公开(公告)号：CN117913186B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202311810408.0

申请日：2023-12-26

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 王彦贞 ,  胡安琪 ,  刘巧莉 ,  郭霞

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01Q1/22

Abstract: 本申请提供一种附着纳米天线的铝镓氮基发光单元及制备方法，属于半导体光源技术领域。该附着纳米天线的铝镓氮基发光单元包括：多个纳米天线及铝镓氮层；各纳米天线以预设间距周期性附着在所述铝镓氮层的表面。本申请的方法，通过在铝镓氮层上添加纳米天线，通过纳米天线的振荡形成局域电场，实现与深紫外光共振，增加铝镓氮的自发辐射率、提高铝镓氮层的外量子效率。

公开(公告)号：CN117913186A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311810408.0

申请日：2023-12-26

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 王彦贞 ,  胡安琪 ,  刘巧莉 ,  郭霞

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01Q1/22

Abstract: 本申请提供一种附着纳米天线的铝镓氮基发光单元及制备方法，属于半导体光源技术领域。该附着纳米天线的铝镓氮基发光单元包括：多个纳米天线及铝镓氮层；各纳米天线以预设间距周期性附着在所述铝镓氮层的表面。本申请的方法，通过在铝镓氮层上添加纳米天线，通过纳米天线的振荡形成局域电场，实现与深紫外光共振，增加铝镓氮的自发辐射率、提高铝镓氮层的外量子效率。