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公开(公告)号：CN101781717B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010128266.6
申请日：2010-03-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种从含钛炉渣中提取富钛化合物的方法，其先将含钛炉渣在还原剂存在下加入酸性氧化物，在熔融状态下进行混合，然后冷却结晶，获得富钛化合物。本发明充分利用含钛炉渣自身高温和低还原度的特点，得到一种含杂质较少的优质富钛化合物，此含钛化合物的二氧化钛含量达到70％以上，有利于二氧化钛的分离提取，分离出二氧化钛的残渣，则可用于生产矿渣水泥。本发明工艺流程短，设备简单，操作方便，可充分利用炉渣自身热能，得到的产物杂质少，无环境污染。
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公开(公告)号：CN101559916B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910082984.1
申请日：2009-04-28
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种掩蔽微结构的制备方法，属于微电子机械系统技术领域。该方法包括：在硅基片表面制成厚度为1～2μm的二氧化硅掩膜，并图形化，对硅进行深刻蚀，形成微槽或微开口结构；对微槽或微开口结构进行表面钝化；刻蚀去掉微槽或微开口结构的底部钝化层，对微槽或微开口结构的底部进行预刻蚀；接着继续各向同性刻蚀，形成微结构；然后，去掉硅片表面的掩膜和微槽或微开口结构侧壁的钝化层；回填形成掩蔽微结构。本发明利用厚掩膜很好的保护了硅片表面，不会出现针孔和钻蚀的现象。且掩蔽微结构的各向同性刻蚀在预刻蚀之后进行，可控制掩蔽微结构的截面形状，免去了复杂的工艺参数调整，也可避免对精密刻蚀设备的依赖。
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公开(公告)号：CN100536608C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200410033638.1
申请日：2004-04-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种微硅麦克风及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域，该微硅麦克风包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜，多晶硅薄膜为可动极板，单晶硅薄膜上设有若干个释放孔，在多晶硅薄膜上形成加强筋结构，该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应，且镶嵌在释放孔中。本发明的制备方法是利用ICP技术进行深槽刻蚀的制造工艺，该工艺既可以得到释放孔，又可实现带有加强筋结构的多晶硅薄膜，工艺流程简单，工艺兼容好，所制备的麦克风成本低、结构应力小、稳定性好且可靠性高。
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公开(公告)号：CN1322591C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN03127940.6
申请日：2003-04-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二个：1)压阻制备；2)薄膜制备；3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法，为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点，因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域，不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1540386A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN03127940.6
申请日：2003-04-25
Applicant: 北京大学
IPC: G02B26/08 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二个：1)压阻制备；2)薄膜制备；3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法，为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点，因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域，不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。
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公开(公告)号：CN1438544A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03104780.7
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法。在深刻蚀之前就将各次深刻蚀掩膜制备完成，每进行一次深刻蚀后去掉一层掩膜再进行下一次深刻蚀的多层深台阶刻蚀。不仅能够在硅片表面(X－Y二维平面)内做出不同的图形结构，在垂直于硅片表面的(Z轴)方向也能够实现可控的折线加工。是一种微硅结构的三维加工技术。突破了以往深刻蚀只能刻出垂直侧壁深槽的限制，实现垂直方向上的多层台阶结构。这项新技术将硅微机械结构加工从简单的平面图形立体化延伸推向了真正的三维立体化，为MEMS技术的发展提供了一种全新的加工手段。与现有的硅工艺完全兼容。可广泛应用于微电子机械技术领域。
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公开(公告)号：CN115779069A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210958746.8
申请日：2022-08-10
Applicant: 北京大学人民医院
Abstract: 本发明属于IL‑6受体抑制剂技术领域，具体涉及唾液素salivaricin在制备IL‑6受体抑制剂中的应用。本发明运用体外实验体系，使用表面等离子体共振技术发现唾液素salivaricin可直接与IL‑6受体结合，并抑制细胞因子IL‑6与其受体的结合。同时，还基于圆二色谱技术发现salivaricin可诱导IL‑6受体构象发生改变。由于受体构象对其结合力有决定性作用，IL‑6受体构象改变可能抑制了IL‑6与受体的结合；并发现唾液素salivaricin可通过阻断IL‑6‑STAT3信号通路而特异性抑制Tfh细胞的分化和IL‑21的合成，可应用于治疗免疫炎性疾病。
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公开(公告)号：CN102337413B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110359370.0
申请日：2011-11-14
Applicant: 北京大学
IPC: C22B7/04 , C01G23/047
CPC classification number: Y02P10/212 , Y02P10/242
Abstract: 本发明提供了一种利用含钛高炉渣生产人造金红石的方法，其先在空气或氧气气氛下，用高钛电炉渣和二氧化硅对含钛高炉渣进行改性；然后使改性后的含钛高炉渣在1500℃～1600℃下保温0.5～1h，冷却结晶，得到金红石晶体；最后用选矿方法分离得到金红石晶体。本发明充分利用含钛高炉渣自身高热量的特点，通过对含钛高炉渣进行改性，得到一种二氧化钛品位高的人造金红石，分离后的残渣可用于生产矿渣水泥。本发明工艺流程短、设备简单、可充分利用含钛高炉渣自身携带的热能，产物杂质少、无环境污染。
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