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公开(公告)号：CN101661889B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910109443.3
申请日：2009-08-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/336 , H01L21/266
Abstract: 本发明公开了一种PD SOI MOS晶体管的制作方法，包括在SOI硅片上定义有源区并形成栅电极后进行掺杂的过程，该过程包括：A.以栅电极为掩膜进行倾斜离子注入，注入的杂质类型为与SOI硅片硅膜层内本底杂质类型相同的第一类杂质；B.以栅电极为掩膜进行常规离子注入，注入的杂质类型为与所述第一类杂质类型相反的第二类杂质；C.在栅电极两侧形成侧墙层；D.以栅电极和侧墙层为掩膜进行倾斜离子注入，注入的杂质类型为第一类杂质，且设置离子注入能量大于步骤A中的倾斜离子注入能量；E.以栅电极和侧墙层为掩膜进行常规离子注入，注入的杂质类型为第二类杂质。本发明有效抑制了DIBL效应和源漏深区的穿通，大大提升了器件的抗短沟道效应能力。
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公开(公告)号：CN101150074A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710177105.4
申请日：2007-11-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/266
Abstract: 本发明提供了一种MOS晶体管体区的掺杂方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该方法是在栅电极两侧形成狭缝，通过该狭缝进行体区的离子注入掺杂。本发明由于体区重掺杂是通过栅电极两侧的狭缝进行，因此，实现了重掺杂区域在沟道区两侧呈条状，该条状重掺杂区能有效屏蔽漏电场对沟道和源端的影响，使器件具有良好的短沟道特性。且该条状重掺杂区在沟道两侧，沟道区内杂质浓度可以很低，使得器件具有高的载流子迁移率和好的亚阈特性。本发明可有效避免或缓解目前常规的体区掺杂方法所带来的问题。
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公开(公告)号：CN113437099B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202110520740.8
申请日：2021-05-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L27/146 , H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/119 , H04N25/79 , H04N25/76 , H04N25/779 , H04N25/77 , H04N25/75 , H04N25/78
Abstract: 本申请提供了一种光电探测器像素电路，包括探测晶体管，配置为对入射光进行探测并产生相应的光生电信号；开关晶体管，配置为接收所述光生电信号或相关信号并对其进行电学处理；所述探测晶体管和所述开关晶体管均为双栅晶体管，并且二者的衬底、底栅电极层、底栅介质层、顶栅介质层以及源极或漏极所在的导电层彼此都相应的位于同一层，并且二者的有源层都包括具有光记忆功能的相同或不同的半导体材料；其中所述探测晶体管的顶栅电极采用透明导电材料，所述开关晶体管的顶栅电极至少包括非透明导电材料。本申请还公开了相应的光电探测器及其制造和应用方法。
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公开(公告)号：CN116434697A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310456609.9
申请日：2023-04-25
Applicant: 昆山龙腾光电股份有限公司 , 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种像素电路、驱动方法和显示装置，像素电路包括脉冲幅度调制模块、发光元件和脉冲宽度调制模块。脉冲幅度调制模块包括第一驱动开关模块、第一重置模块、第一存储电容、第一补偿模块和调幅驱动模块。第一驱动开关模块通过第二端接收第一重置模块发送的第二参考电压，且与发光元件相连，其控制端在发光阶段之前接收第三参考电压，第三与第二参考电压之差大于第一阈值电压；第一存储电容和第一补偿模块依次设置在第一驱动开关模块的第二端与控制端之间；调幅驱动模块提供调幅数据电压至第一存储电容。脉冲宽度调制模块在发光阶段控制第一驱动开关模块的控制端的电压。本发明可用于阈值补偿，降低功耗，提高显示质量。
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公开(公告)号：CN113421942B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110521681.6
申请日：2021-05-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/113 , H01L31/119 , H01L31/032 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本申请提供了一种光电探测晶体管，包括逐层堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、和顶栅电极；其中所述有源层包括具有光记忆功能的半导体材料，在所述有源层中包括沟道和源漏区域，并且所述光电探测晶体管的顶栅电极采用透明导电材料；其中所述源漏区域是通过对相应区域的所述有源层材料进行等离子体处理获得。本申请还公开了相应的制备光电探测晶体管和利用其感光的方法。
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公开(公告)号：CN115332388A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210966469.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/113 , H01L31/028 , H01L27/146
Abstract: 本申请提供了一种光电探测晶体管，包括从下至上依次堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、与所述有源层局部接触的源漏电极、钝化层；其中所述有源层包括本征氢化非晶硅，在与所述源漏电极接触的区域所述有源层还包括重掺杂氢化非晶硅。本申请还公开了相应的光电探测像素电路以及光电探测器及其制造。
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公开(公告)号：CN111103056B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201911198860.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院 , 昆山龙腾光电股份有限公司
Abstract: 一种薄膜晶体管集成的光传感器，包括光电转换部、电压转换部及电压调整部，光电转换部用于感应外界光，输出与所述外界光的光照强度相对应的光电流信号，电压转换部用于将所述光电流信号转换成电压信号，所述电压信号包括正相输出电压信号和负相输出电压信号之间的电压差，电压调整部用于根据所述外界光的光照强度调整所述正相输出电压信号和所述负相输出电压信号，以实现放大所述电压信号。通过电压调整部对外界光的光照强度的感应来控制传感器的输出电压信号放大，进而提高传感器的响应度，增强传感器的驱动能力。且有明确的光电响应阈值，在光电响应阈值以上，光电响应的灵敏度要高。
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公开(公告)号：CN114256159A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111576526.0
申请日：2021-12-21
Applicant: 昆山龙腾光电股份有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 一种阵列基板及制作方法、显示面板，该制作方法包括：在基底上形成扫描线和栅极，扫描线具有交叠部，交叠部的宽度小于或等于两倍的光刻胶缩进量，栅极的宽度大于两倍的光刻胶缩进量；在基底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上方形成有源层；在第一绝缘层上方涂布光刻胶层，以第一金属层掩模板，从基底远离光刻胶层一侧对光刻胶层进行光刻处理并形成光刻胶图案，栅极与光刻胶图案相对应，光刻胶图案与交叠部完全错开；在光刻胶层的上表面形成第二金属层，对第二金属层进行蚀刻以及去除光刻胶图案，第二金属层形成数据线、源极以及漏极，数据线在基底上的投影与交叠部在基底上的投影相重叠。本发明简化了制作工艺，减小制作成本以及提升制作效率。
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公开(公告)号：CN109215555B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201811131755.X
申请日：2015-05-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/20
Abstract: 本申请公开了一种光电传感器和显示面板，包括：脉冲传递单元，包括控制端，所述脉冲传递单元的控制端获得驱动电压后，将第一时钟信号传送至信号输出端口；脉冲控制单元，用于从信号输入端口接收输入的扫描信号，给所述脉冲传递单元的控制端充电以提供所述驱动电压；光电感应单元，用于接收外界光照时提供一个响应外界光照强度的泄漏电流，泄漏电流给脉冲传递单元的控制端放电使脉冲传递单元的控制端的电压经过一段时间后小于驱动电压。所提出的光电传感器电路利用常规显示面板已有的扫描信号和时钟信号，不需要额外引入控制信号，因此电路结构简单，更适合于集成在显示面板上。此外，脉冲控制单元和光电感应单元为同一单元，进步了节省了器件。
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公开(公告)号：CN113014837A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110194463.6
申请日：2021-02-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 一种实施例中提供一种光电式的传感像素电路，包括了光敏单元，放大和驱动的单元，以及选通单元；选通单元用于响应于行扫描信号选通放大和驱动的单元；放大和驱动的单元包括读出单元，所述读出单元包括复位单元、存储单元和放大单元；存储单元用于将光生电流信号进行积累并转换为相应的电压信号；放大单元用于将所述存储单元所转换的电压信号进行放大后输出；放大单元包括跨导单元，用于将存储单元所转换的电压信号转换为电流信号。通过薄膜晶体管工艺，光电式的传感像素电路被集成为图像传感阵列，进而形成图像传感器。优选地，所述光电式传感像素电路可以由不同类型有源层材料的两种薄膜晶体管工艺在相同的基板上集成为光电图像传感阵列。
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