公开(公告)号：CN116354396B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202310291797.4

申请日：2023-03-23

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭勇 ,  全香凝 ,  张利利 ,  张军伟 ,  赵逸群 ,  邓霞 ,  贺娃

IPC: C01G39/06 ,  C01G49/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明涉及电学材料制备技术领域，具体涉及一种富含缺陷簇单层MoS2、制备方法及其应用，利用CVD方法合成富含3FeMo‑VS缺陷簇的单层Fe掺杂MoS2样品，在单层2D TMDs中制备丰富的替位掺杂‑空位形成的缺陷簇，并研究该类缺陷簇对单层2D TMDs物理性质的影响，对未掺杂单层MoS2和含3FeMo‑VS缺陷簇单层MoS2的电学测试表明3FeMo‑VS缺陷簇对单层MoS2提供了空穴掺杂(P型掺杂)作用，与常见孤立FeMo掺杂对单层MoS2样品造成电子掺杂(N型掺杂)的情况完全不同，此外，3FeMo‑VS缺陷簇的存在使得单层Fe掺杂MoS2样品与金属电极间形成良好的欧姆接触，消除了金属‑半导体之间的肖特基接触势垒。

公开(公告)号：CN117551980A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311547922.X

申请日：2023-11-20

Applicant: 兰州大学

Inventor： 张利利 ,  赵逸群 ,  张军伟 ,  穆晓柯 ,  胡阳 ,  全香凝 ,  杨杰 ,  彭勇

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及二维硒化物技术领域，具体涉及一类二维过渡金属硒化物及其制备方法，该方法首先将过渡金属氧酸盐粉末和含硒元素盐粉末按一定摩尔比混合后放入管式炉内，然后利用混合盐在高温下反应生成二维过渡金属硒化物，并将二维过渡金属硒化物加热沉积在生长衬底上获得单层/多层二维过渡金属硒化物，本发明制备单层/多层二维过渡金属硒化物的方法具有低能耗、操作简便、经济和普适性强的特点。

公开(公告)号：CN117512558A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311547875.9

申请日：2023-11-20

Applicant: 兰州大学

Inventor： 张利利 ,  赵逸群 ,  张军伟 ,  司明苏 ,  王君 ,  全香凝 ,  王永健 ,  彭勇

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及二维硫化物技术领域，具体涉及一类二维过渡金属/合金硫化物及其制备方法，该方法首先将过渡金属氧酸盐和含硫元素盐按一定的摩尔比混合，然后通过管式炉对混合盐在高温下进行加热，使混合盐反应生成二维过渡金属/合金硫化物，并将二维过渡金属/合金硫化物沉积在生长衬底上获得单层/多层二维过渡金属/合金硫化物，本发明制备单层/多层二维过渡金属/合金硫化物的方法具有操作简便、经济和普适性强的特点。

公开(公告)号：CN116354396A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310291797.4

申请日：2023-03-23

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭勇 ,  全香凝 ,  张利利 ,  张军伟 ,  赵逸群 ,  邓霞 ,  贺娃

IPC: C01G39/06 ,  C01G49/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明涉及电学材料制备技术领域，具体涉及一种富含缺陷簇单层MoS2、制备方法及其应用，利用CVD方法合成富含3FeMo‑VS缺陷簇的单层Fe掺杂MoS2样品，在单层2D TMDs中制备丰富的替位掺杂‑空位形成的缺陷簇，并研究该类缺陷簇对单层2D TMDs物理性质的影响，对未掺杂单层MoS2和含3FeMo‑VS缺陷簇单层MoS2的电学测试表明3FeMo‑VS缺陷簇对单层MoS2提供了空穴掺杂(P型掺杂)作用，与常见孤立FeMo掺杂对单层MoS2样品造成电子掺杂(N型掺杂)的情况完全不同，此外，3FeMo‑VS缺陷簇的存在使得单层Fe掺杂MoS2样品与金属电极间形成良好的欧姆接触，消除了金属‑半导体之间的肖特基接触势垒。