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公开(公告)号:CN116754845A
公开(公告)日:2023-09-15
申请号:CN202310329874.0
申请日:2023-03-30
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G01R27/26
Abstract: 一种空间微小碎片MOS电容传感器信号采集电路,利用空间碎片撞击到MOS电容传感器产生的电压脉冲信号,包括放大器、阈值比较器、事件记录电路、脉冲信号采集电路,MOS电容传感器输出的电压脉冲经放大后;一路信号在大于设置阈值时经比较器输出为数字(状态)信号,数字信号在寄存器中保持,并编码;另一路信号经成滤波后输入到ADC,进行实施采集。电路针对MOS电容传感器的开路和短路模式,设置测量电阻和阈值,消除MOS电容表面接受的空间等离子充电电流信号引起的干扰、对MOS电容传感器工作状态是否短路、开路进行测量。
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公开(公告)号:CN110677967B
公开(公告)日:2021-09-07
申请号:CN201910883278.0
申请日:2019-09-18
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于法拉第杯的卫星表面等离子体充电电流监测方法。通过确定卫星表面充电电流的测量对象及范围;设计法拉第杯探头;法拉第杯探头在卫星上的安装;确定卫星表面充电电流真实数据与法拉第杯探头测量数据的关系,实现对空间等离子对卫星表面充电电流的包络和有效反演。本发明的方法能够有效反映卫星表面等离子体充电电流大小,为卫星表面带电状态和带电风险的评估提供依据。
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公开(公告)号:CN105869679A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201610183678.7
申请日:2016-03-28
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 本发明涉及一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法,步骤如下:(1)选定初始向配置区注入的翻转位数N;(2)随机选择FPGA配置区N位进行故障注入,运行FPGA,记录FPGA输出是否出现错误;(3)重复第(2)k次,直到失效率在30%到70%;(4)根据实际条件,按照最终选定的N,进行尽量多次的故障注入,获得较好的统计性,推荐注入以N位随机翻转的故障注入试验次数不的小于30次;(5)最终得到注入N位随机故障后电路失效率为λN,然后用1?(1?λN)M/N估计电路的失效率上限,得到电路设计的SEU数目M?电路失效率λM评估结果。采用本发明的方法通过次数很少的故障注入,即可对FPGA电路设计抗SEU性能作出有效评价,大大减少了实验的次数和评估的周期。
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公开(公告)号:CN104461808A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410636120.0
申请日:2014-11-06
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G06F11/26
Abstract: 本发明公开了一种FPGA单粒子软错误影响评估方法,能够针对未采取防护措施的SRAM型FPGA的具体配置,综合考虑SRAM型FPGA的设计结构和资源占用量,获得了FPGA内部单元单粒子软错误故障的传递概率,并分析得到单粒子软错误对SRAM型FPGA的整体影响,使得卫星电子产品设计师能够掌握单粒子软错误对SRAM型FPGA的整体影响,有利于指导SRAM型FPGA的抗单粒子软错误设计。
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