-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115612152A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110783364.1
申请日：2021-07-12
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明公开了高阻隔塑料管及其制备方法和应用，属于塑料管技术领域。高阻隔塑料管，包括基体塑料管，其特征在于，在基体塑料管表面涂覆纳米氧化硅涂层作为阻隔层，所述基体塑料管的材质为聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺或聚酯；所述纳米氧化硅涂层的厚度为1～1000nm，以C‑O‑Si化学键结合于基体塑料管表面。本发明提供的高阻隔塑料管纳米氧化硅阻隔层薄膜致密、阻隔性能高、附着力强、不脱落，不潮解、不失水、抗油渗、抗酸碱腐蚀、抗有害小分子迁移、防霉变抗蚕食等，且表面能低，可以直接进行后续的工艺，不需要表面再处理、不需要表面再活化。可广泛用于真空采血、DNA、核酸、液体药品食品、咖啡、化学试剂、尿液等各类塑料管。
-
公开(公告)号：CN108004522A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711104392.6
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/32 , C23C16/4554 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种等离子体增强原子层沉积碳化镍薄膜的设备及方法，包括有载气瓶、氢气瓶、AMD-Ni单体瓶、DAD-Ni单体瓶、加热炉、机械泵和射频电源，将AMD-Ni单体瓶和DAD-Ni单体瓶放在加热套内，加热套内壁缠上加热带，在加热炉内设有反应腔，反应腔内放有基片台，基片台内置有热电偶，所述的载气瓶的出气口分别连接质量流量控制器一、流量控制器二、流量控制器三，流量控制器一的出口依次连接ALD阀一和AMD-Ni单体瓶的进口，流量控制器二的出口依次连接ALD阀二和DAD-Ni单体瓶的进口、流量控制器三的出口依次连接ALD阀三和三通阀的一口。
-
公开(公告)号：CN105296955A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510671627.4
申请日：2015-10-16
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/06 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种铜互连中的铜籽晶层沉积方法，主要介绍了使用氢等离子体辅助原子层沉积铜薄膜，包含使用不同类型的等离子体辅助原子层沉积设备以及不同种类的铜前驱体、沉积工艺、沉积基底等。在实例中具体描述了使用高反应活性的[Cu(iPr-Me-amd)]2前驱体的铜薄膜沉积工艺。本发明中，氢等离子体取代了传统的热驱动沉积方式，使得薄膜沉积的温度大大降低，同时与具有高反应活性的前驱体结合使用，能够很好的满足铜籽晶层沉积工艺中低温沉积连续、致密铜薄膜的要求，并且在高深宽比结构中具有很好的保形性。
-
公开(公告)号：CN102677022B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210001350.0
申请日：2012-01-04
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/50
Abstract: 一种原子层沉积装置属于等离子体应用技术领域，涉及一种阵列式空心阴极结构的等离子体发生装置。该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6)，所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1-3mm的通孔，相邻的孔的间距为2-4mm，阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5-20mm，阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道。该装置降低等离子体温度，改善其他一些等离子体参数，从而提高沉积效率，并优化所沉积材料的微观结构和性能。
-
公开(公告)号：CN102677022A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210001350.0
申请日：2012-01-04
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/50
Abstract: 一种原子层沉积装置属于等离子体应用技术领域，涉及一种阵列式空心阴极结构的等离子体发生装置。该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6)，所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1-3mm的通孔，相邻的孔的间距为2-4mm，阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5-20mm，阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道。该装置降低等离子体温度，改善其他一些等离子体参数，从而提高沉积效率，并优化所沉积材料的微观结构和性能。
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.028 seconds)
