公开(公告)号：CN118366870A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410796597.9

申请日：2024-06-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 张驰 ,  石上阳 ,  杜建宇 ,  金玉丰 ,  王玮

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/427

Abstract: 本申请提供了一种芯片换热结构的制备方法及芯片换热结构。方法包括：在晶圆的第一表面刻蚀形成多个换热肋片；将第一光刻胶涂布于换热肋片之间的流道内；通过物理气相沉积在流道内及换热肋片的顶部形成第一金属层；剥离位于流道内的第一光刻胶与第一金属层；在晶圆的第一表面上倒入聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液蒸干形成微球模板后进行烧结处理；将晶圆进行电镀处理，使得多孔金属结构形成于覆盖换热肋片且位于道上方的微球模板的间隙之间；将晶圆放入第二溶液中进行化学反应去除微球模板。本申请降低了晶圆使用成本，且避免了不同硅晶圆之间键合的良率较低的问题，结构稳定性可得到保证。

公开(公告)号：CN109554285B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201811643014.X

申请日：2018-12-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  刘姚萍 ,  李婷宇 ,  马萧

IPC: C12M1/12 ,  C12M1/00

Abstract: 本发明涉及生物医药与先进制造技术领域，具体涉及一种柔性微孔膜及应用其制备的细胞分离装置；本发明所述柔性微孔膜包括微孔孔径≥15μm，孔隙率≥50％的工作区域，还包括支撑区域，所述支撑区域赋予工作区域刚性、硬度和机械强度，避免其发生变形；本发明还提供了一种细胞分离装置，所述细胞分离装置包括至少一个初级分离膜和至少一个末级分离膜，所述初级分离膜采用本发明所述的柔性微孔膜，所述初级分离膜用以分离复杂液体样品的大块背景成分和细胞成分，防止分离膜的堵塞，增加通量，所述末级分离膜孔径≤15μm，孔隙率≥25％，过滤截留液体样品后，初级分离膜和末级分离膜都可于显微镜下观察，增加目标物阳性检出率，实用性好。

公开(公告)号：CN117747601B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410190425.7

申请日：2024-02-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈浪 ,  王玮 ,  张盼 ,  徐涵

IPC: H01L25/04 ,  H01L21/50 ,  H01L25/16 ,  H01L23/13

Abstract: 本申请提供一种基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片，涉及电子制造领域，包括：提供晶圆基底；对晶圆基底的第一侧进行刻蚀处理，在晶圆基底的第一侧形成第一数量的填埋槽；将多个APD单元填入多个填埋槽的中心区域内，以使APD单元与填埋槽的槽底键合，APD单元为APD芯片阵列或APD芯片，APD芯片阵列包含阵列排布的多个APD芯片；对晶圆基底的第一侧进行表面钝化处理，得到大阵列APD基板。本申请通过在晶圆基底上形成填埋槽，并将数量较少APD芯片阵列或APD芯片填充在填埋槽内构成大阵列APD基板，该制备方法在保证较高良率的同时，简化生成工艺流程，降低成本，实现高密度、大规模、高性能的大阵列APD基板的制备。

公开(公告)号：CN117832170A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410245397.4

申请日：2024-03-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 张驰 ,  杜建宇 ,  陈浪 ,  石上阳 ,  王玮

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本申请提供了一种适用于电子封装的连接结构的制备方法及连接结构，该方法包括：在被接基材的表面沉积种子层；在表面改性后的被接基材上旋涂光刻材料；通过光刻技术将光刻材料图形化，形成具有多个目标区域的凸点模板；在每个目标区域内交替沉积空穴模型层和金属层；空穴模型层表征为至少一个颗粒体在目标区域内按照预设参数排列；去除空穴模型层和凸点模板，至少一个颗粒体一一对应形成至少一个孔道，得到多个具有空穴结构的焊接凸点；预设参数包括颗粒体粒径、颗粒体形状和颗粒体间隙中的至少一种。通过本发明提供的制备方法，制备出的焊接凸点缓解了凸点在高温回流焊接过程中产生的热应力，降低了在高温环境下微凸点断连的风险。

公开(公告)号：CN117806144A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311691198.8

申请日：2023-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 史田田 ,  陈景标 ,  魏苏阳 ,  王玮

IPC: G04F5/14

Abstract: 本发明公开了一种基于光栅磁光阱冷却的芯片主动光钟及其实现方法。本发明利用三个饱和吸收谱稳频的DBR激光器分别产生冷却激光、重泵激光和泵浦激光，其中，冷却激光和重泵激光配合光栅磁光阱，用于冷却并囚禁原子，在原子气室中形成冷原子团；泵浦激光激发冷原子，其产生的受激辐射信号直接作为光学频率标准信号输出，与微腔光梳拍频后实现芯片主动光钟。与传统的冷原子光钟相比，本发明极大地减小了系统的体积，能够集成于芯片上，以适合紧凑、便携式设备的应用场景；与目前的芯片微波原子钟相比，本发明的稳定度指标更高。本发明具有重要的应用价值，能够为可移动设备提供长时间、高精度授时的频率参考。

公开(公告)号：CN117561029A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202280035072.2

申请日：2022-05-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  刘姚萍 ,  高旭 ,  邓润 ,  李婷宇

IPC: A61B10/00

Abstract: 一种用于处理流体生物样本的容器(1)，该容器包括：容器主体(2)，该容器主体至少包括用于容纳第一流体的第一隔室(2a)和用于容纳第二流体的第二隔室(2b)；互连流体通道(3)，该互连流体通道用于在第一和第二隔室(2a，2b)之间提供流体连通；内闸板(4)，该内闸板被布置为可在该内闸板阻挡互连流体通道(3)的第一位置和该内闸板允许通过互连流体通道(3)进行流体连通的第二位置之间移动；以及第一覆盖件(5)，该第一覆盖件被布置为允许从容器(1)外部选择性地进入，以将样本引入到第一和第二隔室(2a，2b)中的至少一个中，并优选地与内闸板(4)相结合将流体密封在容器主体(2)内。本发明还提供了一种用于使用该容器处理流体生物样本的试剂盒，尤其是一种被配置为用于支气管肺泡灌洗液样本(BALF样本)的预处理的试剂盒。

公开(公告)号：CN117504956A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311340169.7

申请日：2023-10-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  郭业昌 ,  王少峰 ,  李沛玥 ,  张盼

IPC: B01L3/00 ,  C12M1/00 ,  G01N1/34 ,  G01N1/40 ,  C12Q1/6806

Abstract: 本发明属于微纳流体及生化传感技术领域，并具体涉及一种微纳流控芯片及采用所述微纳流控芯片进行的生化标志物分子的分离方法，微纳流控芯片包括芯片本体，所述芯片本体上设有第一通道、第二通道和纳流通道，所述第一通道连通于第一注液口连通和下游分析系统之间；所述第二通道与第二注液口连通；所述纳流通道具有离子选择功能，并连通于所述第一通道和所述第二通道之间。通过上述结构，能够实现复杂样品中生化标志物分子的无堵塞连续性分离，实现生化标志物分子的纯化，排除背景成分的干扰，提高了分析性能和检测灵敏度，具有检测成本低、响应时间快、样品及试剂消耗量少等优势，适用于临床医疗诊断等领域，有助于提高疾病的诊断准确性和治疗效果。

公开(公告)号：CN117046042A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311091407.5

申请日：2023-08-29

Applicant: 北京市延庆区医院(北京大学第三医院延庆医院)

Inventor： 李海洋 ,  桑庆华 ,  王玮

IPC: A63B23/035

Abstract: 一种骨科创伤用恢复训练装置，本发明涉及医用训练装置技术领域，两个调节杆分别通过调节组件活动插设在活动槽内，且两个调节杆的相对面上固定设有调节螺栓杆，调节套的左右两端分别螺纹旋接在调节螺栓杆上；调距组件设置在调节杆的前后两侧上，下肢训练组件和上肢训练组件分别与前后两侧的调距组件连接；操作人员将移动座移动至合适的位置后，通过调节组件，使得下肢训练组件和上下肢训练组件移动至合适的高度，再通过调距组件将下肢训练组件和上肢训练组件靠近患者的身体，便于行动不便的患者使用训练恢复。

公开(公告)号：CN116960009A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310877128.5

申请日：2023-07-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  林晨希 ,  陈浪

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本申请提供一种晶圆键合方法和键合结构，涉及半导体技术领域，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一表面上依次沉积阻挡层、种子层；在种子层上制备第一支撑层，在第一支撑层上，通过刻蚀制备得到多个待填充盲孔，待填充盲孔的底部为种子层；在待填充盲孔中填充与种子层匹配的金属材料，在金属材料上填充焊料，得到凸点；去除第一表面上除凸点以外的所有材料；在种子层上制备第二支撑层；在第二表面上制备嵌入多个金属衬垫的绝缘层；使第一晶圆与第二晶圆进行对准，使第一晶圆上的凸点与第二晶圆上的金属衬垫一一接触；键合第一晶圆与第二晶圆。

公开(公告)号：CN116854027A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310745056.9

申请日：2023-06-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 郑德印 ,  王玮 ,  张驰 ,  张铁宾

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供了一种体硅内空腔结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供硅衬底；在所述硅衬底的上表面刻蚀形成第一多孔层；刻蚀生成第二多孔层；腐蚀去除所述第二多孔层，以形成连通所述第一孔隙的空腔；覆盖所述硅衬底的上表面以及所述第一多孔层的上表面形成薄膜层。该制备方法简单、高效，成本低，而且通过第一多孔层和第二多孔层的设计可以有效控制空腔的大小以及硅薄膜厚度的均匀性。