一种基于金属有机框架材料的高效能多通道复合光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN115532321B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202211368463.4

    申请日:2022-11-03

    Abstract: 本发明公开了一种基于金属有机框架材料的高效能多通道复合光催化剂及其制备方法,属于光催化剂技术领域。所述高效能多通道复合光催化剂的结构包括:基于MOFs纳米棒热解形成的镂空MOFs纳米棒状金属氧化物,以及负载于所述镂空MOFs纳米棒状金属氧化物上的ZIF‑67纳米晶。通过将MOFs材料衍生成为兼具介孔和大孔的镂空管状结构,使其具有衍生物高催化活性的优势;随后在其内外表面原位生长ZIF‑67纳米晶,增强材料对反应物CO2的高选择性捕集能力;同时所构筑的异质结结构也通过界面接触,实现了光生电子‑空穴对的高效相间分离,有效克服了常见MOFs基材料光响应范围窄、载流子复合率高的不足。

    结构调谐共振的齿轮缺陷快速检测方法及检测装置

    公开(公告)号:CN107063679B

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201710036934.4

    申请日:2017-01-18

    Abstract: 本发明公开了结构调谐共振的齿轮缺陷快速检测方法及检测装置,涉及一种齿轮的毛刺、划痕、磕碰伤和微裂纹的快速检测方法,属于检测技术与仪器、机械传动技术领域。在专用的齿轮缺陷调谐共振的快速检机上,齿轮在额定负载条件下,通过选择合理的转速使得齿轮的啮合频率及其谐波频率与齿轮缺陷调谐共振快速检测装置的固有频率或其某一阶谐振频率相近,进而在检测过程中使被检测齿轮与标准齿轮单面啮合时发生共振。通过分析处理安装在振动感应敏感位置处的加速度传感器获得的齿轮振动信号,准确、可靠的识别齿轮缺陷,实现齿轮缺陷快速检测。

    一种基于齿轮整体误差的动态传动误差预测方法

    公开(公告)号:CN106840652B

    公开(公告)日:2019-03-22

    申请号:CN201710036836.0

    申请日:2017-01-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于齿轮整体误差的动态传动误差预测方法,属于齿轮传动精度测量技术、精密测试技术、仪器和机械传动技术领域。以利用整体误差测量技术获得齿轮的整体误差数据为基础,考虑误差与工况相互耦合作用,构建了齿轮动态传动预测的非线性动力学预测模型。首先,在根据齿轮啮合传动原理构建的坐标系,利用齿轮整体误差测量数据,获得齿轮静态传动误差。然后,利用数值求解的方法获得预测模型的动态位移。最后利用齿轮误差的相互作用原理,合成了齿轮动态传动误差。该方法既能适用复杂环境的要求,又能满足考虑误差与工况相互耦合作用的要求。

    齿轮动态传动误差测量方法及测量装置

    公开(公告)号:CN106813922A

    公开(公告)日:2017-06-09

    申请号:CN201710036841.1

    申请日:2017-01-18

    CPC classification number: G01M13/021

    Abstract: 本发明涉及齿轮动态传动误差测量方法及测量装置,属于齿轮传动精度测量技术领域。针对目前齿轮测量装置要求用以齿轮动力学研究成果为基础的齿轮动态精度去取代以齿轮几何学、运动学研究成果为基础的齿轮静态精度的发展趋势,提出了一种齿轮动态传动误差的测量方法及动态传动误差测量装置。通过齿轮快速装卡装置,实现不同尺寸规格的齿轮快速、高精度的更换;采用精密移动平台,精确控制中心距和齿宽方向参数的调整;利用工况模拟系统模拟齿轮实际工作系统状态,提高动态传动误差的测量精度和可信度。考虑齿轮工作负载和润滑条件,采用非接式的高精度圆光栅获取主、被齿轮的角位置的信息,利用数字比相方法进行数据处理,获得齿轮动态传动误差。

    一种半导体器件内部薄层热阻的测量方法

    公开(公告)号:CN103869233A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201410128395.3

    申请日:2014-04-01

    Abstract: 本发明涉及半导体器件内部薄层热阻的测量方法。测量时将半导体器件3置于恒温平台4上,仅改变与薄层1相邻的下一层材料2的厚度d,以半导体器件3有源区为热源,对不同结构的半导体器件3进行热阻测量,通过分析测得的热阻微分结构函数曲线,得到薄层1及其相邻下层材料2热阻总和R与厚度d的关系曲线,进一步确定半导体器件3内部的薄层1热阻。本发明通过测量半导体器件薄层材料与相邻下层材料的总热阻R随下层材料厚度d的变化规律,并进行函数拟合,从而测得薄层材料的热阻。解决了现有测量方法由于高电子迁移率晶体管器件中间材料热容低于上下两层材料,无法对中间薄层材料进行热阻测量的问题。

    一种OER电催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116377506A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310337025.X

    申请日:2023-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种OER电催化剂及其制备方法和应用,涉及电解水技术领域。所述OER电催化剂为核壳结构的Ni‑BDC@CoFe‑LDH复合材料,其中核层为Ni‑BDC纳米片,壳层为CoFe‑LDH。本发明基于Ni‑BDC纳米阵列,进一步原位生长Ni‑MOF并进行氢氧化处理得到有规则形貌和有序阵列的Ni‑BDC@CoFe‑LDH多级结构复合材料。这种原位生长的异质结构催化剂,不仅增强了结构的完整性,还有助于提升析氧反应性能。本发明工艺简单、易于实施,可批量制备高性能的电极材料。

    一种快速评价半导体器件可靠性的方法

    公开(公告)号:CN103246787B

    公开(公告)日:2016-12-28

    申请号:CN201310201219.3

    申请日:2013-05-27

    Abstract: 本发明涉及一种快速评价半导体器件可靠性的方法,属于可靠性评价技术领域。该方法利用半导体器件的参数退化模型,对半导体器件的可靠性进行评价。参数退化模型是基于均相反应动力学原理,考虑退化过程中反应量的浓度变化规律建立的。本方法解决了退化量随时间单调退化、先上升后下降或先下降后上升等非单调退化等实验中半导体器件参数的不同退化规律问题,利用参数退化模型快速外推器件长期退化规律,评价器件的可靠性,缩短实验时间。

    一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法

    公开(公告)号:CN103245694B

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201310174157.1

    申请日:2013-05-13

    Abstract: 本发明属于电子器件测试领域,公开了一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法。首先测出待测半导体器件的电压-温度系数曲线,绘制其热阻微分结构函数曲线,进而求出其内部热阻Rth0。然后,测量不同压力F下半导体器件到接触材料的热阻Rth1、Rth2、…、Rthn,进行函数拟合得到Rth-F曲线,并由此求出接触材料的热阻RT。最后由R=Rth-Rth0-RT求出不同压力下半导体器件与接触材料之间的接触热阻。本发明利用压力影响接触热阻的方法,不仅解决了瞬态光热法中光相位受影响及热阻测量受半导体器件内部结构影响的问题,还可以在不损伤半导体器件的条件下准确测出压力与接触热阻的关系。

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