一种涂层导体用铜基/镍基复合长基带的制备方法

    公开(公告)号:CN103531305A

    公开(公告)日:2014-01-22

    申请号:CN201310452361.5

    申请日:2013-09-28

    Abstract: 一种涂层导体用铜基/镍基复合长基带制备方法,属于高温超导涂层导体织构金属基带领域。其为三明治型的夹心结构,外层为铜镍合金,内层为镍钨合金的百米级长复合基带的制备方法。用熔炼法获得NiW合金坯锭后经过高温热锻及去氧化皮后切割处理得到3-5cm厚,5-10cm宽,长度为20-30cm的合金块。然后将NiW合金块插入模具,在真空或还原性气氛下浇注成型CuNi合金层获得原始的长条型复合铸锭,进行热轧开坯、冷轧、切边以及高温退火处理得到织构含量在98%以上的百米级复合长基带。本方法制备的复合基带具有高织构、无铁磁性以及良好的机械性能等特点,且成本低、工序简单,更适用于工业化生产。

    一种EBSD测试用基带斜截面的制备及分析方法

    公开(公告)号:CN102426125B

    公开(公告)日:2013-10-02

    申请号:CN201110421618.1

    申请日:2011-12-15

    Abstract: 一种EBSD测试用基带斜截面的制备方法及分析方法,属于高温超导涂层导体的基带领域。其步骤包括:(1)将制备好的冷轧基带剪切成合适的大小,进行机械抛光处理成斜截面;(2)将抛光好的基带进行清洗;(3)将清洗好的冷轧基带进行再结晶退火处理;(4)采用EBSD技术分析样品表面的晶粒取向;(5)对测试结果进行统计分析。该方法操作简单,可缩短样品制备过程,节约测试时间,同时获得所需要的全部测试信息。

    一种单一材料ZrO2纳米点、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN102173452B

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201110052214.X

    申请日:2011-03-04

    Abstract: 本发明公开了一种单一材料ZrO2纳米点、制备方法及应用,属于高温超导材料制备技术领域。将乙酰丙酮锆溶解到正丙酸中,得到前驱液;2)涂敷前驱液:将步骤1)制备的前驱液采用旋涂的方式涂敷到单晶基板上,得到前驱膜;3)高温烧结:在通保护气体的条件下,将前驱膜于1000~1300℃烧结100~1000分钟,得到不连续的,高度在5~50nm,直径在30~200nm,颗粒密度在10~80个/μm的ZrO2纳米点。在上述基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜,使得YBCO在这些岛状颗粒附近形核时由于晶格上的匹配差从而产生一些缺陷,以此作为钉扎中心来提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能。

    一种涂层超导基带用的立式退火炉

    公开(公告)号:CN102586576A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210046066.5

    申请日:2012-02-24

    Abstract: 一种涂层超导基带用的立式退火炉,属于退火炉技术领域。放带轮置于放带箱内,放带箱上设有进气口,放带箱通过入口密封装置与退火炉炉体的一端连接并相通,炉体的另一端通过出口密封装置与收带箱连接并相通,收带箱内放有收带轮、卷纸轮、导向轮和变频电机,收带箱上设有出气口;退火炉炉体的外围设有保护退火炉炉体的保温材料和加热控制元件,温度控制元件与加热控制元件连接来控制其加热的温度,工况机与温度控制元件及加热控制元件连接,退火炉炉体与机械泵连接。本发明满足涂层超导基带退火使用的要求,易于操作且使涂层超导基带质量更加稳定。

    一种二元材料(Zr,Ce)O2纳米点、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN102180703A

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN201110052460.5

    申请日:2011-03-04

    Abstract: 本发明公开了一种二元材料(Zr,Ce)O2纳米点、制备方法及应用,属于高温超导材料技术领域。制备方法:将乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铈按锆与铈摩尔比为1-x∶x溶解到正丙酸中,得到前驱液;将前驱液涂敷到单晶基板上,得到前驱膜;在保护气体下,将前驱膜于950~1200℃烧结10~500分钟,得到不连续的、高度在5~60nm、直径在20~150nm、颗粒密度在10~100个/μm的Ce掺杂的ZrO2纳米点。在上述涂有纳米点的过渡层基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜,来提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能。本发明引入的纳米点的形态,数目及分布可简单、有效控制。

    一种单一材料ZrO2纳米点、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN102173452A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201110052214.X

    申请日:2011-03-04

    Abstract: 本发明公开了一种单一材料ZrO2纳米点、制备方法及应用,属于高温超导材料制备技术领域。将乙酰丙酮锆溶解到正丙酸中,得到前驱液;2)涂敷前驱液:将步骤1)制备的前驱液采用旋涂的方式涂敷到单晶基板上,得到前驱膜;3)高温烧结:在通保护气体的条件下,将前驱膜于1000~1300℃烧结100~1000分钟,得到不连续的,高度在5~50nm,直径在30~200nm,颗粒密度在10~80个/μm的ZrO2纳米点。在上述基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜,使得YBCO在这些岛状颗粒附近形核时由于晶格上的匹配差从而产生一些缺陷,以此作为钉扎中心来提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能。

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