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公开(公告)号：CN101577358A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910087333.1
申请日：2009-06-23
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微机械太赫兹波导、太赫兹波导式谐振腔及制备方法，属于波谱技术领域。该微机械太赫兹波导为内嵌于封装基板中的管道结构，封装基板由上、下表面板和若干个中间基板堆叠而成，所述波导设置在中间基板内，其轴线平行于基板表面；该波导延伸到中间基板的侧向外表面，或该波导延伸至上、下表面板的外表面，用于实现信号输入、输出；在所述波导内壁上涂敷有金属。利用上述THz波导设计原理，还可以制备太赫兹波导式谐振腔，且制备方法基于RF MEMS的微机械技术，可进行大规模并行化、低成本的加工。
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公开(公告)号：CN116404045A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310562873.0
申请日：2023-05-18
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米尺寸氧化物晶体管的制备方法，属于集成电路领域及显示领域。该氧化物晶体管包括衬底、栅电极、栅介质、有源层和源漏电极，涉及底栅结构和顶栅结构两种类型。底栅结构特征如下：栅电极位于衬底之上，栅介质位于栅电极之上，有源层位于栅介质之上,源漏电极位于有源层两侧。顶栅结构特征如下：有源层位于衬底之上，源漏电极位于有源层两侧，栅介质位于有源层之上，栅电极位于栅介质之上。本发明提出了一种制备纳米尺寸氧化物晶体管的填充技术方案，该方案利用光刻工艺、溅射工艺、原子层淀积工艺和刻蚀工艺等常规技术，有望实现纳米尺寸氧化物晶体管的规模化制备，步骤简单、成本低、可操作性强，具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN111926299B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010776036.4
申请日：2020-08-05
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有表面界面调控作用的多级次Cu膜及其制备方法，通过先在衬底上沉积上一层超薄铜膜，再在控制条件下对超薄铜膜进行退火处理，最后在退火处理后的超薄铜膜表面再沉积一层铜膜，最终制得具有表面界面调控作用的多级次Cu膜；本发明所述多级次Cu膜的微纳复合结构的表面积和极性发生变化，导致表面对非极性气体或水蒸气的吸附特性发生转变，所述Cu膜可实现不采用表面修饰材料的情况下由超亲水到超疏水表面的可控调节，表面接触角在6度到152度之间转换；本发明所述多级次微纳复合结构为纳米团簇与纳米颗粒的复合、纳米颗粒与纳米孔洞或纳米团簇与纳米线的复合，在基本不改变材料的电学和热学性能的情况下，实现材料表面能的调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110704069A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810748334.5
申请日：2018-07-10
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06F8/52
Abstract: 本发明涉及一种适用于TSV阵列并行传输的二维传输方法及装置。该方法在待传输的二进制随机信息序列进入TSV传输通道之前，对该二进制随机信息序列进行码流适配，形成与TSV阵列传输通道数量和分布相适应的二维码流，然后进行Turbo乘积码编码生成二维码字；将上述方法编码的二维码字以并行传输方式通过TSV阵列传输通道之后，对接收到的二维码字进行Turbo乘积码译码，获得译码码字，最后通过译码码流适配器转换得到最终的信息序列。本方案在不改变TSV结构、不增加硬件成本的情况下，具有数据传输吞吐量大、编码时延低、传输可靠性高等优点，减小了TSV阵列中耦合串扰对信号传输的影响。
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公开(公告)号：CN110491847A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810454322.1
申请日：2018-05-14
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种基于硅通孔的神经元功能电路单元，该单元包括衬底、硅通孔、晶体管和互连，硅通孔中金属、二氧化硅和N型重掺杂层组成的电容与晶体管连接构成浮栅结构。本发明提供的单元利用浮栅的原理，其功能是将若干个输入电压信号的加权和与阈值相比较得到一个二值化输出，以构成神经形态计算的基础电路单元。同时，本发明采用成熟的工艺技术实现，使得单元极易加工，避免了制造的困难，同时，浮栅结构的工作原理是基于电荷求和而不是电流求和，有效降低功耗。
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公开(公告)号：CN105336727B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510670347.1
申请日：2015-10-13
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L23/522
Abstract: 本发明公开了一种苯环型基板通孔传输结构及基板通孔垂直传输结构。本发明的苯环型基板通孔传输结构，包括多个S‑TSV和多个G‑TSV，S‑TSV和G‑TSV在基板平面上呈苯环状交替排列，苯环中心位置是G‑TSV；其中，S‑TSV为信号TSV，G‑TSV为地TSV。本发明的基板通孔垂直传输结构，包括多个所述苯环型基板通孔传输结构，多个所述苯环型基板通孔传输结构排列组合形成蜂窝状的阵列结构。本发明既可以降低通孔间的噪声耦合，提高信号完整性，保证良好的传输特性，又可以减少G‑TSV的数量，提高芯片的面积利用率。
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公开(公告)号：CN105336727A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510670347.1
申请日：2015-10-13
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5226
Abstract: 本发明公开了一种苯环型基板通孔传输结构及基板通孔垂直传输结构。本发明的苯环型基板通孔传输结构，包括多个S-TSV和多个G-TSV，S-TSV和G-TSV在基板平面上呈苯环状交替排列，苯环中心位置是G-TSV；其中，S-TSV为信号TSV，G-TSV为地TSV。本发明的基板通孔垂直传输结构，包括多个所述苯环型基板通孔传输结构，多个所述苯环型基板通孔传输结构排列组合形成蜂窝状的阵列结构。本发明既可以降低通孔间的噪声耦合，提高信号完整性，保证良好的传输特性，又可以减少G-TSV的数量，提高芯片的面积利用率。
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公开(公告)号：CN101593863A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910087815.7
申请日：2009-06-26
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可调微波带通滤波器，是在微波电路衬底上设置一具备双谐振模态的环形谐振器及相应的输入耦合单元、输出耦合单元和扰动单元，在谐振器上镜像对称放置偶数个微机械桥膜来调节中心频率，在扰动单元上放置一个或多个的微机械桥膜来调节带宽。该滤波器利用了微机械桥膜电容加载结构产生的可变电容效应对双模谐振器及其扰动结构进行加载，可以以较少数量的微机械桥膜和较小的芯片面积占用来实现通带中心频率和通带带宽等滤波特性的调节；与现有的双模滤波器和微机械可调带通滤波器相比，结构更灵活，工艺复杂度降低，器件总体性能更好，同时适用于基于平面传输线和片上波导的滤波器件。
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