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公开(公告)号：CN103954899A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410140784.8
申请日：2014-04-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种实时测量二极管瞬态温升的方法。首先，在不同温度下对被测二极管进行I-V特性的测量，得到I-V特性曲线。其中二极管所加的电流为窄脉冲电流，可防止二极管自升温。然后，根据I-V特性曲线得到不同电流下电压随温度变化的关系曲线，再利用半导体参数分析仪采集二极管在不同电流下电压随时间的变化关系，结合之前得到的不同电流下电压随温度变化的关系曲线，即可得到二极管的瞬态温升。本发明采用无开关测试装置实时测量二极管瞬态温升，与带有开关切换装置的现有测量方法相比，消除了因开关切换延迟引起的温升误差。同时，图示仪产生的窄脉冲电流，脉宽足够小，可有效避免二极管自升温对温升的影响，使测试精度有很大提高。
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公开(公告)号：CN103822731A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410079725.4
申请日：2014-03-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K7/16
Abstract: 本发明涉及一种VDMOS器件结温测的试方法，包括VDMOS器件1、温箱2、图示仪3、器件夹具4。所述方法在不同温度下对器件进行通态电阻的测量，得到温度-通态电阻的关系曲线；然后，使器件处于工作状态，测量其输出特性曲线，并由输出特性曲线计算通态电阻；最后，根据之前的温度-通态电阻关系曲线，得到该通态电阻对应的结温。本发明采用无开关装置结温测量法，消除了因开关切换延迟引起的结温测量误差。利用图示仪给被测器件加窄脉冲大电流，可避免器件自升温对结温的影响，并且对器件没有损伤，在保证器件安全的同时，提高了结温测量精度。
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公开(公告)号：CN103246787A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310201219.3
申请日：2013-05-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种快速评价半导体器件可靠性的方法，属于可靠性评价技术领域。该方法利用半导体器件的参数退化模型，对半导体器件的可靠性进行评价。参数退化模型是基于均相反应动力学原理，考虑退化过程中反应量的浓度变化规律建立的。本方法解决了退化量随时间单调退化、先上升后下降或先下降后上升等非单调退化等实验中半导体器件参数的不同退化规律问题，利用参数退化模型快速外推器件长期退化规律，评价器件的可靠性，缩短实验时间。
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公开(公告)号：CN103245694A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310174157.1
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明属于电子器件测试领域，公开了一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法。首先测出待测半导体器件的电压-温度系数曲线，绘制其热阻微分结构函数曲线，进而求出其内部热阻Rth0。然后，测量不同压力F下半导体器件到接触材料的热阻Rth1、Rth2、…、Rthn，进行函数拟合得到Rth-F曲线，并由此求出接触材料的热阻RT。最后由R=Rth-Rth0-RT求出不同压力下半导体器件与接触材料之间的接触热阻。本发明利用压力影响接触热阻的方法，不仅解决了瞬态光热法中光相位受影响及热阻测量受半导体器件内部结构影响的问题，还可以在不损伤半导体器件的条件下准确测出压力与接触热阻的关系。
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公开(公告)号：CN118085308A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410058732.X
申请日：2024-01-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提出了一种纳米阵列的自组装及复合方法与复合异质结催化剂及其应用，属于催化剂研发和制备技术领域。本发明通过多种技术手段优化晶体纳米片层厚度，以实现对二维MOF晶体宏观柔性的控制，从而强化异质结相间接触，在不同基底材料上原位生长基于自组装纳米阵列的高性能双MOF复合异质结构，收获显著提升的内建电场强度、电子相间传输效率以及大大增强的光催化性能。本发明首次通过晶体形貌调控来促进异质结相间接触情况和催化性能，且方法简单、易于实施，可实现绿色批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115232320A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210462939.4
申请日：2022-04-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种采用修饰剂系统调控晶体MOFs晶体尺寸和形貌的绿色方法，属于MOFs材料领域。以稳定性相对较好、制备成本相对较低且性能优势较为明显的多种经典ZIF系列晶体为研究对象，借助晶体生长修饰剂，简单、温和地调控晶体形貌和尺寸(径厚比)、开发具有特殊形貌的新型晶体。
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公开(公告)号：CN114216456A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111426697.5
申请日：2021-11-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于IMU与机器人本体参数融合的姿态测量方法，通过配置机器人通讯接口读取本体参数，采用D‑H建模求解得到基于机器人本体参数的末端姿态角。固定在机器人末端的陀螺仪和加速度计组成外部惯性测量单元，将测得的数据利用卡尔曼滤波思想进行姿态解算，得到基于IMU的机器人末端姿态角。以基于外部IMU测量解算得到的末端姿态角作为先验预测量，以基于机器人本体参数解得的末端姿态角作为量测量进行后验更新，采用卡尔曼滤波进行数据融合，得到基于IMU与机器人本体参数融合的姿态角。本发明将外部IMU与机器人本体参数相结合，不仅可以降低由于惯性传感器漂移、积分计算造成的累积误差，提高姿态测量精度，而且无需添加外部大型测量设备。
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公开(公告)号：CN111750789B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010520395.3
申请日：2020-06-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01B11/14 , G01B11/08 , G01B11/24 , G01B11/00 , G06T7/00 , G06T7/11 , G06T7/136 , G06T7/155 , G06T7/62 , G06T5/00
Abstract: 小模数齿轮视觉测量中齿距偏差和齿廓偏差评定方法，属于精密测试技术与仪器、机械传动技术领域。包括步骤：(1)对像素当量进行标定，建立像素尺寸和实际物理尺寸的对应关系。(2)在视觉测量系统中，通过工业CMOS相机获取小模数齿轮图像，采集图像至PC端；(3)对从工业相机采集的原始齿轮图像进行图像预处理，消除采集的图像中混杂的噪声。(4)作图像处理，结合Halcon提取亚像素边缘，获取到边缘数组，经数据拟合得到齿轮几何中心坐标，再得到其他齿轮基本参数：齿数、模数、分度圆直径、齿顶圆和齿根圆直径。(5)在测得的齿轮基本参数的基础上，根据标准ISO1328‑1:2013对小模数齿轮的齿距偏差和齿廓偏差进行评定。
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公开(公告)号：CN112549019A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011226355.4
申请日：2020-11-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: B25J9/16
Abstract: 本发明公开了一种基于连续动态时间规整的工业机器人轨迹准确度分析方法，基于动态规划的思想，通过分步寻找两条序列中最佳匹配的点。定义累积距离矩阵D为两轨迹序列的相似性度量值。对两序列进行插值，规整路径满足一定的优选策略使得累积距离最小，通过回溯法从后向前搜索，使得两序列的累积距离最小。本发明采用CDTW算法，通过对轨迹点间映射进行分析，解决了非直线轨迹法平面构造时，受机器人运动速度和运动偏差、测量系统的采样频率和测量误差的影响，导致指令轨迹与实际轨迹点之间出现映射错误，造成较大的轨迹测量误差的问题。通过对工业机器人轨迹准确度进行测量分析，能够有效地避免标准方法中映射错误的问题，提高轨迹准确度。
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公开(公告)号：CN106813922B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710036841.1
申请日：2017-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01M13/021
Abstract: 本发明涉及齿轮动态传动误差测量方法及测量装置，属于齿轮传动精度测量技术领域。针对目前齿轮测量装置要求用以齿轮动力学研究成果为基础的齿轮动态精度去取代以齿轮几何学、运动学研究成果为基础的齿轮静态精度的发展趋势，提出了一种齿轮动态传动误差的测量方法及动态传动误差测量装置。通过齿轮快速装卡装置，实现不同尺寸规格的齿轮快速、高精度的更换；采用精密移动平台，精确控制中心距和齿宽方向参数的调整；利用工况模拟系统模拟齿轮实际工作系统状态，提高动态传动误差的测量精度和可信度。考虑齿轮工作负载和润滑条件，采用非接式的高精度圆光栅获取主、被齿轮的角位置的信息，利用数字比相方法进行数据处理，获得齿轮动态传动误差。
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