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公开(公告)号：CN104952789A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510214323.5
申请日：2015-04-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所 , 北京大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/768 , H01L21/76831
Abstract: 本发明提供了一种含高深宽比TSV的转接板的制作方法。该转接板包括多个高深宽比的垂直TSV通孔、绝缘层、再布线层，所述转接板具有相对的第一表面和第二表面；所述TSV为直径5～150μm，深宽比约10:1，垂直贯穿所述转接板的第一表面和第二表面的垂直通孔；所述绝缘层保型覆盖整个衬底表面及TSV侧壁；所述再分布线层在所述转接板第一表面和第二表面。相应地，本发明详细描述了该转接板的制作步骤。本发明可以有效的避免TSV尺寸太小带来的背面绝缘层不连续、背面绝缘层开裂，以及小尺寸TSV侧壁种子层金属生长过快导致快速封口而带来TSV内存空洞的问题，能够提高含高深宽比TSV的转接板的成品率和电学可靠性。
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公开(公告)号：CN102569183B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210053684.2
申请日：2012-03-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明是一种多层石墨烯垂直互连结构制作方法，包括步骤：S101.在基片上制作垂直孔；S102.在所述基片的表面上制作催化层，所述催化层覆盖所述垂直孔的内表面；S103.在所述催化层上制作石墨烯层；S104.重复制作催化层和石墨烯层，直到获得所需的导电效果；S105.对垂直孔进行填充，直到获得对垂直孔所需的填充效果。通过本发明可以提高垂直互连结构的电信号传输性能。
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公开(公告)号：CN102937695B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210400993.2
申请日：2012-10-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔超薄晶圆测试结构及测试方法。该测试结构包括一带有重新布线层的转接板，该转接板的表面设有用于与待测试的带有硅通孔的超薄晶圆形成电学连接的键合结构。将待测试的带有硅通孔的超薄晶圆与带有重新布线层的转接板通过临时键合形成电学连接后，采用普通平面探针台或自动测试设备即可进行晶圆测试，转接板对超薄晶圆提供了良好地机械支撑，不会产生翘曲或碎裂，有利于快速、准确地进行晶圆测试。
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公开(公告)号：CN102270603B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201110230266.1
申请日：2011-08-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔互连结构的制作方法，属于微电子封装领域。本方法为：1)在硅晶圆正面粘接一玻璃晶圆；2)将所述硅晶圆背面减薄至目标厚度，并制备所述硅晶圆的硅通孔；3)在所述硅晶圆背面依次沉积绝缘层、种子层；4)在所述硅晶圆背面制作电镀掩膜，电镀导电材料填充硅通孔，形成凸点；然后在凸点上制作焊盘，并暴露出凸点周围的绝缘层；5)将所述硅晶圆背面粘接到一晶圆上，剥离所述玻璃晶圆；在所述硅晶圆正面，刻蚀掉硅通孔底部所沉积的绝缘层，制作一重新布线层电连接硅通孔中所沉积的种子层与所述微电子电路，并制作所述重新布线层的焊盘。本发明便于种子层沉积效果、电镀填充效果监测，降低了工艺的技术难度，提高成品率。
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公开(公告)号：CN102157459B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110063943.5
申请日：2011-03-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种TSV芯片键合结构，属于微电子技术领域。所述键合结构包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片包括第一微凸点和第一微凸点周围的第一环绕结构，所述第一环绕结构的高度大于所述第一微凸点的高度；所述第二芯片包括第二微凸点，所述第二微凸点嵌入所述第一环绕结构且所述第一环绕结构限制所述第二微凸点的横向位移。所述第二芯片还可包括第二环绕结构，所述第一环绕结构嵌入所述第二环绕结构且所述第二环绕结构限制所述第一环绕结构的横向位移。本发明可用于半导体器件的制造等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102050418A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010500612.9
申请日：2010-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种三维集成结构及其生产方法，属于微机械电子系统与集成电路加工领域。所述三维集成结构包括：由两个晶圆形成的晶圆键合对，贯穿所述晶圆键合对的至少一个TSV通孔和微铜柱，位于所述晶圆键合对的键合界面处的一个空穴，位于所述晶圆键合对的第一表面，和所述微铜柱电连接的MEMS器件，和位于所述晶圆键合对的第二表面，和所述TSV通孔电连接的芯片。本发明还公开了三维集成结构的两种生产方法。本发明可用于制造集成电路。该集成结构及其生产方法可以有效解决MEMS器件与其处理集成电路的兼容性问题。
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公开(公告)号：CN114964356B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210384332.9
申请日：2022-04-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明提出一种氮化铝膜参数提取方法，涉及材料参数提取技术领域，能够精确提取氮化铝膜的材料系数。根据本发明实施例中的氮化铝膜参数提取方法，包括：基于待测氮化铝膜制作参数提取组件；测量参数提取组件的阻抗谱，并根据阻抗谱计算得到参数提取组件中待测氮化铝膜的介电常数；测量参数提取组件的属性参量，并根据属性参量计算得出待测氮化铝膜的压电系数与弹性系数；将待测氮化铝膜的介电常数、压电系数与弹性系数进行整合，得到待测氮化铝膜的材料参数。在本发明实施例中的方法中，由于对氮化铝膜各类材料系数进行分开提取，从而能够减少积累误差，提高提取精度。
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公开(公告)号：CN111293210B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201811491104.1
申请日：2018-12-07
Applicant: 茂丞(郑州)超声科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种晶圆级超声波芯片模块，包含基板、复合层、超声波传导材料以及底材，基板具有贯通槽，贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面，复合层位于基板上，复合层包括超声波体及保护层，超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面，保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面，保护层具有开口，开口暴露出部分的超声波体的上表面，超声波传导材料位于开口内且接触超声波体的上表面，底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽，以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的上表面之间形成空间。
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公开(公告)号：CN112820712A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011642597.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L23/498 , H01L23/50 , H01L23/538 , H01L21/50
Abstract: 本申请公开了一种三维异质集成的扇出型封装结构及制造方法。三维异质集成的扇出型封装结构包括：基板上侧设置有凹槽，凹槽用于放置芯片，凹槽底部设置导电柱，导电柱贯穿基板并连接对应的芯片，第一金属互联层连接对应的导电柱，第一固定层设置在基板上侧，第二金属互联层设置在基板下侧，第二金属互联层连接对应的导电柱，第二金属互联层用于使芯片之间电连接，第二固定层设置在基板下侧，微焊结构连接对应的第二金属互联层，微焊结构用于形成封装结构的焊点。通过在同一基板的凹槽中设置芯片，并通过导电柱与金属互联层将对应的芯片之间电性连接，实现了三维的异质集成结构，满足了小尺寸、高密度、低成本的封装需求。
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公开(公告)号：CN111241867A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811429713.4
申请日：2018-11-28
Applicant: 茂丞科技(深圳)有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: G06K9/00 , H01L41/053 , H01L41/113 , H01L41/23 , H01L41/25
Abstract: 一种具悬浮结构的晶圆级超声波芯片模块，包含基板、复合层、以及底材，基板具有贯通槽，贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面，复合层位于基板上，复合层包括超声波体及保护层，超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面，保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面，复合层具有沟槽，沟槽连通保护层的上表面、保护层的下表面及贯通槽，且沟槽围绕超声波体周围的一部分且超声波体对应于贯通槽，底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽，以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的一上表面之间形成空间，空间连通沟槽。
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