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公开(公告)号：CN104409556B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410738690.0
申请日：2014-12-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/111 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种氮化物复合势垒量子阱红外探测器及其制备方法。本发明的量子阱红外探测器的多量子阱为包含多个周期的复合势垒和势阱，其中，复合势垒为包括平带势垒和尖峰势垒的双层结构；通过极化调制的方法形成平带势垒，平带势垒以上的能级相互耦合形成准连续态，进而形成光电流的通路；通过增加平带势垒的厚度，可以在光电流信号强度基本不变的情况下，抑制暗电流的背景噪声，进而提高信噪比。本发明利用低温精细外延设备控制有源区界面以及各层厚度，可以获得高质量的外延晶片；多量子阱采用III族氮化物材料，可以实现全红外光谱窗口的光子探测；本发明的探测器在液氦温区成功探测到光电流信号，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105428448A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510751121.4
申请日：2015-11-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/065 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/065 , H01L31/1848
Abstract: 本发明公开了一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接触层的一部分上依次为底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层和顶电极；在底电极接触层的一部分上为底电极；在各个层的侧面覆盖有钝化层；顶组分渐变层对全太阳光谱均有吸收，可有效提升光电转换效率；部分透过顶组分渐变层的太阳光可进一步被吸收增强层吸收；底组分渐变层既可消除电子(空穴)输运势垒，又可调控晶格应力以提高材料生长质量。
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公开(公告)号：CN104363562A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410589303.1
申请日：2014-10-28
Applicant: 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
Abstract: 本发明公开了窄带无线Mesh网络的RFID室内定位系统及方法，根据信息处理终端的不同位置，本发明的数据链路方案包括：现场应用时，由470M无线通信模块直接把RFID读卡器读到的有效标签信息，RSSI场强等数据，通过串口发送回上位机解算位置信息；和在远程应用时，由470M无线通信模块直接把RFID读卡器读到的有效标签信息，RSSI场强等数据，通过串口发送回汇聚节点，并在约定的socket端口把信息传递给远程的信息处理终端。本发明旨在为室内定位系统中的分布式RFID读取装置建立稳定，高效，便于部署的数据链路方案，为远端或者现场的信息处理终端能够及时解算射频标签的位置信息提供数据通路保障。
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公开(公告)号：CN118773742A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410734646.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体晶格极性的调控方法。本发明通过在III族氮化物的制备过程中引入反型层，利用反型层重塑晶格驱动III族氮化物晶格极性的反转，使得III族氮化物能够在制备过程中完成可控的晶格极性反转，实现了对目标III族氮化物金属极性和氮极性可选择性的生长，其最终极性与氮化物初始极性无关；本发明极大拓展了III族氮化物外延生长的衬底选择范围，特别是对于制备难度和成本更高的氮极性III族氮化物，使之能在更低廉的金属极性上完成制备，制备流程简单、可控且成本低，对于进一步实现低本高效氮极性III族氮化物生长及其功率射频器件意义重大。
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公开(公告)号：CN118374878B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410832059.0
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京大学
IPC: C30B25/18 , C30B33/04 , C30B29/38 , C23C14/04 , C23C14/48 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C16/06 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种可控多畴结构氮化物铁电薄膜的制备方法。本发明利用自组装掩膜、离子注入工艺和外延生长方式，得到高质量可控多畴结构的氮化物铁电薄膜，具有更小的翻转能垒，能够大幅降低工作电压；同时具有更加可控的部分电畴翻转能力，有利于实现多态存储；利用离子注入得到非晶高电阻，大幅降低了漏电；在不引入额外漏电的情况下实现可控的多畴结构，降低新型氮化物基铁电器件的漏电和工作电压，大幅提高氮化物铁电材料的寿命和可靠性，降低相关器件能耗，并提升器件的多态调制能力，使得氮化物铁电材料能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等，并且应用于神经形态计算和人工智能等新兴领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118303899B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410723979.9
申请日：2024-06-05
Applicant: 北京大学 , 上海明略人工智能(集团)有限公司 , 上海人工智能创新中心
Abstract: 本申请涉及一种脑电信号处理方法、装置、设备及计算机可读介质。该方法包括：在检测到目标视频开始播放时，采集观看目标视频的第一对象的脑电信号，并记录脑电信号的采集时间；获取目标视频的场景切分信息，其中，目标视频的内容包含多个场景，场景切分信息包括目标视频的每个场景的起止时间；将每个场景的起止时间与脑电信号的采集时间对齐，以获得与目标视频的场景匹配的脑电信号片段；分别计算每个脑电信号片段的脑电指标，以基于脑电信号分析第一对象观看目标视频时，第一对象对每个场景的认知投入和情绪反应。本申请解决了视频内容与脑电信号时间轴不同步且缺乏对视频内容的逻辑和结构的考虑的技术问题。
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公开(公告)号：CN118194923A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410616719.1
申请日：2024-05-17
Applicant: 北京大学 , 上海明略人工智能(集团)有限公司
IPC: G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G06F18/25 , G06F40/30 , G06N5/04
Abstract: 本申请涉及一种大语言模型的构建方法、装置、设备及计算机可读介质。该方法包括：获取描述相同内容的视觉数据、音频数据、文本数据以及用户在接收所述视觉数据、所述音频数据以及所述文本数据至少之一时产生的脑电波数据和眼动数据；对所述视觉数据和所述音频数据进行特征提取和整合，得到所述视觉数据和所述音频数据的交叉特征；利用全局模型知识图谱对所述交叉特征进行数据增强，得到所述交叉特征的图谱增强数据；将所述图谱增强数据、所述文本数据、所述脑电波数据以及所述眼动数据作为多模态训练数据对初始大语言模型进行训练，直至模型收敛时，得到目标大语言模型。本申请解决了大模型缺乏多模态理解的综合机制的技术问题。
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公开(公告)号：CN116781533A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310444281.9
申请日：2023-04-24
Applicant: 北京大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H04L41/14 , H04L41/50 , H04L41/12 , H04L41/0654 , G06F11/07
Abstract: 本发明公布了一种微服务架构信息系统的故障仿真与调控方法及装置，涉及信息系统的故障仿真与调控技术，通过生成流式故障指标数据，构建微服务拓扑，注入场景故障，实现各类型微服务故障的仿真；并支持解除所注入微服务故障和进行主动故障调控；装置包括：微服务系统部署器、负载生成器、故障注入器、指标收集器、故障调控器。本发明支持部署网络拓扑可定制微服务，支持可控执行多样故障场景的故障注入，支持种类丰富性能指标的流式采集与导出，支持自动化微服务信息系统故障修复算法模型接入，支持针对所注入故障的主动故障调控，实现微服务架构信息系统的故障仿真与调控闭环控制。
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公开(公告)号：CN116568042A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310835363.6
申请日：2023-07-10
Applicant: 北京大学
IPC: H10B51/30 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种电写光读氮化物铁电神经形态器件及其制备方法。本发明各层结构在同一设备的同一腔体中全外延实现，有利于提升界面质量，并提升器件的可靠性；利用多层复合式铁电层功能层，有利于增强器件的多态特性，通过精确控制超晶格中各层氮化物铁电层的掺杂元素组分，实现组分梯度变化，氮化物铁电层中掺杂元素组分浓度对矫顽场的调制作用，实现各层氮化物铁电层具有不同的矫顽电压，氮化物铁电神经形态器件的阈值电压呈离散值，从而实现低重叠、高鲁棒和抗噪声的多态数据存储能力，还能够更高效地模仿生物神经系统中突触的能力；本发明实现光读取能力，赋予了器件更多的操作维度，能够广泛应用于神经形态计算系统或新型存算一体系统中。
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公开(公告)号：CN113193038B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110354525.5
申请日：2021-04-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种p型沟道的III‑V族材料异质结构和HEMT器件及制备方法。本发明的p型沟道的III‑V族异质结构包括：衬底、缓冲层、势阱层、二维空穴气和势垒层，二维空穴气为极化诱导形成，无需掺杂；本发明的HEMT器件中的二维空穴气距离异质结构的表面近，能够实现器件的有效栅控；势垒层厚度薄，有利于形成平整的异质结界面，减小缺陷和粗糙度，提高二维空穴气的迁移率；异质结构中二维空穴气的浓度和距外延表面的距离皆可调，能够根据应用需求灵活设计。
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