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公开(公告)号:CN105789004B
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201610247974.9
申请日:2016-04-20
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种全温区热电两场扫描电镜原位物性测量台及其测量方法,包括:样品、样品压片、导热台、测温元件、加热元件、样品台盖子、冷却台顶、冷却管、冷却台底、绝热台顶、绝热柱、绝热台底、扫描电子显微镜连接柱、功能扩展孔、冷却管孔、导线孔、真空法兰模块、冷却控制模块、PID温控及电学测试模块。本发明可以进行样品材料热电性能研究,实现力学、电学和热学多物理场调控下的原位性能研究;实现快速制冷降温;充分利用样品台结构降低导热效果;防止了放电现象和加热过程中图像热干扰而出现层状条纹,使用同轴环状加热模块且采用导热性能良好的紫铜作样品导热台,测温元件处于加热模块和样品之间,实现准确的温度检测。
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公开(公告)号:CN104916516B
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201510275642.7
申请日:2015-05-26
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种可加电、磁场的透射电子显微镜样品杆,包括样品杆头、样品杆身、手握柄,所述的样品杆身由同轴设置的前端细杆和后端粗杆组成,所述的样品杆头设有载物台,载物台上设置有微型电磁铁以及微加工方式制作电学测试芯片;所述的样品杆身中,前端细杆与后端粗杆通过密封圈连接,前端细杆与样品杆头连接,后端粗杆与手握柄连接。本发明可以在电、磁场下直接原位观察低维磁性结构的单体输运性质,最终实现在纳米甚至原子尺度上理解低维磁结构磁相互作用机制和动态磁性调控机理。
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公开(公告)号:CN106392233A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201611107702.5
申请日:2016-12-06
Applicant: 兰州大学
IPC: B23K1/005
Abstract: 本发明公开了一种电镜原位加热装置结合焊料的纳米焊接方法。本发明焊接过程均在SEM-FIB中进行,利用位于扫描电镜腔室内的原位加热装置对焊接部位进行加热,同时借助离子束清洗焊接区域,去除纳米材料表层的杂质(如焊料表面氧化物,碳类化合物,有机物等),只使焊料变成熔融状态,而对母体材料无损伤,通过保温一定时间,熔融焊料与同样被加热的母体材料发生持续且强烈的扩散作用,最终实现焊接纳米图案的目的。本发明可精确控制加热温度,只使低熔点的焊料发生融化,而对母体材料无损伤,对于焊接高熔点的氧化物半导体纳米材料具有显著的优势。该焊接方法可实时观测整个焊接过程,可控性极强且方便快捷,可同时实现多处纳米图案的焊接,效率高。
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公开(公告)号:CN103546060B
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201310535780.5
申请日:2013-11-04
Applicant: 兰州大学
IPC: H02N2/06
Abstract: 本发明公开了一种纳米操纵器高压控制电源系统,包括:电子显微镜原位纳米操纵器高压控制电源、纳米操纵器、上位机,其中所述电子显微镜原位纳米操纵器高压控制电源接受上位机发出的运动控制信号,经过处理、放大并发出高压稳定的脉冲电压信号驱动所述纳米操纵器在纳米尺度下的精确运动,同时把纳米操纵器的运动轨迹反馈回上位机,从而实现了对纳米操纵器的智能化精确控制。所述电子显微镜原位纳米操纵器高压控制电源包括线性可调高压放大电路及其附属电路和以DSP芯片为核心控制的嵌入式控制器DSP信号控制器。所述的上位机,包括PC机和PS手柄,通过电路切换能同时控制,也能够单独的控制,可很方便的实现两种控制之间的转换,操作过程人性化,直观化。
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公开(公告)号:CN104916516A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201510275642.7
申请日:2015-05-26
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种可加电、磁场的透射电子显微镜样品杆,包括样品杆头、样品杆身、手握柄,所述的样品杆身由同轴设置的前端细杆和后端粗杆组成,所述的样品杆头设有载物台,载物台上设置有微型电磁铁以及微加工方式制作电学测试芯片;所述的样品杆身中,前端细杆与后端粗杆通过密封圈连接,前端细杆与样品杆头连接,后端粗杆与手握柄连接。本发明可以在电、磁场下直接原位观察低维磁性结构的单体输运性质,最终实现在纳米甚至原子尺度上理解低维磁结构磁相互作用机制和动态磁性调控机理。
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公开(公告)号:CN104867802A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201510276385.9
申请日:2015-05-26
Applicant: 兰州大学
IPC: H01J37/20
Abstract: 本发明公开了多场调控磁电功能透射电镜样品杆,多场调控磁电功能透射电镜样品杆,包括样品杆头、样品杆身、手握柄,所述的样品杆身由同轴设置的前端细杆和后端粗杆组成,所述的样品杆身中,前端细杆与后端粗杆通过密封圈连接,前端细杆与样品杆头连接,后端粗杆与手握柄连接;所述的样品杆头设置有微型电磁铁及四电极压电陶瓷管。申请人应用对称性原理和沟槽轨道的设计,使本发明中的样品杆结构对称布置,平衡性好,尺寸紧凑,直线运动,在一定的程度上还减小了内应力和抵消温度引起的形变。
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公开(公告)号:CN102608359B
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201210045621.2
申请日:2012-02-25
Applicant: 兰州大学
IPC: G01Q10/00
Abstract: 本发明属于纳米操纵器领域,特别涉及一种通过压电陶瓷驱动的纳米操纵器。该操纵器包括定位装置及执行机构,所述的定位装置包括运动轨道、压电陶瓷、运动台,压电陶瓷安装在运动轨道内,加脉冲电压于压电陶瓷上,驱动运动台摩擦接触的沿运动轨道运动;执行机构与运动台连接,所述的执行机构为操纵手。本发明结构对称布置,平衡性好,尺寸紧凑,直线运动,在一定的程度上还减小了内应力和抵消温度引起的形变,可广泛应用于精确操控、剪裁和组装纳米单体及精确测量纳米单体物理性质。
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公开(公告)号:CN116199191B
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202310221603.3
申请日:2023-03-09
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种利用电子束诱导在非晶中生长纳米级二维材料的方法。本发明利用聚焦电子束对铁电样品的结晶区域与非晶区域的交界处和非晶区域的原子团进行辐照,电子束辐照铁电样品会引入能量,因为铁电样品的结晶与非晶边缘和不稳定的原子团处能量较高,电子束辐照引入的能量会在铁电样品的结晶与非晶边缘或者不稳定的原子团中产生空穴和点缺陷,进而生长出同样元素但能量更低的新的纳米级二维材料。
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公开(公告)号:CN118888420A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202410888435.8
申请日:2024-07-03
Applicant: 兰州大学
IPC: H01J37/26 , H01J37/20 , G01N23/04 , G01N23/20025
Abstract: 本发明提供了一种检测原位气氛、液氛实验中制样质量的样品杆及检测方法,该样品杆包括样品杆头,样品杆头上设置有第一芯片槽、第二芯片槽、第一压片组件和第二压片组件,第二芯片槽位于第一芯片槽的内部:第一压片组件用于压设固定第一芯片,第二压片组件用于压设固定第二芯片,第一芯片或第二芯片上滴有被测的样品;环形第一弹性垫圈,其设置于第一芯片槽内,且环设于第二芯片槽的外部;第二弹性垫块,其设置于第二芯片槽内,第一芯片放置于环形第一弹性垫圈上后与第二芯片电连接;供电电极组件,其设置于样品杆头上,且位于第一芯片槽的后端,第一芯片与供电电极组件电连接,供电电极组件连接于透射电镜的外部控制器。
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公开(公告)号:CN118888233A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202410860256.3
申请日:2024-06-28
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明提供一种铁磁体及其制备方法和应用。该铁磁体包括MxCr1.5‑xTe2,其中,M占MxCr1.5‑xTe2原子比总数的百分比为A%,A%满足如下关系:A%=x/3.5×100%;其中,A的取值范围为0<A≤5;和/或,x的取值范围为0<x<1.5;和/或,M包括非磁性元素,优选地,M选自铜元素、锌元素或铝元素中的一种或多种。本发明通过掺杂非磁性元素实现了室温下的稳定铁磁性,突破了传统二维材料低温铁磁性的限制,并确认非磁性元素掺杂在实现室温铁磁性方面的有效性。并为其在磁存储器件和自旋电子器件中的应用提供了技术支持。
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