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公开(公告)号：CN103258859A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310195082.5
申请日：2013-05-23
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为InZnxLiyNzO；InZnxLiyNzO的靶包括In2O3、ZnO、Li2O和Zn3N2，x=0～2，y=0～0.1，Z=0～0.1，厚度为20～60nm。用磁控溅射法制备沟道层，溅射功率为70～200W，氧/氩压比为0～40%，生长温度为室温～500℃，退火温度为350～500℃或760～960℃。该薄膜晶体管主要用于平板显示和透明电路。
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公开(公告)号：CN102569483A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110427751.8
申请日：2011-12-19
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法，属于光电子信息领域，主要用于产生低偏压、高响应的日盲光敏电阻器。解决了大组份Mg的MgZnO制备的相分离问题。MgZnO薄膜制备日盲光敏电阻器是在R面蓝宝石衬底生长第一层MgxZn1-xO过渡层、第二层MgyZn1-yO过渡层、高组份Mg的MgZZn1-ZO薄膜和电极。步骤一 将清洗过的R面蓝宝石衬底传入MBE预生长室；步骤二R面蓝宝石衬底在预生长室750-850℃处理15-30分钟；步骤三R面蓝宝石衬底传入生长室，在生长温度400-500℃下生长第一层2-10nm厚的MgxZn1-xO过渡层，其中X＝0.16-0.20；接着在相同生长温度下生长第二层2-10nm厚的MgyZn1-yO过渡层，其中Y＝0.26-0.40；步骤四 在生长温度400-500℃下，生长MgZZn1-ZO薄膜，其中Z＝0.43-0.55；步骤五在MgZZn1-ZO薄膜上，制备厚度100-150nm的金属电极，其中金属材料是Al、Au、Pt。制备工艺简单、成本低。
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公开(公告)号：CN101800289A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010128004.X
申请日：2010-03-16
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种有机紫外探测器及其制作方法，特别是一种基于有机聚合物的紫外探测器及其制作方法，属于光电子信息领域。基于有机聚合物的紫外探测器的结构自下而上依次是：ITO玻璃、PEDOT薄膜、PVK:PBD混合薄膜、LiF薄膜、AL电极。其制作方法是：在ITO玻璃上依次旋涂PEDOT薄膜、PVK:PBD混合薄膜，然后真空蒸镀LiF薄膜、AL电极。所述结构中，ITO为阳极电极、PEDOT薄膜厚度为20nm、PVK:PBD混合薄膜厚度为70～130nm、LiF薄膜厚度为1nm、AL电极厚度为100nm。本发明的优点在于工艺简单、低成本、低偏压、高响应度和可制成柔性器件；在环境保护、紫外通信、天文学观测、生物医学研究和医疗卫生等领域具有重要的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101604731A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910089287.9
申请日：2009-07-15
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜紫外探测器，属于光电子信息领域。有机薄膜紫外探测器是在透明ITO导电衬底上依次制作：NPB薄膜、PBD薄膜、LiF薄膜以及电极。所述的NPB薄膜的厚度为60～120nm；PBD薄膜的厚度为30～60nm；LiF薄膜的为厚度1～2nm。有机薄膜紫外探测器，具有制备工艺简单、成本低、偏压低光响应高等优点，有利于火警探测、火焰传感、天文学观测与研究、航空及航天跟踪与控制、气象环境监测与预报、医疗卫生与生物工程、通信等领域的应用。
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公开(公告)号：CN100536093C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200810222662.8
申请日：2008-09-22
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L21/36 , H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750-850℃下高温处理20-60分钟；步骤2，在500-700℃下，氧等离子体处理30-50分钟；步骤3，在400-500℃下生长厚度为1.5-6nm的MgO柔性层；步骤4，在700-850℃下，退火处理10-20分钟；步骤5，在500-600℃下进行外延生长ZnMgO合金薄膜。ITO代替蓝宝石和硅衬底生长高质量ZnMgO合金薄膜，生长出高质量的ZnMgO合金薄膜。优点是工艺简单、成本低，器件结构简单，有利于光电子器件的应用。
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公开(公告)号：CN2710312Y
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200420009182.0
申请日：2004-07-13
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 新型有机薄膜电致发光器件，涉及信息显示器件，它包括：在透明电极(1)上，依次制备空穴传输层(2)、有机发光层(4)、电子传输层(6)和背电极(7)，其有机发光层(4)的两侧加入空穴绝缘层(3)和电子绝缘层(5)。空穴绝缘层(3)和电子绝缘层(5)采用宽禁带无机材料、宽禁带有机材料或宽禁带聚合物材料，绝缘层厚度0.2nm－5nm。该结构可以大大改善有机电致发光器件的发光层与电子传输层和空穴传输层的互扩散；注入的空穴及注入的电子不够平衡等，使有机电致发光器件的发光亮度、效率和寿命得到提高。
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公开(公告)号：CN2710303Y
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200420009183.5
申请日：2004-07-13
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种有机薄膜电致发光器件，涉及信息显示器件，它包括：透明电极(1)、空穴传输层(2)、有机发光层(4)、电子电势补偿层(5)和背电极(6)，其特征在于：在空穴传输层(2)与有机发光层(4)之间加入绝缘层(3)。绝缘层(3)采用宽禁带无机材料、宽禁带有机材料或宽禁带聚合物材料，绝缘层厚度0.2nm－5nm。该结构可以大大改善有机电致发光器件的发光层与空穴传输层的互扩散；注入的空穴及注入的电子不够平衡等，使有机电致发光器件的发光亮度、效率和寿命得到提高。
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公开(公告)号：CN2755902Y
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200420067006.2
申请日：2004-06-14
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种多层有机薄膜电致发光器件，涉及一种有机薄膜电致发光器件。主要用于产生高亮度和高效率的有机薄膜电致发光器件。该器件包括：在透明电极(1)上依次制备空穴电势补偿层(2)、空穴传输层(3)、有机发光层(4)、绝缘层(5)、有机发光层(4)、电子电势补偿层(7)和背电极(8)。将绝缘层(5)设在有机发光层(4)内，这种结构大大改善了有机电致发光器件的发光层与电子传输层和空穴传输层的互扩散、注入的空穴及注入的电子平衡，提高了有机电致发光器件的发光亮度和效率。
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