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公开(公告)号：CN119447093A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310949151.0
申请日：2023-07-28
Applicant: 华为技术有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , C23C16/50 , C23C16/18
Abstract: 本申请提供了一种薄膜材料及其制备方法与互连结构、芯片。该薄膜材料包括钽元素、碳元素和氮元素，且薄膜材料中不含卤素，其中，钽元素在薄膜材料中的原子百分比大于70％，碳元素在薄膜材料中的原子百分比为0.1～7％，氮元素在薄膜材料中的原子百分比为0.1～4％。该薄膜材料可用作芯片互连层和阻挡层的黏附材料，以提高互连层和阻挡层之间的粘附性和阻挡性。
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公开(公告)号：CN115161228B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210662462.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种群体感应猝灭菌及其培养方法、填埋场渗滤液导排系统生物结垢防治方法，群体感应猝灭菌的培养方法包括以下过程：提取填埋场渗滤液中和/或填埋场渗滤液导排系统中的过滤构件上的细菌群，将细菌群分散于溶液中，得到接种液；配置基本培养基，基本培养基以C6‑HSL和/或C8‑HSL作为唯一碳源和氮源；将接种液置于基本培养基中进行培养，分离出具有分解C6‑HSL和/或C8‑HSL能力的备选细菌；对备选细菌进行纯化。本发明得到的群体感应猝灭菌具有较好的C6‑HSL和/或C8‑HSL降解能力，可以有效降解填埋场土工布上或渗滤液中的菌群的信号分子并产生群体淬灭效果，避免因微生物聚集而形成的生物结垢，进而缓解实际填埋场中因土工布结垢而产生的填埋场下部淤堵现象。
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公开(公告)号：CN112501583B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202011348704.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属二硒化物薄膜的制备方法。所述制备方法包括：提供衬底；将所述衬底的预定区域暴露在过渡金属前驱体的氛围中，在所述衬底的预定区域形成过渡金属前驱体层；通过等离子体对硒醚类化合物进行解离，得到解离后的硒醚类化合物；将所述过渡金属前驱体层暴露在所述解离后的硒醚类化合物的氛围中，在所述衬底上形成过渡金属二硒化物薄膜。本发明所述制备方法可以获得高纯度、表面平整的过渡金属二硒化物薄膜。
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公开(公告)号：CN115161228A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210662462.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种群体感应猝灭菌及其培养方法、填埋场渗滤液导排系统生物结垢防治方法，群体感应猝灭菌的培养方法包括以下过程：提取填埋场渗滤液中和/或填埋场渗滤液导排系统中的过滤构件上的细菌群，将细菌群分散于溶液中，得到接种液；配置基本培养基，基本培养基以C6‑HSL和/或C8‑HSL作为唯一碳源和氮源；将接种液置于基本培养基中进行培养，分离出具有分解C6‑HSL和/或C8‑HSL能力的备选细菌；对备选细菌进行纯化。本发明得到的群体感应猝灭菌具有较好的C6‑HSL和/或C8‑HSL降解能力，可以有效降解填埋场土工布上或渗滤液中的菌群的信号分子并产生群体淬灭效果，避免因微生物聚集而形成的生物结垢，进而缓解实际填埋场中因土工布结垢而产生的填埋场下部淤堵现象。
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公开(公告)号：CN113201029A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110440700.2
申请日：2021-04-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开有机过渡金属化合物及制备方法、形成含过渡金属薄膜的方法。所述有机过渡金属化合物的结构式选自如下所示中的一种：。低价过渡金属与蒎烯进行碳‑碳键氧化加成而得到螯合的有机过渡金属化合物。将有机过渡金属金属配合物用作金属前体，通过研究它的原子沉积过程，证明它很好的遵循了理想的原子层沉积生长，以沉积出纯度高，表面平整的含过渡金属薄膜。并进一步证明在此原子层沉积工艺中，可以将含过渡金属薄膜保形地沉积在深宽的沟槽中，这表明这些方法非常适合于复杂的或多孔三维纳米立体结构基底上，均匀和保形性好地沉积得到含过渡金属薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111876748A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010686717.1
申请日：2020-07-16
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种基于有机硫前驱体的金属硫化物薄膜及其制备方法，通过采用原子层沉积技术将金属前驱体在惰性载气的存在下通入原子层沉积反应室，沉积一层金属单原子层，再以脉冲的方式向原子层沉积反应室通入有机硫前驱体，得到一层金属硫化物分子层，以形成一层分子层的过程为一个ALD周期，通过循环ALD周期，得到所述基于有机硫前驱体的金属硫化物薄膜。本发明的制备方法采用了有机硫化合物取代高毒性的H2S气体作为硫源前驱体，降低有害气体对薄膜制备过程中的安全隐患，具有环保性，该方法制备出的金属硫化物薄膜致密均匀且结晶性较好，并具有优异的电催化性能，可将其应用于电催化领域。
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公开(公告)号：CN108201893B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201611183072.X
申请日：2016-12-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: B01J27/043 , B01J35/02 , B01J37/00 , C01G49/12 , C07C241/02 , C07C243/22
Abstract: 本发明公开FeSx薄膜、肼撑苯基化合物及沉积方法和制备方法，沉积方法包括步骤：将铁前驱体和硫前驱体送入放有基底的沉积腔室中，沉积腔室温度设定为20~400℃，进行FeSx薄膜的沉积；沉积结束后，进行降温处理，待温度降至室温后，将包覆有FeSx薄膜的基底取出。本发明使用ALD工艺在基底上制备了纳米级的FeSx薄膜（催化剂），并使用制备的FeSx催化剂催化芳基偶氮化合物选择性还原成肼撑苯基化合物。使用ALD制备的FeSx催化剂，各种类型的芳基偶氮化合物都能被选择性还原，且可在温和反应条件下实现高活性和选择性催化反应，所以采用ALD工艺制备的FeSx在有机合成方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111482185A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910084511.9
申请日：2019-01-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种自支撑FeSx电催化剂及其制备方法与应用，方法包括：提供铁基材；对所述铁基材进行等离子体处理，所述等离子体包含H2S，在所述铁基材表面形成FeSx，得到所述自支撑FeSx电催化剂，其中x＝0.5-2。本发明提供了一种简单、经济有效的等离子体硫化方法来制备一种新型的自支撑FeSx电催化剂，当在环境条件下应用于电催化还原氮时，这种FeSx/Fe电极证明显示优秀的氨产量，为4.25×10-10mol·s-1·cm-2和很高的法拉第效率18.1％，显著优于其他非贵金属催化剂。考虑到等离子体硫化方法合成的FeSx/Fe具有良好的性能和较低的成本，在电化学氨合成中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111477743A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010307798.X
申请日：2020-04-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种有机场效应晶体管及其制备方法，其中包括步骤：提供栅极；沉积聚合物材料至所述栅极上，形成介电层；将沉积有介电层的栅极进行超临界流体处理；沉积有机半导体层材料在处理后的介电层上，形成有机半导体层；沉积电极层材料在有机半导体层上，形成电极层。本发明采用超临界流体处理后的介电层的介电性能得到了明显的提升。同时，采用处理过后介电层的OFET器件迟滞效应被基本消除，同时OFET亚阈值斜率也显著降低，且载流子迁移率有效提升。除此之外，处理后的OFET开关速度得到提升，通过串联发光二极管，可以提升发光二极管开关速率。
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公开(公告)号：CN109554684A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811517932.8
申请日：2018-12-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种碳化钴薄膜及其制备方法，方法包括步骤：A、将预处理好的基底置于原子层沉积系统的沉积室中；B、将钴前驱体置于原子层沉积系统上游的容器中，加热使钴前驱体形成钴前驱体蒸汽；C、将所述钴前驱体蒸汽与H2等离子体交替通入沉积室，所述钴前驱体蒸汽与H2等离子体在25~250℃下反应在基底上沉积Co3Cx薄膜，所述Co3Cx薄膜由一个或多个循环的Co3Cx沉积累积得到；其中，x=0.4~1。本发明采用等离子体辅助ALD工艺制得的碳化钴薄膜是高纯的、连续的、光滑的，杂质含量低；制备方法简单，条件不苛刻，可在复杂或多孔3D上的保形薄膜涂层的一般适用性。
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