极连接，输出端分别与所述触发开关的输入端、所述自持开关的输入端连接，用于根据电流概率分布函数提供动态的雪崩电流；所述触发开关的输出端、所述自持开关的输出端与阳极连接，所述触发开关的负极控制端接地。由于本申请电路中的电流单元能够根据电流概率分布函数确定随机的电流值，能够有效模拟雪崩信号的随机性，从而提高了模拟雪崩光电二极管特性的准确率。
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公开(公告)号：CN116936654A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210335988.1
申请日：2022-03-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种硅基集成光电探测器及其制备方法，包括硅光波导、波长转换波导和硅光电探测器，硅光波导用于接收并传输入射光，入射光其波长大于1100nm；波长转换波导设置于硅光波导的后方，用于波长下转换，将入射光转换为波长小于1100nm的转换光；硅光电探测器设置于波长转换波导的后方，用于将接收到的光信号转换为电信号。该结构可实现通信波段硅基集成光电探测，且由于硅材料晶格完整，探测的灵敏度高。
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