公开(公告)号：CN118888233A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410860256.3

申请日：2024-06-28

Applicant: 兰州大学

Inventor： 邓霞 ,  彭蓉 ,  张军伟 ,  姚洋 ,  赵欣蕊 ,  尉诗洋 ,  张丽娟 ,  张亚星 ,  何九涉 ,  姜硕 ,  彭勇 ,  李华 ,  贺娃

IPC: H01F1/01 ,  H01F1/12 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明提供一种铁磁体及其制备方法和应用。该铁磁体包括MxCr1.5‑xTe2，其中，M占MxCr1.5‑xTe2原子比总数的百分比为A％，A％满足如下关系：A％＝x/3.5×100％；其中，A的取值范围为0＜A≤5；和/或，x的取值范围为0＜x＜1.5；和/或，M包括非磁性元素，优选地，M选自铜元素、锌元素或铝元素中的一种或多种。本发明通过掺杂非磁性元素实现了室温下的稳定铁磁性，突破了传统二维材料低温铁磁性的限制，并确认非磁性元素掺杂在实现室温铁磁性方面的有效性。并为其在磁存储器件和自旋电子器件中的应用提供了技术支持。

公开(公告)号：CN118888233B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410860256.3

申请日：2024-06-28

Applicant: 兰州大学

Inventor： 邓霞 ,  彭蓉 ,  张军伟 ,  姚洋 ,  赵欣蕊 ,  尉诗洋 ,  张丽娟 ,  张亚星 ,  何九涉 ,  姜硕 ,  彭勇 ,  李华 ,  贺娃

IPC: H01F1/01 ,  H01F1/12 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明提供一种铁磁体及其制备方法和应用。该铁磁体包括MxCr1.5‑xTe2，其中，M占MxCr1.5‑xTe2原子比总数的百分比为A％，A％满足如下关系：A％＝x/3.5×100％；其中，A的取值范围为0＜A≤5；和/或，x的取值范围为0＜x＜1.5；和/或，M包括非磁性元素，优选地，M选自铜元素、锌元素或铝元素中的一种或多种。本发明通过掺杂非磁性元素实现了室温下的稳定铁磁性，突破了传统二维材料低温铁磁性的限制，并确认非磁性元素掺杂在实现室温铁磁性方面的有效性。并为其在磁存储器件和自旋电子器件中的应用提供了技术支持。

公开(公告)号：CN118771314B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202410795042.2

申请日：2024-06-19

Applicant: 兰州大学

Inventor： 张军伟 ,  姚洋 ,  邓霞 ,  彭蓉 ,  赵欣蕊 ,  尉诗洋 ,  张亚星 ,  张丽娟 ,  何九涉 ,  姜硕 ,  彭勇

IPC: C01B19/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种Fe掺杂In2Se3二维材料的制备方法，所述方法包括以下步骤：将Fe粉、In粉和Se粉混合，以碘作为输运剂，采用化学气相传输法获得。本发明提供一种制备过程简单的使铁元素成功掺入In2Se3中的方法，使In2Se3获得低温铁磁性；使其在磁性存储器件、自旋电子学、磁性传输、量子自旋霍尔效应等领域具有广阔应用前景。

公开(公告)号：CN118771314A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410795042.2

申请日：2024-06-19

Applicant: 兰州大学

Inventor： 张军伟 ,  姚洋 ,  邓霞 ,  彭蓉 ,  赵欣蕊 ,  尉诗洋 ,  张亚星 ,  张丽娟 ,  何九涉 ,  姜硕 ,  彭勇

IPC: C01B19/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种Fe掺杂In2Se3二维材料的制备方法，所述方法包括以下步骤：将Fe粉、In粉和Se粉混合，以碘作为输运剂，采用化学气相传输法获得。本发明提供一种制备过程简单的使铁元素成功掺入In2Se3中的方法，使In2Se3获得低温铁磁性；使其在磁性存储器件、自旋电子学、磁性传输、量子自旋霍尔效应等领域具有广阔应用前景。