公开(公告)号：CN116234415A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310173929.3

申请日：2023-02-28

Applicant: 兰州大学

Inventor： 张军伟 ,  徐琦 ,  胡玥 ,  姜泽 ,  王楠 ,  邓霞 ,  朱柳 ,  关超帅 ,  彭勇

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/85

Abstract: 本发明属于自旋电子技术领域，具体涉及一种定点产生磁斯格明子的方法。本发明通过聚光离子束增加磁性多层膜的无序度，降低垂直磁各向异性(PMA)，并通过离子束辐照产生人工缺陷，使其Pt、Co、Ta相混合形成合金，从而改变Dzyaloshinskii‑Moriya(DM)相互作用，使磁性多层膜定点产生磁斯格明子。磁性多层膜的薄膜界面Pt、Co、Ta混合层数与离子束辐照剂量有关，本发明可以通过调节离子束辐照剂量来调整磁斯格明子的密度。该方法不仅可应用于基础研究，还可应用于自旋电子器件，如基于磁斯格明子的赛道存储器件中。

公开(公告)号：CN116199191B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202310221603.3

申请日：2023-03-09

Applicant: 兰州大学

Inventor： 张军伟 ,  王楠 ,  徐琦 ,  姜泽 ,  褚非同 ,  邓霞 ,  朱柳 ,  关超帅 ,  李华 ,  彭勇

IPC: C01B19/04 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种利用电子束诱导在非晶中生长纳米级二维材料的方法。本发明利用聚焦电子束对铁电样品的结晶区域与非晶区域的交界处和非晶区域的原子团进行辐照，电子束辐照铁电样品会引入能量，因为铁电样品的结晶与非晶边缘和不稳定的原子团处能量较高，电子束辐照引入的能量会在铁电样品的结晶与非晶边缘或者不稳定的原子团中产生空穴和点缺陷，进而生长出同样元素但能量更低的新的纳米级二维材料。

公开(公告)号：CN116199191A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310221603.3

申请日：2023-03-09

Applicant: 兰州大学

Inventor： 张军伟 ,  王楠 ,  徐琦 ,  姜泽 ,  褚非同 ,  邓霞 ,  朱柳 ,  关超帅 ,  李华 ,  彭勇

IPC: C01B19/04 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种利用电子束诱导在非晶中生长纳米级二维材料的方法。本发明利用聚焦电子束对铁电样品的结晶区域与非晶区域的交界处和非晶区域的原子团进行辐照，电子束辐照铁电样品会引入能量，因为铁电样品的结晶与非晶边缘和不稳定的原子团处能量较高，电子束辐照引入的能量会在铁电样品的结晶与非晶边缘或者不稳定的原子团中产生空穴和点缺陷，进而生长出同样元素但能量更低的新的纳米级二维材料。