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公开(公告)号：CN102467647A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010546866.4
申请日：2010-11-16
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/00
Abstract: 本发明公开了一种双界面智能卡的接触与非接触工作模式的判定方法，旨在提供一种能实现双界面卡在接触式和/或非接触式条件下正常工作的工作模式判定方法。本发明中，在接触式条件下，判定为接触工作模式；在非接触式条件下，判定为非接触工作模式；在接触式与非接触式条件同时存在时，哪个条件先出现就判定为该工作模式。本发明适用于智能卡领域。
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公开(公告)号：CN101295344A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710098676.9
申请日：2007-04-25
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明用于射频非接触智能卡中CPU处理接收数据的方法。读卡器与射频卡通讯时，射频卡接收读卡器发送的数据，经过解调和解码后，送出接收的数据给CPU处理。但在遵循ISO14443类型A的非接触智能卡协议中，编码方式是miller码，载波被miller码调制，几乎每个码元或字符中都有载波暂停(pause)。载波暂停时芯片没有载波信号，芯片无外部电源能量，也可能无时钟。所以CPU对解码后输出给CPU的数据(字符)难以处理。本发明使用较为新颖的方法，在解码完每个字节后的下一个接收字节被解调或解码的同时，使CPU工作在适当的频率下来快速处理接收到的前一个字节，如此就能实现数据的边接收边处理。
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公开(公告)号：CN101958143B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200910088802.1
申请日：2009-07-16
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 只读存储器(ROM)的读取会受到位线间耦合串扰的干扰。这种不良耦合影响会随着工艺尺寸的减小，在深亚微米工艺(DSM)设计中变得越来越严重，尤其在低功耗，版图位线较长或采用Contact或VIA层进行码点编程的设计中会造成非常高的误码率。本发明采用全位线钳位结构和时分位线钳位屏蔽结构并配合相关时序彻底地消除了会造成误码的位线间耦合串扰，提高了电路的可靠性。采用本发明的低功耗只读存储器适用于任何需要低功耗、大容量只读数据存储、或奇异存储阵列结构的应用中。
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公开(公告)号：CN102110221B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200910243489.4
申请日：2009-12-23
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/00
Abstract: 本发明是一种用于实现超高频无源电子标签“块写”功能的方法。目前超高频无源电子标签18000-6C(EPC G2)协议规定了标签的“块写”命令，但没有具体的实现方法和流程，基于标准CMOS工艺的可擦写存储器也无法实现本功能。本发明在基于标准CMOS工艺的可擦写存储器性能基础上，结合18000-6C(EPC G2)协议，提出了“块写”命令的实现过程及标签和阅读器的交互过程，保证“块写”命令的可实现性，并给出相应的实现方法。
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公开(公告)号：CN102968657A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110257248.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 为了提高ISO/IEC 14443 TYPEA型高频非接触智能卡的兼容性，芯片设计需要完全符合或高于协议中规定的各个指标，在ISO/IEC 14443 TYPEA型非接智能卡标准中对于FDT(Frame Delay Time)参数的约束比较严格：误差范围要求[FDT-1/fc，FDT+0.4us+1/fc]、此处fc＝13.56MHz，对于芯片设计实现有较大的难度。本发明提供了一种实现FDT精确计时的方法，通过FDT参数计时的精确实现，可以大大提高卡片与读卡器的兼容性能。
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公开(公告)号：CN102968655A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110255705.4
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 为了获得更快的交易速度，非接触卡芯片常常希望工作在更高的时钟频率。然而非接触卡工作在不同场强下时，能够获取的最大功率是不同的。场强越大，芯片能够获得的最大功率也越大，能够支持的工作频率越高。因此需要根据场强来选择非接触卡芯片的工作频率。本发明提供一种根据芯片放电电流和电源电压选择芯片工作频率的方法，保证芯片尽可能工作在较高的频率，而且不会出现工作频率升高导致的芯片复位和反复升降工作频率的现象。
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公开(公告)号：CN101414812A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710163657.X
申请日：2007-10-17
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明用于高频(HF)通信系统中的时钟恢复和倍频。包含一个时钟恢复电路和时钟倍频电路。收发机通信时，时钟恢复电路从天线的载波信号中恢复出两个相位相反的脉冲信号，经过倍频后送给逻辑电路。倍频电路包括一个自定时的延时电路和脉冲沿触发电路，通过对脉冲信号的处理，便能得到一个两倍于载波频率的时钟信号。此电路的设计方法是功耗较低，时钟的相位抖动较小，且实现电路简单易行。
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公开(公告)号：CN204441278U
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201420491005.4
申请日：2014-08-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H01L23/522
Abstract: 本实用新型公开了一种基于深亚微米CMOS工艺的横向MOM电容。这种电容结构兼容于标准CMOS工艺，不需要额外的掩膜层支持，该电容可代替代工厂提供的MIM(Metal-Insulator-Metal)电容，从而避免了使用MIM电容时因增加的额外掩膜层CTM层密度不足造成芯片生产时良率降低的问题。这种电容由多层金属堆叠组成，金属层采用工艺允许的最小宽度，金属层间距采用工艺允许的最小距离，保证在最小的面积内获得最大的电容。
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