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公开(公告)号：CN119757921A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411933257.2
申请日：2024-12-26
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种多场耦合透射电子显微镜原位样品杆及其双向精确温度与电磁场控制系统方法，属于透射电镜领域。本发明的样品杆的杆头包括载物台、设置在载物台内的微型U型电磁铁和PCB电路板、以及设置在载物台后端的导温板和液氮循环管，以及设置在载物台上的四电极MEMS热电芯片。本发明通过MEMS热电芯片实现加热和电场的双重控制，并结合液氮冷却系统，实现对样品的双向温度调节。同时，样品杆还集成了微型U型电磁铁以施加可控的平行磁场。整个系统能够在极端条件下进行多场耦合实验，如电学、磁学、相变等动态研究。
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公开(公告)号：CN118771314B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410795042.2
申请日：2024-06-19
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明提供一种Fe掺杂In2Se3二维材料的制备方法，所述方法包括以下步骤：将Fe粉、In粉和Se粉混合，以碘作为输运剂，采用化学气相传输法获得。本发明提供一种制备过程简单的使铁元素成功掺入In2Se3中的方法，使In2Se3获得低温铁磁性；使其在磁性存储器件、自旋电子学、磁性传输、量子自旋霍尔效应等领域具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN116354396B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310291797.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及电学材料制备技术领域，具体涉及一种富含缺陷簇单层MoS2、制备方法及其应用，利用CVD方法合成富含3FeMo‑VS缺陷簇的单层Fe掺杂MoS2样品，在单层2D TMDs中制备丰富的替位掺杂‑空位形成的缺陷簇，并研究该类缺陷簇对单层2D TMDs物理性质的影响，对未掺杂单层MoS2和含3FeMo‑VS缺陷簇单层MoS2的电学测试表明3FeMo‑VS缺陷簇对单层MoS2提供了空穴掺杂(P型掺杂)作用，与常见孤立FeMo掺杂对单层MoS2样品造成电子掺杂(N型掺杂)的情况完全不同，此外，3FeMo‑VS缺陷簇的存在使得单层Fe掺杂MoS2样品与金属电极间形成良好的欧姆接触，消除了金属‑半导体之间的肖特基接触势垒。
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公开(公告)号：CN118771314A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410795042.2
申请日：2024-06-19
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明提供一种Fe掺杂In2Se3二维材料的制备方法，所述方法包括以下步骤：将Fe粉、In粉和Se粉混合，以碘作为输运剂，采用化学气相传输法获得。本发明提供一种制备过程简单的使铁元素成功掺入In2Se3中的方法，使In2Se3获得低温铁磁性；使其在磁性存储器件、自旋电子学、磁性传输、量子自旋霍尔效应等领域具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN117551980A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311547922.X
申请日：2023-11-20
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及二维硒化物技术领域，具体涉及一类二维过渡金属硒化物及其制备方法，该方法首先将过渡金属氧酸盐粉末和含硒元素盐粉末按一定摩尔比混合后放入管式炉内，然后利用混合盐在高温下反应生成二维过渡金属硒化物，并将二维过渡金属硒化物加热沉积在生长衬底上获得单层/多层二维过渡金属硒化物，本发明制备单层/多层二维过渡金属硒化物的方法具有低能耗、操作简便、经济和普适性强的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117181240A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311164276.9
申请日：2023-09-08
Applicant: 兰州大学
IPC: B01J23/89 , C02F1/70 , C25B11/093 , C25B1/27 , B82Y30/00 , C01G3/02 , C02F101/16
Abstract: 本申请提供一种用于产氨的纳米复合材料及其制备方法和应用。本申请的纳米复合材料包括纳米铜、纳米铜钯合金和纳米氧化亚铜。本申请的制备方法包括将纳米铜与含有钯前驱体的溶液混合并反应，得到含有所述纳米复合材料的反应液。本申请的纳米复合材料具有优异的NO3‑还原性能，产氨率高，且制备方法简单高效，成本低。
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公开(公告)号：CN116254567B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202211590860.6
申请日：2022-12-12
Applicant: 兰州大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/27 , C25B1/01 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种纳米复合材料及其制备方法和应用。所述纳米复合材料包括纳米Cu、纳米Cu2O和纳米CuO，其中，以所述复合材料的总重量计，所述纳米Cu的含量为50wt％～90wt％。本发明的纳米复合材料具有优异的电化学催化硝酸根还原的稳定性，同时在固液体系中易回收，能重复多次使用。
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公开(公告)号：CN116230478A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310039601.2
申请日：2023-01-13
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公布了一种应用于高熵合金测试的多场复合透射电镜原位样品杆。所述原位样品杆的结构主要有三部分：样品杆杆身、手握柄和实验测试台。载物台上设有样品槽和标准样品压片；加热组件安装在载物台上样品槽一侧；杆体内部电缆接入PCB电路板通过电极与载物台相连，微型电磁铁通过安装槽固定在载物台边缘。本发明可以实现控制温度的连续变化以及对温度的测量，实现电势差可控的通电及测电以及可控磁场的施加。并且可以按照实验需要选择不同的组合，改变样品的温度、电场、磁场等条件。更方便在透射电镜下原位研究高熵合金的各项性质，能够实现对高熵合金热阻性、磁阻效应和热磁效应的研究，也能够用于其他材料的热学和电磁学的研究。
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公开(公告)号：CN105789004B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201610247974.9
申请日：2016-04-20
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种全温区热电两场扫描电镜原位物性测量台及其测量方法，包括：样品、样品压片、导热台、测温元件、加热元件、样品台盖子、冷却台顶、冷却管、冷却台底、绝热台顶、绝热柱、绝热台底、扫描电子显微镜连接柱、功能扩展孔、冷却管孔、导线孔、真空法兰模块、冷却控制模块、PID温控及电学测试模块。本发明可以进行样品材料热电性能研究，实现力学、电学和热学多物理场调控下的原位性能研究；实现快速制冷降温；充分利用样品台结构降低导热效果；防止了放电现象和加热过程中图像热干扰而出现层状条纹，使用同轴环状加热模块且采用导热性能良好的紫铜作样品导热台，测温元件处于加热模块和样品之间，实现准确的温度检测。
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公开(公告)号：CN104916516B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510275642.7
申请日：2015-05-26
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种可加电、磁场的透射电子显微镜样品杆，包括样品杆头、样品杆身、手握柄，所述的样品杆身由同轴设置的前端细杆和后端粗杆组成，所述的样品杆头设有载物台，载物台上设置有微型电磁铁以及微加工方式制作电学测试芯片；所述的样品杆身中，前端细杆与后端粗杆通过密封圈连接，前端细杆与样品杆头连接，后端粗杆与手握柄连接。本发明可以在电、磁场下直接原位观察低维磁性结构的单体输运性质，最终实现在纳米甚至原子尺度上理解低维磁结构磁相互作用机制和动态磁性调控机理。
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