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公开(公告)号:CN101880791A
公开(公告)日:2010-11-10
申请号:CN201010199204.4
申请日:2010-06-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种涂层导体用Cu基合金基带及其制备方法,属于高温超导涂层导体金属基带技术领域。合金基带的组分及其原子百分含量为Cu(48~68at.%),Ni(30~50at.%),W(0.3~3at.%)。其制备方法,采用粉末冶金,包括以下步骤:(1)初始粉末的混合与模具填充,(2)合金压坯的压制与烧结,(3)初始坯锭的形变轧制,(4)冷轧基带的再结晶热处理。本发明的合金基带具有无磁性,良好抗氧化性,高电导率,高立方织构等特点。
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公开(公告)号:CN101850422B
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN201010167063.8
申请日:2010-04-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了热等静压法制备Ni基合金复合基带,属于高温涂层超导基带技术领域。其制备方法为将W的原子百分比为3-7%的NiW粉末(代号A)和W原子百分含量为9-12%的NiW合金粉末(代号B)按照A-B-A的顺序置于模具中;采用热等静压压制烧结,得到成分扩散均匀,内外层结合良好的初始复合坯锭;冷轧复合坯锭,道次变形量为3-15%,总变形量大于95%,得到厚度为80-150μm的冷轧基带;该基带在Ar/H2混合气体保护下1000-1400℃下退火0.5-2h,即可得到Ni基合金复合基带。该复合基带的机械强度高,同时具有强的双轴织构。
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公开(公告)号:CN101880791B
公开(公告)日:2011-08-10
申请号:CN201010199204.4
申请日:2010-06-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种涂层导体用Cu基合金基带及其制备方法,属于高温超导涂层导体金属基带技术领域。合金基带的组分及其原子百分含量为Cu(48~68at.%),Ni(30~50at.%),W(0.3~3at.%)。其制备方法,采用粉末冶金,包括以下步骤:(1)初始粉末的混合与模具填充,(2)合金压坯的压制与烧结,(3)初始坯锭的形变轧制,(4)冷轧基带的再结晶热处理。本发明的合金基带具有无磁性,良好抗氧化性,高电导率,高立方织构等特点。
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公开(公告)号:CN101850422A
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN201010167063.8
申请日:2010-04-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了热等静压法制备Ni基合金复合基带,属于高温涂层超导基带技术领域。其制备方法为将W的原子百分比为3-7%的NiW粉末(代号A)和W原子百分含量为9-12%的NiW合金粉末(代号B)按照A-B-A的顺序置于模具中;采用热等静压压制烧结,得到成分扩散均匀,内外层结合良好的初始复合坯锭;冷轧复合坯锭,道次变形量为3-15%,总变形量大于95%,得到厚度为80-150um的冷轧基带;该基带在Ar/H2混合气体保护下1000-1400℃下退火0.5-2h,即可得到Ni基合金复合基带。该复合基带的机械强度高,同时具有强的双轴织构。
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