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公开(公告)号：CN102677022B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210001350.0
申请日：2012-01-04
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/50
Abstract: 一种原子层沉积装置属于等离子体应用技术领域，涉及一种阵列式空心阴极结构的等离子体发生装置。该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6)，所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1-3mm的通孔，相邻的孔的间距为2-4mm，阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5-20mm，阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道。该装置降低等离子体温度，改善其他一些等离子体参数，从而提高沉积效率，并优化所沉积材料的微观结构和性能。
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公开(公告)号：CN103972451A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410216920.7
申请日：2014-05-21
Applicant: 北京印刷学院 , 烟台鸿庆包装材料有限公司
Abstract: 本发明属于材料表面改性处理技术，特别是对电池隔膜进行表面改性处理的方法。其原理为在离子辅助电子束蒸发镀膜装置中，无机氧化物原料被加热蒸发、沉积至电池隔膜表面形成氧化物涂层的过程中，硅氧烷类有机单体被离子源电离活化并掺杂至无机氧化物涂层中。由于无机氧化物涂层的引入，提高了聚烯烃隔膜的亲水性和耐热性。且由于硅氧烷类有机单体的离化掺杂效应，明显降低无机氧化物涂层的内应力和阻隔性，从而使聚烯烃隔膜可以较好地保持原有的柔韧性和孔隙。从而，改善聚烯烃电池隔膜的亲水性、耐热性，并保持较好的柔韧性和孔隙率。
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公开(公告)号：CN102677022A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210001350.0
申请日：2012-01-04
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/50
Abstract: 一种原子层沉积装置属于等离子体应用技术领域，涉及一种阵列式空心阴极结构的等离子体发生装置。该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6)，所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1-3mm的通孔，相邻的孔的间距为2-4mm，阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5-20mm，阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道。该装置降低等离子体温度，改善其他一些等离子体参数，从而提高沉积效率，并优化所沉积材料的微观结构和性能。
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公开(公告)号：CN115613004A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110783398.0
申请日：2021-07-12
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 内壁镀膜的塑料管及制备方法，属于塑料管应用技术领域。内壁镀膜的塑料管，在塑料管内壁有镀膜，所述镀膜为氧化钛、氧化铝或类金刚石，所述镀膜厚度为10～1000 nm，以化学键结合于塑料管基体表面。所述塑料管材质为PVC、PP、PE或PET，厚度为100～5000μm。本发明沉积的镀膜具有以下优异性能对气体、液体和油阻隔、抗迁移、抗粘附、低摩擦、抗冲刷、耐磨损，塑料管具有耐酸碱、耐腐蚀、防划痕及防潮防吸水、不潮解、不吸水、抗小分子迁移、不吸附，可以直接进行后续的工艺等优异性能。塑料管内壁镀膜附着力好，可抗液体流动冲刷、抗粘附、可低温存放、抗跌落、无破损、使用寿命长。
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公开(公告)号：CN106521440A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610996213.3
申请日：2016-11-12
Applicant: 北京印刷学院
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/025 , C23C14/20 , C23C14/205 , C23C14/26 , C23C14/30 , C23C28/023
Abstract: 一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，属于柔性包装薄膜材料制备技术领域。本发明是以磁控溅射法在聚合物薄膜表面沉积金属缓冲层，然后经真空蒸镀工艺沉积铝膜，获得高附着力镀铝膜。该制备工艺主要包括以下步骤：在磁控溅射腔室放置聚合物薄膜并将溅射腔室抽真空至6×10-3Pa以下；开启磁控溅射电源，沉积金属缓冲层；以沉积有金属缓冲层的聚合物薄膜为基底在蒸发镀膜机中蒸镀铝膜，获得高附着力的镀铝膜。本发明可通过磁控溅射的工艺极大地增强镀铝膜的附着性能，可获得附着力在10N/15mm以上的高附着性能镀铝膜，溅射过程清洁环保，产品附加值高，工艺简单，容易产业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103643221B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310418810.4
申请日：2013-09-14
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/50 , C23C16/505
Abstract: 具有磁场增强旋转阵列电极的等离子体装置属于等离子体物理基础和应用领域。其特征在于包括：真空室、放电系统、卷绕系统；其中放电系统、卷绕系统均装在真空室内；放电系统包括旋转阵列电极（2-1）、射频或高频电源（2-2）、绝缘块和等离子体（2-4）；射频或高频电源（2-2）的两输出端分别连接到旋转阵列电极端部，绝缘块（2-3）使旋转阵列电极（2-1）和真空室（1-1）电隔离；外磁体位于旋转电极辊上方或下方，和内磁体构成一个闭合磁回路，约束放电产生的等离子体。本发明实现对电极阵列放电，阵列电极同时也是柔性基体旋转辊，提高等离子体的密度、增加放电稳定性、排除旋转阵列电极之间放电干扰、减少沉积薄膜对真空室的污染。
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公开(公告)号：CN103882412A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410140035.5
申请日：2014-04-09
Applicant: 北京印刷学院 , 烟台鸿庆包装材料有限公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及一种采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法，属于阻隔薄膜制作技术领域。其特点是等离子体发生装置为常压射流式等离子体发生装置，通过输气管路引入放电气体，同时有机硅单体由载气携带进入射流枪内，与放电气体混合，在高压电极与接地射流头之间放电产生等离子体，形成纳米级薄膜气相成分，射流枪由高压电源驱动，等离子体经射流枪射流头喷出，在基材上沉积形成阻隔薄膜。本发明方法相比于其他阻隔薄膜制作工艺，生产成本低，制备速度快，操作简便，无需真空设备，在大气压条件下即可完成，对规则或不规则的基材表面均可实施薄膜沉积，同时材料便于回收利用，安全环保，可广泛用于食品行业、医药行业、真空绝热板等高阻隔层的制备。
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公开(公告)号：CN102534570A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210001348.3
申请日：2012-01-04
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法属于等离子体应用技术领域。本发明涉及一种采用空心阴极增强等离子体化学气相沉积工艺制备微晶硅薄膜的方法，尤其是利用微空心阴极阵列电极结构可以增加等离子体密度进而提高薄膜的沉积速率。这种电极结构可以提高放电效率，进而提高单体裂解率，增加空间里的活性基团浓度，大大提高薄膜的沉积速率，并可降低沉积温度。
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公开(公告)号：CN101921994B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010241708.8
申请日：2010-07-30
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/40 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法。本发明用双频即微波ECR加射频负偏压设备产生等离子体沉积氧化铝薄膜。用微波ECR加射频负偏压系统使工作气体产生等离子体，以三甲基铝(TMA)为单体，用TMA-Ar-O2-Ar的交替脉冲的方式用等离子体方法实现原子层沉积氧化铝薄膜，沉积温度为室温。由于采用等离子体作为活性基的产生方式，沉积可以在较低的环境温度下进行，且生长速率较热原子层沉积高，约为0.12nm/周期，制备的薄膜质量也较热原子层沉积高。所得的Al2O3薄膜可广泛地应用于微电子器件、电致发光器件、光波导器件以及抗腐蚀涂层等众多领域。
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公开(公告)号：CN101623763A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910089073.1
申请日：2009-08-03
Applicant: 北京印刷学院
IPC: B22F9/24
Abstract: 本发明属于纳米银合成领域，提供了在薄膜表面以大分子为模板合成纳米银的方法。本发明用介质阻挡放电装置，在真空条件下，以氨气或丙烯胺为放电单体，以氩气为辅助气体，在PET、BOPP、PE薄膜表面接枝胺基；将表面接枝胺基后的薄膜冰浴条件下滴加甲醇，再滴入丙烯酸甲酯反应；滴加乙二胺与甲醇的混合溶液反应；重复上述反应生成1.0G-5.0G的末端为胺基的聚酰胺胺树枝状大分子样品；反应完毕样品用甲醇清洗干净，放入硝酸银溶液中搅拌，取出后放入硼氢化钠溶液中搅拌，清洗后即合成了纳米银。本发明使得薄膜应用更加广泛，应用于杀菌包装，而且使得薄膜具有了贵金属纳米粒子的一些特性，广泛应用于超导、化工、光学、电子、电器等行业。
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