一种空间微小碎片MOS电容传感器信号采集电路

    公开(公告)号:CN116754845A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310329874.0

    申请日:2023-03-30

    Abstract: 一种空间微小碎片MOS电容传感器信号采集电路,利用空间碎片撞击到MOS电容传感器产生的电压脉冲信号,包括放大器、阈值比较器、事件记录电路、脉冲信号采集电路,MOS电容传感器输出的电压脉冲经放大后;一路信号在大于设置阈值时经比较器输出为数字(状态)信号,数字信号在寄存器中保持,并编码;另一路信号经成滤波后输入到ADC,进行实施采集。电路针对MOS电容传感器的开路和短路模式,设置测量电阻和阈值,消除MOS电容表面接受的空间等离子充电电流信号引起的干扰、对MOS电容传感器工作状态是否短路、开路进行测量。

    一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法

    公开(公告)号:CN105869679A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610183678.7

    申请日:2016-03-28

    CPC classification number: G11C29/10 G11C29/56

    Abstract: 本发明涉及一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法,步骤如下:(1)选定初始向配置区注入的翻转位数N;(2)随机选择FPGA配置区N位进行故障注入,运行FPGA,记录FPGA输出是否出现错误;(3)重复第(2)k次,直到失效率在30%到70%;(4)根据实际条件,按照最终选定的N,进行尽量多次的故障注入,获得较好的统计性,推荐注入以N位随机翻转的故障注入试验次数不的小于30次;(5)最终得到注入N位随机故障后电路失效率为λN,然后用1?(1?λN)M/N估计电路的失效率上限,得到电路设计的SEU数目M?电路失效率λM评估结果。采用本发明的方法通过次数很少的故障注入,即可对FPGA电路设计抗SEU性能作出有效评价,大大减少了实验的次数和评估的周期。

    一种FPGA单粒子软错误影响评估方法

    公开(公告)号:CN104461808A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410636120.0

    申请日:2014-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种FPGA单粒子软错误影响评估方法,能够针对未采取防护措施的SRAM型FPGA的具体配置,综合考虑SRAM型FPGA的设计结构和资源占用量,获得了FPGA内部单元单粒子软错误故障的传递概率,并分析得到单粒子软错误对SRAM型FPGA的整体影响,使得卫星电子产品设计师能够掌握单粒子软错误对SRAM型FPGA的整体影响,有利于指导SRAM型FPGA的抗单粒子软错误设计。

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