公开(公告)号：CN1363509A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN02100469.2

申请日：2002-02-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 金玉丰 ,  张锦文 ,  缪旻 ,  郝一龙

IPC: B81C5/00

Abstract: 本发明涉及一种微机电系统器件的真空封装方法,采用了蒸镀的方法,在一批多个封装外壳内壁的一部或全部同时建立吸气薄膜结构,能有效吸附真空封装过程中释放的残余气体和器件寿命期漏入或内部结构放出的气体,从而起到维持真空的作用。其有效面积大,吸气能力强,真空度保持效果好;附着力强,固定性好,几乎不占用空间,而且适用于形状各异、尺寸微小的封装腔体。其工艺流程与现有微机械加工技术衔接好、成本低、便于批量加工、成品率高、真空保持时效长、真空度高等特点,可用于射频、惯性、真空微电子等MEMS器件芯片的器件级封装和芯片级封装的真空封装。

公开(公告)号：CN109300877B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201810980479.8

申请日：2018-08-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘欢 ,  方孺牛 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体衬底中的通孔结构及其制造方法，该结构包括衬底、贯穿衬底的通孔、衬底表面的富电荷层、通孔侧壁、衬底表面以及富电荷层表面的绝缘层；所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有富电荷层，其中含有高浓度的电荷，且富电荷层围绕于通孔的孔口周围。该制造方法的步骤为：以半导体材料作为衬底，在所述衬底的第一表面制作富电荷层；在所述衬底的第一表面制作深孔；在深孔内壁、衬底第一表面以及富电荷层表面上制作绝缘层；向深孔中填充导电材料；减薄所述衬底的第二表面，露出深孔的底部。采用该通孔结构可以实现三维集成系统电学性能的改善和可靠性的提升。

公开(公告)号：CN109300877A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201810980479.8

申请日：2018-08-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘欢 ,  方孺牛 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体衬底中的通孔结构及其制造方法，该结构包括衬底、贯穿衬底的通孔、衬底表面的富电荷层、通孔侧壁、衬底表面以及富电荷层表面的绝缘层；所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有富电荷层，其中含有高浓度的电荷，且富电荷层围绕于通孔的孔口周围。该制造方法的步骤为：以半导体材料作为衬底，在所述衬底的第一表面制作富电荷层；在所述衬底的第一表面制作深孔；在深孔内壁、衬底第一表面以及富电荷层表面上制作绝缘层；向深孔中填充导电材料；减薄所述衬底的第二表面，露出深孔的底部。采用该通孔结构可以实现三维集成系统电学性能的改善和可靠性的提升。

公开(公告)号：CN104867905B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201510138166.4

申请日：2015-03-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 方孺牛 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/552 ,  H01L23/62 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种包含硅通孔的半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括衬底，信号通孔和地通孔，其中衬底为P型背景掺杂；所述通孔是由多晶硅填充的通孔；所述信号通孔为N型掺杂；所述地通孔为P型掺杂。本方法为：1)在衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔；2)在衬底第一表面上粘附一干膜层，图形化干膜层，使干膜层在一部分深孔上形成开口；3)向干膜层上有开口的深孔填充掺杂第一导电类型杂质的多晶硅，去掉干膜；4)向剩余深孔中填充掺杂第二导电类型杂质的多晶硅。对于高速/高频系统，采用该结构将不需要对原先硅通孔布局布线和版图进行调整，即能获得信号完整性和电源完整性的提升。同时本发明具有工艺简单，成本低，效果好的优势。

公开(公告)号：CN106370958A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610934313.3

申请日：2016-10-25

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 刘念 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: G01R31/00 ,  G01N21/88 ,  G01N29/06

CPC classification number: G01R31/003 ,  G01N21/88 ,  G01N29/0681 ,  G01N2291/0232 ,  G01N2291/02881 ,  G01N2291/0289

Abstract: 本发明公开了一种内嵌微流道的LTCC基板测试方法和装置，该方法包括对LTCC基板样品进行初步检测；对通过初步检测的LTCC基板样品分别进行低温贮存测试、高温贮存测试和高低温循环测试，并对每次测试后的LTCC基板样品进行检测。该方法和装置对内嵌微流道的LTCC基板进行了低温贮存、高温贮存、温度循环等系列环境科目测试，检测内嵌微流道LTCC基板的质量无损和结构完整性，得出其在地面模拟使用环境中是否可靠的定性结论。

公开(公告)号：CN102437110B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201110391525.9

申请日：2011-11-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈兢 ,  朱韫晖 ,  马盛林 ,  孙新 ,  方孺牛 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种石墨烯垂直互连结构的制作方法，首先在基片上制作垂直孔；然后在所述基片的表面上制作绝缘层，该绝缘层覆盖所述垂直孔的内表面；然后在所述绝缘层上制作石墨烯层。基于该石墨烯垂直互连结构，可采用晶圆到晶圆、芯片到晶圆或芯片到芯片的方式进行堆叠并形成三维集成结构。石墨烯由于其特有的弹道疏运机制，具有非常高的电导率，有利于提高垂直互连结构的电信号传输性能，特别有利于高频高速电信号的传输，可减小垂直互连结构间及对其它电路的干扰。

公开(公告)号：CN102214723B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201110145701.0

申请日：2011-06-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 马盛林 ,  朱韫晖 ,  孙新 ,  金玉丰 ,  陈兢 ,  缪旻

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及半导体传感器领域，公开了一种半导体辐射敏感装置及其制作方法，该装置包括至少一个辐射敏感单元，辐射敏感单元包括：第一基体、第一柱状电极和第二柱状电极；第一基体包含第一表面和第二表面；第一柱状电极包含第一金属柱和环绕第一金属柱的N型掺杂硅；第二柱状电极包含第二金属柱和环绕第二金属柱的P型掺杂硅；第一柱状电极和第二柱状电极嵌在第一基体内部，并贯穿第一基体的第一表面和第二表面；所述第二金属柱为两个以上，且排列成正多边形；所述第一柱状电极位于所述正多边形的几何中心。本发明可以实现薄的敏感装置死层厚度、较小的等效电容、较短的信号漂移过程；从而能提高能量分辨率、降低响应时间和降低能量探测下限。

公开(公告)号：CN102183333B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201010612818.0

申请日：2010-12-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱智源 ,  朱韫晖 ,  于民 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: G01L9/12 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种含有硅通孔的电容式压力传感器及其制造方法，属于微机械电子技术领域。本发明的电容式压力传感器包括含固定电极的基片，含可动电极的膜片，和与所述固定电极和可动电极电连接的测量电路；所述固定电极和所述可动电极之间存在间距，形成电容；所述可动电极位于所述膜片的梯形槽内，所述可动电极四周设有多个和所述可动电极相接的彼此间隔的经填充的通孔，所述通孔位于所述梯形槽的斜面中，将所述可动电极和部分所述斜面分隔。本发明还公开了含有硅通孔的电容式压力传感器的制造方法。本发明可用于现代工业生产、科学研究及日常生活中的多个应用领域。

公开(公告)号：CN102024782B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010513047.X

申请日：2010-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 马盛林 ,  朱韫晖 ,  孙新 ,  金玉丰 ,  缪旻

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种三维垂直互联结构及其制作方法。结构包括顺次堆叠或面对面堆叠在一起的至少两层芯片，各层所述芯片之间采用粘结材料粘结，各层所述芯片由下至上依次为衬底层和表面介质层，所述芯片的上表面具有横截面为环形的第一凹坑，所述第一凹坑内填充有金属形成第一导电环，所述第一导电环通过重新布局布线层与所述芯片内部的微电子器件连接，与所述第一导电环内径相同且圆心一致的第一通孔贯穿所述堆叠的芯片，所述第一通孔内具有第一微型导电柱。本发明的三维垂直互联结构提高了微电子器件制作中三维互联叠层间电互联和粘合强度，提高了成品率。

公开(公告)号：CN102569183A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210053684.2

申请日：2012-03-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱韫晖 ,  方孺牛 ,  马盛林 ,  孙新 ,  陈兢 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明是一种多层石墨烯垂直互连结构制作方法，包括步骤：S101.在基片上制作垂直孔；S102.在所述基片的表面上制作催化层，所述催化层覆盖所述垂直孔的内表面；S103.在所述催化层上制作石墨烯层；S104.重复制作催化层和石墨烯层，直到获得所需的导电效果；S105.对垂直孔进行填充，直到获得对垂直孔所需的填充效果。通过本发明可以提高垂直互连结构的电信号传输性能。