公开(公告)号：CN113782528A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111330860.8

申请日：2021-11-11

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 赵东艳 ,  成睿琦 ,  赵扬 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  王立城 ,  付振 ,  王树龙 ,  罗宗兰

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L23/552 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法，属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括：基体；第一掺杂区，形成于所述基体，所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区；第二掺杂区，形成于所述基体，所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离，所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反；互连层，具有导电性，与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。

公开(公告)号：CN110299299A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910602633.2

申请日：2019-07-05

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

Inventor： 单书珊 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  赵扬 ,  潘成

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明公开了一种基于手动绑线机的高密度封装芯片失效定位方法，包括如下步骤：S1：提供COB转接板，并对转接板进行开窗预处理；S2：提供透明薄载玻片；S3：将芯片背面开封或者正面开封，露出硅基面；S4：将芯片的开封面朝向载波片，并进行粘接固定；S5：芯片粘接固定后将透明薄载玻片粘到转接板的开窗部位，使得硅基面朝向待观测面；S6：设置绑线机参数；S7：使用绑线机将芯片的待测针脚与转接板的指定管脚相连接；以及S8：使用EMMI定位芯片失效位置。本发明的高密度封装芯片失效定位方法克服了直接开封测试法中由许多类型封装无外延针脚无法测试问题，也可以规避芯片取die直测法无法背面定位的问题，同时具备价格低廉、使用范围广的优点。

公开(公告)号：CN107564829A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710734193.7

申请日：2017-08-24

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司

Inventor： 蔡斌 ,  李建强 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  乔彦彬 ,  赵扬 ,  刘晓昱

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。

公开(公告)号：CN120009617A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510218570.6

申请日：2025-02-26

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  华北电力大学(保定)

Inventor： 赵扬 ,  罗广孝 ,  高杰 ,  陈文颖 ,  黄保成 ,  曲伟 ,  成睿琦 ,  张卫东 ,  翟振 ,  仝傲宇

IPC: G01R27/02 ,  G01R35/00

Abstract: 本发明公开了一种宽频电流传感器转移阻抗特性测量校准装置，可用于变电站控保设备线缆耦合骚扰电流测量用的宽频传感器校准，包括矩形金属板构成的凹型金属腔体、焊接在凹型金属腔体两侧金属板中心的SMA端口、标准的盘式圆环薄片低阻值电阻，可拆卸的圆形金属连接杆和高频连接同轴电缆。两个SMA端口焊接在凹型金属腔体两侧金属板中心，其中一个SMA端口的中心导体和外导体间焊接标准的2欧姆盘式圆环薄片低阻值电阻；可拆卸的金属连接杆连接两个SMA端口在凹型槽内部部分的中心导体，构成传输通路；被测的电流传感器放置在附加低阻值盘式圆环薄片低阻值电阻的金属板上，金属连接杆从电流传感器中心位置穿过。

公开(公告)号：CN118610265B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411082426.6

申请日：2024-08-08

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  吴波 ,  王凯 ,  邓永峰 ,  郁文 ,  刘倩倩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体领域。晶体管包括：衬底，由下至上依次包括：第一衬底层、第一氧化层、重掺杂硅层及突出于重掺杂硅层的第二衬底层和第二氧化层；第二氧化层包括栅氧化层和场板氧化层，场板氧化层厚度大于栅氧化层厚度；重掺杂多晶硅层和第三氧化层形成于未被第二氧化层和第二衬底层覆盖的重掺杂硅层上；重掺杂多晶硅层、第三氧化层、形成于体区及部分漂移区底部的第二氧化层和重掺杂多晶硅层、体区及部分漂移区底部的重掺杂硅层作为第二栅极，剩余的重掺杂硅层和第二氧化层作为第二场板。本发明能够增加载流子流通通道，增大晶体管的工作电流。

公开(公告)号：CN118011175A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410420863.8

申请日：2024-04-09

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院

Inventor： 陈燕宁 ,  刘芳 ,  宋斌斌 ,  王凯 ,  赵扬 ,  朱亚星 ,  左阿惠 ,  许玉洁 ,  孟庆萌 ,  常泽洲 ,  齐宇

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种晶体管器件缺陷分析方法及系统，涉及半导体器件检测领域。分析方法包括：搭建缺陷检测平台，并检测缺陷检测样品的初始瞬态电容；其中，缺陷检测样品包括在衬底上形成的多个晶体管器件，晶体管器件具有金属/氧化物/半导体层叠结构，每一晶体管器件的栅极通过梳状导电结构连接至第一引脚，缺陷检测样品的衬底连接至第二引脚；搭建电磁干扰平台，并对缺陷检测样品进行电磁干扰；检测损伤瞬态电容；基于初始瞬态电容确定初始缺陷能级和初始缺陷浓度，基于损伤瞬态电容确定损伤缺陷能级和损伤缺陷浓度；确定缺陷检测样品的电磁损伤程度。通过本发明提供的分析方法，能够探测晶体管器件的微观缺陷，准确测量晶体管器件的缺陷能级。

公开(公告)号：CN116840590A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310628180.7

申请日：2023-05-30

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京航空航天大学

Inventor： 陈燕宁 ,  赵扬 ,  刘芳 ,  阎照文 ,  高杰 ,  成睿琦 ,  赵富裕

IPC: G01R31/00 ,  G01R29/08

Abstract: 本发明提供一种电磁环境电力芯片检测装置及系统，属于电磁特征采集领域，包括：室外电磁环境检测单元，设置在室外电磁环境中，用于检测电力设备的电磁环境，生成室外电磁信号；室内电磁环境复现单元，用于根据接收到的室外电磁信号在微波暗室内对室外电磁信号进行模拟；芯片电磁特征检测单元，包括电磁特征检测模块和高速采集卡，电磁特征检测模块用于检测设置在微波暗室内的样品芯片的电磁特征，生成电磁特征信号，高速采集卡与电磁特征检测模块连接，用于对接收到的电磁特征信号进行显示。通过本发明提供的装置，能够在实验室模拟真实环境的电磁场景，对芯片的电磁兼容性进行测试和评估，以确保设备能够在真实的电磁环境下正常工作。

公开(公告)号：CN116231314B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310464492.9

申请日：2023-04-27

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京航空航天大学

Inventor： 高杰 ,  成睿琦 ,  陈燕宁 ,  赵扬 ,  曹波 ,  任强 ,  王琳 ,  朱慧 ,  杨小娟

IPC: H01Q5/20 ,  G01R29/08 ,  H01Q5/10 ,  H01Q5/50 ,  H01Q1/00 ,  H01Q9/04

Abstract: 本发明提供一种结合二维材料的电磁环境测量天线，属于无线电测量技术领域。所述结合二维材料的电磁环境测量天线，所述电磁环境测量天线包括：介质基板、微带馈线和辐射单元；所述辐射单元包括四个菱形环辐射贴片，四个菱形环辐射贴片呈阵列布置在所述介质基板上表面，每个菱形环辐射贴片与相邻的两个菱形环辐射贴片顶点相连；所述微带馈线设于介质基板上表面，与任意两个菱形环辐射贴片的连接处相连。该天线工作于太赫兹频段，天线的结构简单，该结构能产生双谐振频率，具有双频特性。

公开(公告)号：CN115939197B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310061014.3

申请日：2023-01-19

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

Inventor： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  刘春颖 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  鹿祥宾 ,  李君建

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。LDMOSFET器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙；在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，形成具有封闭的空气侧墙的场板隔离结构；在场板隔离结构上形成栅极和场板。本发明通过空气侧墙将场板隔离结构中的氧化物与漂移区的硅从侧面隔离开，彻底消除隔离结构侧面、上角处和下角处的二氧化硅与硅之间的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；具有空气侧墙的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN115863397B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202310056857.4

申请日：2023-01-19

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

Inventor： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  邵亚利 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  朱亚星

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；异质结延伸区，形成于漂移区的上表面，异质结延伸区包括漂移延伸层和层叠设置于漂移延伸层之上的碳化硅延伸层，漂移延伸层与碳化硅延伸层具有不同的导电类型，漂移延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于异质结延伸区的两侧；栅极，形成于体区之上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够减轻漂移区表面电子的聚集，改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。