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公开(公告)号：CN115308239B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202210984725.3
申请日：2022-08-17
Applicant: 兰州大学
IPC: G01N23/20
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅位错密度的无损检测方法，设置仪器参数，对单晶硅片进行XRD测试；获得该单晶硅片的XRD衍射谱，经过拟合，由该衍射谱获得衍射峰的半高宽数据B；以相同的仪器测试参数对无位错标准硅样品进行XRD测试，获得标准硅样品的XRD衍射谱，经过拟合，获得仪器宽化δ；根据关系式计算单晶硅位错导致的物理宽化β；根据公式ρ=β2/(4.35b2)计算所测单晶硅的位错密度。该无损检测方法以XRD测试方法为基础、可对位错密度进行定量化测试表征的理论，实现单晶硅中位错密度的定量计算表征。操作简单，数据处理方便，结果可靠同时对待测样品无损。
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公开(公告)号：CN111537422B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202010522456.X
申请日：2020-06-10
Applicant: 兰州大学
IPC: G01N15/08 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了表征及调控包晶合金定向凝固时糊状区内渗透率的方法，主要针对合金凝固时最常见的枝晶形态进行表征，属于包晶合金材料的表征技术领域。通过测量特定的比表面积Sv，提出了基于Carman‑Kozeny模型的解析表达式，以分析定向凝固包晶合金中枝晶糊状区内流体渗透性。旨在解决关于包晶合金枝晶间的重熔/再凝固过程如何影响凝固期间枝晶结构间流体渗透性的疑问。阐明了包晶反应对流体渗透性的影响。通过研究糊状区中枝晶网络对流体渗透率K的依赖性，增进了对包晶凝固过程中渗透率的理解。本方法可以实现对包晶合金定向凝固过程中糊状区内渗透率变化的合理表征和控制，从而，获得具有合金实际生产时所需渗透率微观结构。
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公开(公告)号：CN101577178B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910129797.4
申请日：2009-03-23
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开一种尖晶石型NiZnCo铁氧体磁性薄膜的方法。本发明的方法是将经清洗的衬底材料在常温下浸入氯化亚锡和盐酸混合溶液中，浸泡后取出衬底材料，用水洗去其表面附着的氯离子，将衬底材料浸入金或铂或钯或银的水溶性盐的水溶液中浸泡，重复进行前述过程数次，直至衬底材料变色。根据制备的薄膜成分配制硝酸盐和二甲基胺硼烷的混合水溶液，将混合溶液在60-90℃的水浴中预热5至10分钟，使溶液的pH值升由2.3升到4，然后将衬底浸入混合溶液内，衬底上均匀生长出铁氧体薄膜。通过调节反应物的浓度配比，可制备出不同成分和不同磁性的尖晶石型铁氧体薄膜。
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公开(公告)号：CN101608305A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910203556.X
申请日：2009-05-20
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及ZnO纳米材料的制备技术领域中的针状和六角柱状ZnO纳米线阵列的可控制备方法。本发明制备ZnO薄膜的方法是首先在衬底材料上制备出银或铜的薄膜，然后将衬底浸入到总体积为50ml的5～120mM的硝酸锌水溶液与10～30mM的二甲基胺硼烷水溶液中，保持溶液温度为60～90℃，充分反应后可在衬底上得到氧化锌薄膜。本发明的制备方法在衬底上形成铜或银的薄膜可以用磁控溅射的方法，或者真空蒸镀的方法，或者真空溅射的方法实现，也可以在铜的衬底表面进行抛光处理获得可生长氧化锌纳粹阵列的表面。
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公开(公告)号：CN101577178A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910129797.4
申请日：2009-03-23
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开一种尖晶石型NiZnCo铁氧体磁性薄膜的方法。本发明的方法是将经清洗的衬底材料在常温下浸入氯化亚锡和盐酸混合溶液中，浸泡后取出衬底材料，用水洗去其表面附着的氯离子，将衬底材料浸入金或铂或钯或银的水溶性盐的水溶液中浸泡，重复进行前述过程数次，直至衬底材料变色。根据制备的薄膜成分配制硝酸盐和二甲基胺硼烷的混合水溶液，将混合溶液在60－90℃的水浴中预热5至10分钟，使溶液的pH值升由2.3升到4，然后将衬底浸入混合溶液内，衬底上均匀生长出铁氧体薄膜。通过调节反应物的浓度配比，可制备出不同成分和不同磁性的尖晶石型铁氧体薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112185472B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202011092630.8
申请日：2020-10-13
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明提供一种预测定向凝固包晶合金糊状区内雀斑形貌缺陷的方法，首先获取雷诺数与渗透率K的关系；建立一种较细二次枝晶位于两个较粗二次枝晶之间的模型，并综合TGZM效应和G‑T效应对二次枝晶的影响，获取渗透率K与糊状区内固相体积分数fS的关系；根据上述各关系，得到雷诺数与固相体积分数fS的关系，通过雷诺数随固相体积分数fS变化时的最大值来预测缺陷的形成。本发明在包晶凝固过程中，能够更准确得预测树枝状糊状区中雀斑形貌的形成。
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公开(公告)号：CN116539561A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310264597.X
申请日：2023-03-15
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开块体合金杨氏模量的无损测定方法、系统、设备及介质，涉及合金检测技术领域。所述方法包括：对所述目标块体合金进行布里渊光散射，得到合金光谱；所述合金光谱包括瑞利表面波和体波；所述体波包括横波和纵波；对所述合金光谱进行洛伦兹拟合，得到瑞利表面波频移和体波频移；根据声速与色散关系的对应关系、动量守恒定律、所述瑞利表面波频移和所述体波频移，计算瑞利表面波声速和体波声速；根据所述瑞利表面波声速和所述体波声速确定独立弹性系数矩阵；根据所述独立弹性系数矩阵和杨氏模量公式计算所述目标块体合金的杨氏模量。本发明能够在不破坏样品的同时提高杨氏模量检测的准确性。
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公开(公告)号：CN111667888B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010505256.3
申请日：2020-06-05
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了确定包晶合金定向凝固静置热稳定时液相形核间隔的方法，由于液相在形核后收到外加温度梯度作用，糊状区中同时发生溶质的扩散引起的熔化/凝固过程，通过过程向糊状区高温部分迁移并最终进入液相区。而自同一形核位置分别迁移的液相在糊状区内会留下迁移的痕迹。因此，本发明通过分析液相自初生相/包晶相这一固/固界面处形核后的迁移痕迹，表征并确定了液相自初生相/包晶相这一固/固界面处形核后的迁移时间间隔。液相形核后的迁移可分为不同阶段，每一阶段内液相迁移的速度均有不同。利用该方法可准确确定包晶合金定向凝固静置热稳定时液相形核间隔。
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公开(公告)号：CN114334016A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111249362.0
申请日：2021-10-26
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开一种镁锂合金定向凝固起始液相浓度的预测方法，根据反应系统质量守恒定律，将镁锂合金样品棒在静置热稳定时的样品实际浓度C0、TGZM效应和锂元素的挥发结合，建立完全液体区的熔体浓度与静置热稳定时间的预测模型；根据预测模型得到不同时间静置热稳定后糊状区附近的定向凝固起始液相浓度C；将得到的不同时间静置热稳定后的定向凝固起始液相浓度C作为定向凝固时的实际浓度进行镁锂合金的定性凝固，本发明的预测方法同时考虑静置热稳定过程传热传质和不同情况下的锂元素挥发，预测定向凝固前完全液相区的浓度，对后续定向凝提供固有重要的指导。
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公开(公告)号：CN111667888A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010505256.3
申请日：2020-06-05
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了确定包晶合金定向凝固静置热稳定时液相形核间隔的方法，由于液相在形核后收到外加温度梯度作用，糊状区中同时发生溶质的扩散引起的熔化/凝固过程，通过过程向糊状区高温部分迁移并最终进入液相区。而自同一形核位置分别迁移的液相在糊状区内会留下迁移的痕迹。因此，本发明通过分析液相自初生相/包晶相这一固/固界面处形核后的迁移痕迹，表征并确定了液相自初生相/包晶相这一固/固界面处形核后的迁移时间间隔。液相形核后的迁移可分为不同阶段，每一阶段内液相迁移的速度均有不同。利用该方法可准确确定包晶合金定向凝固静置热稳定时液相形核间隔。
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